Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Fabrication and Characterization of GaN Junctionfield Effect Transistors

Szczegóły

Tytuł:: Fabrication and Characterization of GaN Junctionfield Effect Transistors
Autorzy:: Zhang, L.
Lester, L. F.
Baca, A. G.
Shul, R. J.
Chang, P. C.
Willison, C. G.
Mishra, U. K.
Denbaars, S. P.
Zolper, J. C.
Źródło:: MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. 5(Suppl 1):376-383
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Fabrication and Characterization of GaN Junctionfield Effect Transistors