Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""AlGaN"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
Structural and optical impacts of AlGaN undershells on coaxial GaInN/GaN multiple-quantum-shells nanowires
Autorzy :
Lu Weifang
Terazawa Mizuki
Han Dong-Pyo
Sone Naoki
Goto Nanami
Iida Kazuyoshi
Murakami Hedeki
Iwaya Motoaki
Tekeuchi Tetsuya
Kamiyama Satoshi
Akasaki Isamu
Pokaż więcej
Temat :
algan undershell
point defect diffusion
internal quantum efficiency (iqe)
nanowires (nws)
gainn/gan mqs
Physics
QC1-999
Źródło :
Nanophotonics, Vol 9, Iss 1, Pp 101-111 (2019)
Tytuł :
Evolution of Scintillation and Electrical Characteristics of AlGaN Double-Response Sensors During Proton Irradiation
Autorzy :
Tomas Ceponis
Kazimieras Badokas
Laimonas Deveikis
Jevgenij Pavlov
Vytautas Rumbauskas
Vitalij Kovalevskij
Sandra Stanionyte
Gintautas Tamulaitis
Eugenijus Gaubas
Pokaż więcej
Temat :
AlGaN
radiation defects
dosimetry
GaN
TP1-1185
proton induced luminescence
scintillation characteristics
Chemical technology
electrical characteristics
Article
Źródło :
Sensors, Vol 19, Iss 15, p 3388 (2019)
Sensors (Basel, Switzerland)
Sensors, Basel : MDPI AG, 2019, vol. 19, iss. 15, art. no. 3388, p. 1-11
Opis pliku :
application/pdf
Tytuł :
Effects of Meshed p-type Contact Structure on the Light Extraction Effect for Deep Ultraviolet Flip-Chip Light-Emitting Diodes
Autorzy :
Zhang, Yonghui
Zheng, Yuxin
Zhang, Ji
Sun, Ce
Chu, Chunshuang
Tian, Kangkai
Zhang, Zi-Hui
Bi, Wengang
Pokaż więcej
Temat :
Light extraction efficiency
AlGaN
TA401-492
p-type contact
Materials of engineering and construction. Mechanics of materials
Nano Express
Ultraviolet light-emitting diode
Finite-difference time-domain method
Źródło :
Nanoscale Research Letters
Nanoscale Research Letters, Vol 14, Iss 1, Pp 1-9 (2019)
Tytuł :
Low-Frequency Noise Characteristics of GaN Nanowire Gate-All-Around Transistors With/Without 2-DEG Channel
Autorzy :
Im, Ki-Sik
Reddy, M. Siva Pratap
Caulmilone, Raphaël
Theodorou, Christoforos
Ghibaudo, Gérard
Cristoloveanu, Sorin
Lee, Jung-Hee
Pokaż więcej
Temat :
nanowire
2-D electron gas (2-DEG)
AlGaN/GaN
carrier number fluctuation (CNF)
correlated mobility fluctuation (CMF)
gate-all-around (GAA)
low-frequency noise (LFN)
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
[SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019, 66 (3), pp.1243 - 1248. ⟨10.1109/TED.2019.2894806⟩
Tytuł :
Normally-on / normally-off integrated operation on GaN HEMT technology for power and microwave applications
Fonction normally-on, normally-off compatible de la technologie HEMT GaN pour des applications de puissance, hyperfréquences
Autorzy :
Trinh Xuan, Linh
Pokaż więcej
Temat :
D-mode
InAlN
AlGaN
State-of-the-art
Simulation
Processing
Characterization
Trapping effects
Normally-off
Normally-on
Monolithic integration
HEMT GaN
E-mode
Intégration monolithique
État de l’art
Fabrication
Caractérisation
Effets de pièges
[SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Źródło :
Electronique. Université de Limoges, 2018. Français. ⟨NNT : 2018LIMO0106⟩
Tytuł :
Influence of Quantum-Well Number and an AlN Electron Blocking Layer on the Electroluminescence Properties of AlGaN Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes
Autorzy :
Shuxin Tan
Jicai Zhang
Takashi Egawa
Gang Chen
Pokaż więcej
Temat :
AlGaN
Chemistry
QD1-999
Engineering (General). Civil engineering (General)
Technology
QH301-705.5
TA1-2040
electroluminescence
electron overflow
deep ultraviolet light-emitting diodes
Physics
electron blocking layer
QC1-999
Biology (General)
Źródło :
Applied Sciences, Vol 8, Iss 12, p 2402 (2018)
Opis pliku :
application/pdf
Tytuł :
Evaluation de la fiabilité des HEMTs GaN sur substrat silicium à grille ultra-courte dédiés aux applications de puissance à f > 40 GHz
Autorzy :
Lakhdhar , Hadhemi
Pokaż więcej
Temat :
Aire de sécurité de fonction
DC step stress
Grille ultra-courte
[ SPI.OTHER ] Engineering Sciences [physics]/Other
HEMT AlGaN/GaN
Fiabilité
Reliability
AlGaN/GaN HEMT
[SPI.OTHER]Engineering Sciences [physics]/Other
Safe Operating Area
Vieillissement accéléré DC
Ultra-short gate
Źródło :
Other. Université de Bordeaux, 2017. English. 〈NNT : 2017BORD0941〉
Other. Université de Bordeaux, 2017. English. ⟨NNT : 2017BORD0941⟩
Tytuł :
Structural and Stress Properties of AlGaN Epilayers Grown on AlN-Nanopatterned Sapphire Templates by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Autorzy :
Tasi, Chi-Tsung
Wang, Wei-Kai
Ou, Sin-Liang
Huang, Shih-Yung
Horng, Ray-Hua
Wuu, Dong-Sing
Pokaż więcej
Temat :
AlGaN
Chemistry
stress
hydride vapor phase epitaxy
QD1-999
nanopatterned sapphire substrate
transmission electron microscopy
Article
Źródło :
Nanomaterials, Vol 8, Iss 9, p 704 (2018)
Opis pliku :
application/pdf
Tytuł :
Design of a new generation of Gallium Nitride Schottky power rectifier, study, simulation and realization of a demonstrator
Conception d’une nouvelle génération de redresseur Schottky de puissance en Nitrure de Gallium (GaN), étude, simulation et réalisation d’un démonstrateur
Autorzy :
Souguir-Aouani, Amira
Pokaż więcej
Temat :
High-Electron-Mobility transistor - HEMT
AlGaN/GaN heterojonction
GaN-On-Silicon
Schottky Rectifier
Gallium nitride
Power Devices
Power Electronics
Electronique de puissance
Dispositif de puissance
Transistor High-Electron-Mobility (HEMT)
Hétérojonction AlGaN/GaN
Couche épitaxiées de GaN sur substrat silicium
Redresseur Schottky
[SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Źródło :
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEI093⟩
Tytuł :
Synthesis and Application of Oxide for Gallium Nitride Electron Devices
酸化物の合成と窒化ガリウム電子デバイスへの応用
酸化膜の合成と窒化ガリウム電子デバイスへの応用
Autorzy :
Zhang, Tong
Pokaż więcej
Temat :
AlGaN/GaN
HFETs
NiO
HfOxNy
Tytuł :
Control of Buffer-Induced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs Using SiNx Deposition
Autorzy :
Waller, William M.
Gajda, Mark
Pandey, Saurabh
Donkers, Johan J.T.M.
Calton, David
Croon, Jeroen
Sonsky, Jan
Uren, Michael J.
Kuball, Martin
Pokaż więcej
Temat :
CDTR
AlGaN/GaN
buffer trapping
high-electron mobility transistor (HEMT)
passivation
Źródło :
Waller, W M, Gajda, M, Pandey, S, Donkers, J J T M, Calton, D, Croon, J, Sonsky, J, Uren, M J & Kuball, M 2017, ' Control of Buffer-Induced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs Using SiN x Deposition ', IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 64, no. 10, 8013764, pp. 4044-4049 . https://doi.org/10.1109/TED.2017.2738669
Opis pliku :
application/pdf
Tytuł :
Comparison for 1/ f Noise Characteristics of AlGaN/GaN FinFET and Planar MISHFET
Autorzy :
Vodapally, Sindhuri
Theodorou, Christoforos
Bae, Youngho
Ghibaudo, Gérard
Cristoloveanu, Sorin
Im, Ki-Sik
Lee, Jung-Hee
Pokaż więcej
Temat :
1/fnoise
2-D electron gas (2-DEG)
AlGaN/GaN
fin-shaped field-effect transistor (FinFET)
G-R noise
metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect-transistor (MISHFET)
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2017, 64 (9), pp.3634-3638. ⟨10.1109/TED.2017.2730919⟩

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies