Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

Electron microscopy study of microvoid generation in molecular-beam epitaxy-grown silicon

Tytuł :
Electron microscopy study of microvoid generation in molecular-beam epitaxy-grown silicon
Współwytwórcy :
Houghton, D [Inst. for Microstructural Sciences, Ottawa, Ontario (Canada)]
Źródło :
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 37. national American Vacuum Society symposium, Toronto (Canada), 8-12 Oct 1990
Materiał oryginalny :
CONF-901035--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 2034-2038
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/7237819
Konferencja

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies