Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""AlGaN"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
A Study on the Optimized Ohmic Contact Process of AlGaN/GaN-Si MIS-HEMTs
Autorzy :
He Guan
Guiyu Shen
Bo Gao
Hao Zhang
Yucheng Wang
Shaoxi Wang
Pokaż więcej
Temat :
AlGaN/GaN HEMT
Ohmic contact process
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło :
IEEE Access, Vol 9, Pp 9855-9863 (2021)
Opis pliku :
electronic resource
Relacje :
https://ieeexplore.ieee.org/document/9314701/; https://doaj.org/toc/2169-3536
Dostęp URL :
https://doaj.org/article/54f7444cbe9f4d789627f09f1c2e129a
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Decomposition and modeling of signal shapes of single point cardiac monitoring
Autorzy :
Eyvazi Hesar Milad
Madhat Munief Walid
Müller Achim
Ponon Nikhil
Ingebrandt Sven
Pokaż więcej
Temat :
hodrick-prescott decomposition
arima
stl
signal decomposition
algan/gan hemt
Medicine
Źródło :
Current Directions in Biomedical Engineering, Vol 6, Iss 3, Pp 583-586 (2020)
Opis pliku :
electronic resource
Relacje :
http://www.degruyter.com/view/j/cdbme.2020.6.issue-3/cdbme-2020-3149/cdbme-2020-3149.xml?format=INT; https://doaj.org/toc/2364-5504
Dostęp URL :
https://doaj.org/article/6fc71aca0ab0406f9c2b287bc250bd16
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Thermal Field Analysis for New AlGaN/GaN HEMT With Partial Etched AlGaN Layer
Autorzy :
Baoxing Duan
Luoyun Yang
Hao Wu
Yintang Yang
Pokaż więcej
Temat :
Temperature field
AlGaN/GaN HEMT
raman spectroscopy
thermal stability
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło :
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 442-447 (2020)
Opis pliku :
electronic resource
Relacje :
https://ieeexplore.ieee.org/document/9060952/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL :
https://doaj.org/article/f4dc2a3a4bf44053841034e165826c6e
Czasopismo naukowe
Tytuł :
The Study of the Single Event Effect in AlGaN/GaN HEMT Based on a Cascode Structure
Autorzy :
Yanan Liang
Rui Chen
Jianwei Han
Xuan Wang
Qian Chen
Han Yang
Pokaż więcej
Temat :
AlGaN/GaN HEMT
cascode structure
single event effects
technology computer-aided design simulation
heavy-ion irradiation experiment
Electronics
TK7800-8360
Źródło :
Electronics, Vol 10, Iss 440, p 440 (2021)
Opis pliku :
electronic resource
Relacje :
https://www.mdpi.com/2079-9292/10/4/440; https://doaj.org/toc/2079-9292
Dostęp URL :
https://doaj.org/article/9bb1c4d0c89943b3ab7ff8564a4fa6f4
Czasopismo naukowe
Tytuł :
High Breakdown Voltage and Low Dynamic ON-Resistance AlGaN/GaN HEMT with Fluorine Ion Implantation in SiNx Passivation Layer
Autorzy :
Chao Yang
Xiaorong Luo
Tao Sun
Anbang Zhang
Dongfa Ouyang
Siyu Deng
Jie Wei
Bo Zhang
Pokaż więcej
Temat :
AlGaN/GaN HEMT
Fluorine ion implantation
SiNx passivation layer
Breakdown voltage
Dynamic ON-resistance
Materials of engineering and construction. Mechanics of materials
TA401-492
Źródło :
Nanoscale Research Letters, Vol 14, Iss 1, Pp 1-6 (2019)
Opis pliku :
electronic resource
Relacje :
http://link.springer.com/article/10.1186/s11671-019-3025-8; https://doaj.org/toc/1931-7573; https://doaj.org/toc/1556-276X
Dostęp URL :
https://doaj.org/article/38d1c512fdc94e3182c620ebc5275fb4
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Dynamic Control of AlGaN/GaN HEMT Characteristics by Implementation of a p-GaN Body-Diode-Based Back-Gate
Autorzy :
Isra Mahaboob
Michael Yakimov
Kasey Hogan
Emma Rocco
Sean Tozier
F. Shahedipour-Sandvik
Pokaż więcej
Temat :
AlGaN/GaN HEMT
dynamic body-biasing
body-diode
back-gate
threshold voltage shift
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło :
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 581-588 (2019)
Opis pliku :
electronic resource
Relacje :
https://ieeexplore.ieee.org/document/8707067/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL :
https://doaj.org/article/d9b2a485f82144329c8cea92cf47059b
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Investigation on the Activation Energy of Device Degradation and Switching Time in AlGaN/GaN HEMTs for High-Frequency Application
Autorzy :
Jianming Lei
Rui Wang
Guo Yang
Jin Wang
Dunjun Chen
Hai Lu
Rong Zhang
Youdou Zheng
Pokaż więcej
Temat :
AlGaN/GaN HEMT
activation energy
dynamic on-resistance
switching time
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło :
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 417-424 (2019)
Opis pliku :
electronic resource
Relacje :
https://ieeexplore.ieee.org/document/8671692/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL :
https://doaj.org/article/4d70049b4fca48acb4b6843b84d54b15
Czasopismo naukowe
Tytuł :
A General Dimension Reduction Method for the Dispersion Modeling of Semiconductor Devices
Autorzy :
An-Dong Huang
Zheng Zhong
Yong-Xin Guo
Wen Wu
Pokaż więcej
Temat :
Dimension reduction
Taylor expansion
empirical model
semiconductor devices
AlGaN/GaN HEMT
LDMOS
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło :
IEEE Access, Vol 6, Pp 39422-39434 (2018)
Opis pliku :
electronic resource
Relacje :
https://ieeexplore.ieee.org/document/8409953/; https://doaj.org/toc/2169-3536
Dostęp URL :
https://doaj.org/article/921bccaa41b24604985ddf753b1f0d16
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies