Autor: "Ahyi, A. C." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Advancements in SiC Power Devices Using Novel Interface Passivation Processes
Autorzy:: Sharma, Y. K.
Ahyi, A. C.
Issacs-Smith, T.
Modic, A.
Xu, Y.
Garfunkel, E.
Jennings, M. R.
Fisher, C.
Thomas, S. M.
Fan, L.
Mawby, P.
Dhar, S.
Feldman, L. C.
Williams, J. R.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of Semiconductor Devices : 17th International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices 2013. :47-52

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Interface Trap Profiles in 4H- and 6H-SiC MOS Capacitors with Nitrogen- and Phosphorus-Doped Gate Oxides
Autorzy:: Jiao, C.
Ahyi, A. C.
Dhar, S.
Morisette, D.
Myers-Ward, R.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. April 2017 46(4):2296-2300

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Nickel Ohmic Contacts to N-Implanted (0001) 4H-SiC
Autorzy:: Li, M.
Ahyi, A. C.
Zhu, X.
Chen, Z.
Isaacs-Smith, T.
Williams, J. R.
Crofton, J.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. May 2010 39(5):540-544

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Improved Ni Schottky Contacts on n-Type 4H-SiC Using Thermal Processing
Autorzy:: Oder, T. N.
Sung, T. L.
Barlow, M.
Williams, J. R.
Ahyi, A. C.
Isaacs-Smith, T.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. June 2009 38(6):772-777

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Ambient temperature characteristics of Schottky contacts on 4H–SiC aged in air at 350 °C
Autorzy:: Adedeji, Adetayo V.
Ahyi, Ayayi C.
Williams, John R.
Mohney, Suzanne E.
Scofield, James D.; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics 2010 54(7):736-740

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Chitosan solid electrolyte as electric double layer in multilayer MoS2 transistor for low-voltage operation.
Autorzy:: Jiang, Jie
Kuroda, Marcelo A.
Ahyi, Ayayi C.
Isaacs‐Smith, Tamara
Mirkhani, Vahid
Park, Minseo
Dhar, Sarit; Pokaż więcej
Temat:: CHITOSAN
ELECTRIC double layer
FIELD-effect transistors
ELECTRODES
CONTACT resistance (Materials science)
MOLYBDENUM disulfide
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Oct2015, Vol. 212 Issue 10, p2219-2225, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Chitosan solid electrolyte as electric double layer in multilayer MoS2transistor for low‐voltage operation
Autorzy:: Jiang, Jie
Kuroda, Marcelo A.
Ahyi, Ayayi C.
Isaacs‐Smith, Tamara
Mirkhani, Vahid
Park, Minseo
Dhar, Sarit; Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science; October 2015, Vol. 212 Issue: 10 p2219-2225, 7p

Periodyk

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Ahyi, A. C."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji