Temat: "AlGaN" - OpacWWW - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Numerical Investigation of Zero-Dimensional Freestanding Nanowire FER-AlGaN/GaN HEMTs for Low-Power Applications
Autorzy:: Raj Kumar, S.Aff1, IDs13369023083882_cor1
Balamurugan, N. B.
Suguna, M.
Sriram Kumar, D.; Pokaż więcej
Źródło:: Arabian Journal for Science and Engineering. 49(5):7197-7208

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Research on a High-Threshold-Voltage AlGaN/GaN HEMT with P-GaN Cap and Recessed Gate in Combination with Graded AlGaN Barrier Layer
Autorzy:: Chen, Zhichao
Cai, LieAff1, IDs11664024109683_cor2
Niu, Kai
Xu, Chaozhi
Lin, Haoxiang
Ren, Pengpeng
Sun, Dong
Lin, Haifeng; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. 53(5):2533-2543

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Enhanced Performance of Metal‐Semiconductor‐Metal UV Photodetectors on Algan/Gan Hemt Structure via Periodic Nanohole Patterning
Autorzy:: Ahmed S. Razeen
Dharmraj Kotekar‐Patil
Mengting Jiang
Eric X. Tang
Gao Yuan
Jesper Ong
Viet C. Wyen
K. Radhakrishnan
Sudhiranjan Tripathy; Pokaż więcej
Temat:: AlGaN/GaN HEMT
MSM
nanoholes
nanophotonics
UV Photodetectors
Physics
QC1-999
Technology
Źródło:: Advanced Materials Interfaces, Vol 11, Iss 9, Pp n/a-n/a (2024)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://doaj.org/toc/2196-7350
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/6f4ebe9ff02942e78accfb04cca34f2c Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Study on the Hydrogen Effect and Interface/Border Traps of a Depletion-Mode AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor with a SiNx Gate Dielectric at Different Temperatures
Autorzy:: Dongsheng Zhao
Liang He
Lijuan Wu
Qingzhong Xiao
Chang Liu
Yuan Chen
Zhiyuan He
Deqiang Yang
Mingen Lv
Zijun Cheng; Pokaż więcej
Temat:: SiNx
AlGaN/GaN HEMT
hydrogen
interface trap
border trap
Mechanical engineering and machinery
TJ1-1570
Źródło:: Micromachines, Vol 15, Iss 2, p 171 (2024)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.mdpi.com/2072-666X/15/2/171; https://doaj.org/toc/2072-666X
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/4d372f352d06427b80aced007e4622d2 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: A systematic study on the efficacy of low-temperature GaN regrown on p-GaN to suppress Mg out-diffusion
Autorzy:: Kwang Jae Lee
Xinyi Wen
Yusuke Nakazato
Jaeyi Chun
Maliha Noshin
Chuanzhe Meng
Srabanti Chowdhury; Pokaż więcej
Temat:: pulsed low-temperature growth
Mg diffusion
MOCVD thin-film growth
AlGaN/GaN HEMT
power electronics
Technology
Źródło:: Frontiers in Materials, Vol 10 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.frontiersin.org/articles/10.3389/fmats.2023.1229036/full; https://doaj.org/toc/2296-8016
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/ad6b0a812fda4f18af3e748be1d9a132 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Influence of Displacement Damage Effect on AlGaN/GaN HEMT Devices
Autorzy:: CHEN Baiwei1,2;SUN Changhao1,2;MA Teng2;SONG Hongjia1;WANG Jinbin1;PENG Chao2;ZHANG Zhangang2;LEI Zhifeng2;LIANG Chaohui2,*;ZHONG Xiangli1,; Pokaż więcej
Temat:: algan/gan hemt
proton irradiation
neutron irradiation
displacement damage
Nuclear engineering. Atomic power
TK9001-9401
Nuclear and particle physics. Atomic energy. Radioactivity
QC770-798
Źródło:: Yuanzineng kexue jishu, Vol 57, Iss 12, Pp 2274-2280 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://doaj.org/toc/1000-6931
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/490e42bf59714803b3c7962688f07cd8 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Impact of barrier layer thickness on DC and RF performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Autorzy:: Anand, AnupamaAff1, Aff3
Sehra, Khushwant
ChanchalAff1, Aff3
Reeta
Narang, Rakhi
Rawal, D. S.
Mishra, M.
Saxena, Manoj
Gupta, MridulaAff1, IDs0033902306803x_cor9; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. 129(8)

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""AlGaN"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język