Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Amorphous InGaZnO"" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-20 z 115
Tytuł:
A Performance Optimized Operational Amplifier Using Transconductance Enhancement Topology Based on a-IGZO TFTs
Autorzy:
Fanzhao Meng
Yi Li
Jun Li
Jie Liang
Jianhua Zhang
Pokaż więcej
Temat:
Amorphous InGaZnO (a-IGZO)
thin film transistors (TFTs)
N₂O plasma treatment
operational amplifier (OPAMP)
positive feedback
transconductance enhancement topology
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 159-164 (2024)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/10438721/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/ec66fa3d8b8c4dc88f9d973f9034bcef  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
3‐Masks‐Processed Sub‐100 nm Amorphous InGaZnO Thin‐Film Transistors for Monolithic 3D Capacitor‐Less Dynamic Random Access Memories
Autorzy:
Yuqing Zhang
Jiye Li
Jinxiong Li
Tengyan Huang
Yuhang Guan
Yuhan Zhang
Huan Yang
Mansun Chan
Xinwei Wang
Lei Lu
Shengdong Zhang
Pokaż więcej
Temat:
amorphous InGaZnO
atomic layer deposited AlOx
self‐aligned top‐gate
sub‐100 nm
thin‐film transistors
embedded dynamic RAM
Electric apparatus and materials. Electric circuits. Electric networks
TK452-454.4
Physics
QC1-999
Źródło:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 8, Pp n/a-n/a (2023)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://doaj.org/toc/2199-160X
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/e6dae85452894ecd8e90341de5af25e2  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Current Boosting of Self‐Aligned Top‐Gate Amorphous InGaZnO Thin‐Film Transistors under Driving Conditions
Autorzy:
Jingyu Park
Sungju Choi
Changwook Kim
Hong Jae Shin
Yun Sik Jeong
Jong Uk Bae
Chang Ho Oh
Saeroonter Oh
Dae Hwan Kim
Pokaż więcej
Temat:
amorphous InGaZnO
current boosting
driver
oxide semiconductors
self‐aligned
thin‐film transistors
Electric apparatus and materials. Electric circuits. Electric networks
TK452-454.4
Physics
QC1-999
Źródło:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 3, Pp n/a-n/a (2023)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://doaj.org/toc/2199-160X
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/30fa34988ed240b281ac3543a2c7655a  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Improved Performance of InGaZnO Thin-Film Transistor With Ti Incorporation Into La2O3 Gate Dielectric
Autorzy:
J. Q. Song
Y. Q. Yu
K. L. Zheng
Y. T. Su
Pokaż więcej
Temat:
Amorphous InGaZnO (a-IGZO)
thin-film transistor (TFT)
La2O3
high-k dielectric
Ti incorporation
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 814-819 (2021)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9536240/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/47e255052609415ebf5a56e3181de9e5  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Atmosphere Effect in Post-Annealing Treatments for Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors with SiOx Passivation Layers
Autorzy:
Wen Zhang
Zenghui Fan
Ao Shen
Chengyuan Dong
Pokaż więcej
Temat:
amorphous InGaZnO (a-IGZO)
thin-film transistor (TFT)
positive bias stress (PBS)
annealing atmosphere
oxygen vacancy
Mechanical engineering and machinery
TJ1-1570
Źródło:
Micromachines, Vol 12, Iss 12, p 1551 (2021)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://www.mdpi.com/2072-666X/12/12/1551; https://doaj.org/toc/2072-666X
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/b7643e59748d4de4a7e9b7047f91e498  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
A threshold voltage and drain current model for symmetric dual-gate amorphous InGaZnO thin film transistors
Autorzy:
Cai, Minxi
Yao, Ruohe
Pokaż więcej
Źródło:
Science China Information Sciences. February 2018 61(2):1-10
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Influence of Passivation Layers on Positive Gate Bias-Stress Stability of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors
Autorzy:
Yan Zhou
Chengyuan Dong
Pokaż więcej
Temat:
amorphous InGaZnO (a-IGZO)
thin-film transistor (TFT)
positive gate bias stress (PGBS)
passivation layer
characteristic length
Mechanical engineering and machinery
TJ1-1570
Źródło:
Micromachines, Vol 9, Iss 11, p 603 (2018)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://www.mdpi.com/2072-666X/9/11/603; https://doaj.org/toc/2072-666X
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/750147b64d5f410994ed84a60422816e  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Wyświetlanie 1-20 z 115

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies