Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

Optical spectroscopy of (001) GaAs and AlAs under molecular-beam epitaxy growth conditions

Tytuł :
Optical spectroscopy of (001) GaAs and AlAs under molecular-beam epitaxy growth conditions
Współwytwórcy :
Harbison, J [Bellcore, Red Bank, NJ (United States)]
Temat :
36 MATERIALS SCIENCE ALUMINIUM ARSENIDES
EMISSION SPECTROSCOPY
MOLECULAR BEAM EPITAXY
GALLIUM ARSENIDES
CRYSTAL LATTICES
DIMERS
ELECTRONIC STRUCTURE
OPTICAL SPECTROMETERS
ALUMINIUM COMPOUNDS
ARSENIC COMPOUNDS
ARSENIDES
CRYSTAL STRUCTURE
EPITAXY
GALLIUM COMPOUNDS
MEASURING INSTRUMENTS
PNICTIDES
SPECTROMETERS
SPECTROSCOPY 360602* -- Other Materials-- Structure & Phase Studies
Źródło :
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :
CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 2263-2267
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/7306039
Konferencja
This paper reports on reflectance-difference (RD) studies performed on variously reconstructed (001) GaAs and AlAs surfaces. The spectra of the (2 {times} 4) and (4 {times} 2) reconstructions on (001) GaAs show prominent features due to electronic transitions between lone-pair orbitals and dimer states, as previously identified by theoretical calculations. The spectra of the c(4 {times} 4) reconstructions on (001) GaAs and AlAs show similar features that the authors also interpret in terms of surface dimer excitations. These dimer features provide a capability of obtaining real-time, in situ information of dynamics on polar surfaces.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies