Temat: "AlGaN" - OpacWWW - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Research on a High-Threshold-Voltage AlGaN/GaN HEMT with P-GaN Cap and Recessed Gate in Combination with Graded AlGaN Barrier Layer
Autorzy:: Chen, Zhichao
Cai, LieAff1, IDs11664024109683_cor2
Niu, Kai
Xu, Chaozhi
Lin, Haoxiang
Ren, Pengpeng
Sun, Dong
Lin, Haifeng; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. 53(5):2533-2543

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Enhanced performance of solar-blind UV detectors based on Ti3C2Tx/AlGaN heterojunction
Autorzy:: Yü, Jingzhao
Zhang, Yuqing
Wang, Liying
Yang, Xijia
Yang, Yue
Jiang, Ke
Lü, WeiAff1, Aff2, IDs11581023053628_cor7
Sun, XiaojuanAff2, IDs11581023053628_cor8; Pokaż więcej
Źródło:: Ionics: International Journal of Ionics – The Science and Technology of Ionic Motion. 30(3):1785-1793

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Numerical Investigation of Zero-Dimensional Freestanding Nanowire FER-AlGaN/GaN HEMTs for Low-Power Applications
Autorzy:: Raj Kumar, S.Aff1, IDs13369023083882_cor1
Balamurugan, N. B.
Suguna, M.
Sriram Kumar, D.; Pokaż więcej
Źródło:: Arabian Journal for Science and Engineering. :1-12

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Investigation of Double RESURF P-GaN Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Partial N-GaN Channels
Autorzy:: Li, Huan
Bai, ZhiyuanAff1, Aff2, IDs11664024109870_cor2
Yang, Lian; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. 53(5):2562-2572

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: A comparative study of AlGaN and BAlGaN based ultraviolet quantum well-based light emitting diodes
Autorzy:: Dhivyasri, G.Aff1, IDs1108202306270x_cor1
Manikandan, M.
Ajayan, J.
Sreejith, S.
Remya, R.
Nirmal, D.; Pokaż więcej
Źródło:: Optical and Quantum Electronics. 56(4)

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Performance enhancement of InGaN based near ultraviolet LEDs with asymmetric staggered quantum wells
Autorzy:: Xu, Chaozhi
Cai, LieAff1, IDs11082023057148_cor2
Chen, Zhichao
Lin, Haoxiang
Niu, Kai
Cheng, Zai-Jun
Sun, Dong
Zhao, MingJie; Pokaż więcej
Źródło:: Optical and Quantum Electronics. 56(2)

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Nano-indentation study of dislocation evolution in GaN-based laser diodes
Autorzy:: Jingjing Chen
Xujun Su
Guobing Wang
Mutong Niu
Xinran Li
Ke Xu; Pokaż więcej
Temat:: GaN
Dislocation slip system
AlGaN
InGaN
Materials of engineering and construction. Mechanics of materials
TA401-492
Źródło:: Discover Nano, Vol 19, Iss 1, Pp 1-7 (2024)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://doaj.org/toc/2731-9229
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/1a016f3b82bb416cbdd1ab13ccfbaabf Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Investigations on In₀.₁₂Al₀.₈₈N/AlN/AlₓGa₁−ₓN/In₀.₁₂Al₀.₈₈N MOS-HFETs With Symmetrically-Graded Wide-Gap Channel and Drain Field-Plate Design
Autorzy:: Jian-Hong Ke
Ching-Sung Lee
Han-Yin Liu
Jung-Hui Tsai
Wei-Chou Hsu; Pokaż więcej
Temat:: Symmetrically-graded channel
wide-gap AlGaN channel
InAlN back-barrier
MOS-HFET
Al₂O₃
ultrasonic spray pyrolysis deposition
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Access, Vol 12, Pp 50177-50183 (2024)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/10488413/; https://doaj.org/toc/2169-3536
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/6fb213d6d9ba4f258f3b1441c4e031e3 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Improvement of AlGaN/GaN HEMT Noise Figure Using Thick Cu Metallization for Satellite Communication Applications
Autorzy:: Howie Tseng
Yueh-Chin Lin
Chieh Cheng
Po-Wei Chen
Heng-Tung Hsu
Yi-Fan Tsao
Edward Yi Chang; Pokaż więcej
Temat:: AlGaN/GaN HEMTs on SiC
Cu metallization
minimum noise figure
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 268-274 (2024)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/10478115/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/82a72b4f519240c1b0f2654aa4860ff0 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Analytical Modeling of Depletion-Mode MOSHEMT Device for High- Temperature Applications
Autorzy:: Naeemul Islam
Mohamed Fauzi Packeer Mohamed
Norhawati Ahmad
Muammar Mohamad Isa
Alhan Farhanah Abd Rahim
Khaled Ahmeda; Pokaż więcej
Temat:: AlGaN
GaN
MOSHEMT
2DEG
wide-bandgap
semiconductor device
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Access, Vol 12, Pp 36447-36456 (2024)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/10460543/; https://doaj.org/toc/2169-3536
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/67c82442aac946c19b0d01e74a8e4d0f Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Modeling of the Gate Bias-Dependent Velocity–Field Relationship and Physics-Based Current-Voltage Characteristics in AlGaN/GaN HFETs
Autorzy:: Mingyan Wang
Yuanjie Lv
Heng Zhou
Peng Cui
Zhaojun Lin; Pokaż więcej
Temat:: Monte Carlo
compact model
velocity-field relationship
AlGaN/GaN HFETs
polarization Coulomb field scattering
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Access, Vol 12, Pp 16989-16998 (2024)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/10401224/; https://doaj.org/toc/2169-3536
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/f0f3459fbeaa415eaa9c4a843fc3e325 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: O2 Plasma Alternately Treated ALD-Al2O3 as Gate Dielectric for High Performance AlGaN/GaN MIS-HEMTs
Autorzy:: Qiang Wang
Maolin Pan
Penghao Zhang
Luyu Wang
Yannan Yang
Xinling Xie
Hai Huang
Xin Hu
Min Xu; Pokaż więcej
Temat:: AlGaN/GaN MIS-HEMTs
border traps
current collapse
plasma alternately treated gate dielectric
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Access, Vol 12, Pp 16089-16094 (2024)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/10375390/; https://doaj.org/toc/2169-3536
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/04e1f1e0df6d4795934cd79e7a46f822 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Enhancing GaN/AlGaN MQW Micro LED Optical and Electrical Performance with a Non-uniform LQB
Autorzy:: Mohamed, HassaniAff1, Aff2
Sengouga, NouredineAff1, Aff3, IDs42341023004673_cor2
Meftah, AfakAff1, Aff3; Pokaż więcej
Źródło:: Transactions on Electrical and Electronic Materials. 24(5):469-478

