- Tytuł:
- Deep levels in ion implanted n-type homoepitaxial GaN: Ion mass, tilt angle and dose dependence
- Autorzy:
- Źródło:
- In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 1 March 2021 490:39-42
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.