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Sensing metrics of a dual-cavity single-gate MOSHEMT
Autorzy:: Dastidar, AnanyaAff1, IDs40042023008859_cor1
Patra, Tapas Kumar
Mohapatra, Sushanta Kumar
Braim, Mona
Alodhayb, Abdullah N.Aff5, IDs40042023008859_cor5; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of the Korean Physical Society. 83(6):490-498

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Nanoindentation of AlGaN Films Formed on SiC/Si Substrates Grown by the Method of Coordinated Substitution of Atoms
Autorzy:: Grashchenko, A. S.Aff1, IDS0025654423700164_cor1
Kukushkin, S. A.Aff1, IDS0025654423700164_cor2
Osipov, A. V.
Sharofidinov, Sh. Sh.; Pokaż więcej
Źródło:: Mechanics of Solids. 58(4):1089-1097

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Design of High Baliga’s Figure-of-Merit P-GaN Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with P-AlGaN Field Plates
Autorzy:: Bai, ZhiyuanAff1, IDs1166402310378x_cor1
Chai, Song
Zhao, Chenchen
Wang, LiweiAff1, Aff3; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. 52(6):3892-3902

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Influence of Displacement Damage Effect on AlGaN/GaN HEMT Devices
Autorzy:: CHEN Baiwei1,2;SUN Changhao1,2;MA Teng2;SONG Hongjia1;WANG Jinbin1;PENG Chao2;ZHANG Zhangang2;LEI Zhifeng2;LIANG Chaohui2,*;ZHONG Xiangli1,; Pokaż więcej
Temat:: algan/gan hemt
proton irradiation
neutron irradiation
displacement damage
Nuclear engineering. Atomic power
TK9001-9401
Nuclear and particle physics. Atomic energy. Radioactivity
QC770-798
Źródło:: Yuanzineng kexue jishu, Vol 57, Iss 12, Pp 2274-2280 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://doaj.org/toc/1000-6931
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/490e42bf59714803b3c7962688f07cd8 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Enhanced Performance of Metal‐Semiconductor‐Metal UV Photodetectors on Algan/Gan Hemt Structure via Periodic Nanohole Patterning
Autorzy:: Ahmed S. Razeen
Dharmraj Kotekar‐Patil
Mengting Jiang
Eric X. Tang
Gao Yuan
Jesper Ong
Viet C. Wyen
K. Radhakrishnan
Sudhiranjan Tripathy; Pokaż więcej
Temat:: AlGaN/GaN HEMT
MSM
nanoholes
nanophotonics
UV Photodetectors
Physics
QC1-999
Technology
Źródło:: Advanced Materials Interfaces, Vol 11, Iss 9, Pp n/a-n/a (2024)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://doaj.org/toc/2196-7350
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/6f4ebe9ff02942e78accfb04cca34f2c Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: A lateral AlGaN/GaN Schottky barrier diode with 0.36-V turn-on voltage and 10-kV breakdown voltage by using double-barrier anode structure
Autorzy:: Ru Xu
Peng Chen
Xiancheng Liu
Jianguo Zhao
Tinggang Zhu
Dunjun Chen
Zili Xie
Jiandong Ye
Xiangqian Xiu
Fayu Wan
Jianhua Chang
Rong Zhang
Youdou Zheng; Pokaż więcej
Temat:: AlGaN/GaN Schottky barrier diode
Double-barrier anode
Turn-on voltage
Ultra-high-voltage
Information technology
T58.5-58.64
Źródło:: Chip, Vol 3, Iss 1, Pp 100079- (2024)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2709472323000424; https://doaj.org/toc/2709-4723
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/184b0a5faca8417593d4349b32f97d1e Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Boosted high-temperature electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with rationally designed compositionally graded AlGaN back barriers
Autorzy:: Zhang, Haochen
Sun, Yue
Hu, Kunpeng
Yang, Lei
Liang, Kun
Xing, Zhanyong
Wang, Hu
Zhang, Mingshuo
Yu, Huabin
Fang, Shi
Kang, Yang
Sun, HaidingAff1, IDs1143202236944_cor12; Pokaż więcej
Źródło:: Science China Information Sciences. 66(8)

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""AlGaN"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji