Autor: "Arivazhagan, L." - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Arivazhagan, L."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-20 z 115

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Optimization of Design Space Parameters in Tunnel Fet for Analog/Mixed Signal Application
Autorzy:: Jeyanthi, J. E.Aff1, IDs12633021015916_cor1
Samuel, T. S. Arun
Arivazhagan, L.; Pokaż więcej
Źródło:: Silicon. 14(13):8233-8241

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Applicability of double Channel Technique in AlGaN/GaN HEMT for future biosensing applications
Autorzy:: Arivazhagan, L.
Nirmal, D.
Jarndal, Anwar
Huq, Hasina F.
Chander, Subhash
Bhagyalakshmi, S.
Reddy, Pavan Kumar
Ajayan, J.
Varghese, Arathy; Pokaż więcej
Źródło:: In Superlattices and Microstructures December 2021 160

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Current collapse degradation in GaN High Electron Mobility Transistor by virtual gate
Autorzy:: Godfrey, D.
Nirmal, D.
Arivazhagan, L.
Godwinraj, D.
Mohan Kumar, N.
Chen, Yulin
Yeh, Wenkuan; Pokaż więcej
Źródło:: In Microelectronics Journal December 2021 118

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Nanosheet field effect transistors-A next generation device to keep Moore's law alive: An intensive study
Autorzy:: Ajayan, J.
Nirmal, D.
Tayal, Shubham
Bhattacharya, Sandip
Arivazhagan, L.
Fletcher, A.S. Augustine
Murugapandiyan, P.
Ajitha, D.; Pokaż więcej
Źródło:: In Microelectronics Journal August 2021 114

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Highly scaled graded channel GaN HEMT with peak drain current of 2.48 A/mm
Autorzy:: Husna Hamza, K.
Nirmal, D.
Augustine Fletcher, A.S.
Arivazhagan, L.
Ajayan, J.
Natarajan, Ramkumar; Pokaż więcej
Źródło:: In AEUE - International Journal of Electronics and Communications July 2021 136

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: 60 GHz Double Deck T-Gate AlN/GaN/AlGaN HEMT for V-Band Satellites
Autorzy:: Fletcher, A. S. Augustine
Nirmal, D.Aff1, IDs1263302101367y_cor2
Ajayan, J.
Arivazhagan, L.
Hamza, K. Husna
Murugapandiyan, P.; Pokaż więcej
Źródło:: Silicon. 14(11):5941-5949

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Intensive Study of Field-Plated AlGaN/GaN HEMT on Silicon Substrate for High Power RF Applications
Autorzy:: Kumar, J. S. Raj
Nirmal, D.Aff1, IDs1263302101199w_cor2
Hooda, Manish Kumar
Singh, Surinder
Ajayan, J.
Arivazhagan, L.; Pokaż więcej
Źródło:: Silicon. 14(8):4277-4282

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: A 28-GHz Low-Loss AlGaN/GaN HEMT for TX/RX Switches in 5G Base Stations
Autorzy:: Fletcher, A. S. Augustine
Nirmal, D.Aff1, IDs11664021093679_cor2
Arivazhagan, L.
Ajayan, J.
Raj, Merlin Gilbert
Hamza, K. Husna
Murugapandiyan, P.
Natarajan, Ramkumar; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. 51(3):1215-1225

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: A review of photovoltaic performance of organic/inorganic solar cells for future renewable and sustainable energy technologies
Autorzy:: Ajayan, J.
Nirmal, D.
Mohankumar, P.
Saravanan, M.
Jagadesh, M.
Arivazhagan, L.; Pokaż więcej
Źródło:: In Superlattices and Microstructures July 2020 143

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: A novel ZnPc nanorod derived piezoelectric nanogenerator for energy harvesting
Autorzy:: Godfrey, D.
Nirmal, D.
Arivazhagan, L.
Rathes Kannan, R.
Issac Nelson, P.
Rajesh, S.
Vidhya, B.
Mohankumar, N.; Pokaż więcej
Źródło:: In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures April 2020 118

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Impact of AlGaN Barrier Thickness and Substrate Material on the Noise Characteristics of GaN HEMT
Autorzy:: Anwar Jarndal
Arivazhagan L
Eqab Almajali
Sohaib Majzoub
Talal Bonny
Soliman Mahmoud; Pokaż więcej
Temat:: LNA
AlGaN barrier
substrate leakage
noise figure
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 696-705 (2022)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/9863239/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/6496aa6416074e868bf1fe4794700459 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: A review of blue light emitting diodes for future solid state lighting and visible light communication applications
Autorzy:: Manikandan, M.
Nirmal, D.
Ajayan, J.
Mohankumar, P.
Prajoon, P.
Arivazhagan, L.; Pokaż więcej
Źródło:: In Superlattices and Microstructures December 2019 136

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: GaAs metamorphic high electron mobility transistors for future deep space-biomedical-millitary and communication system applications: A review
Autorzy:: Ajayan, J.
Nirmal, D.
Mohankumar, P.
Kuriyan, Dheena
Fletcher, A.S. Augustine
Arivazhagan, L.
Kumar, B. Santhosh; Pokaż więcej
Źródło:: In Microelectronics Journal October 2019 92

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Improved RF and DC performance in AlGaN/GaN HEMT by P-type doping in GaN buffer for millimetre-wave applications
Autorzy:: Arivazhagan, L.
Nirmal, D.
Godfrey, D.
Ajayan, J.
Prajoon, P.
Augustine Fletcher, A.S.
Amir Anton Jone, A.
Raj Kumar, J.S.; Pokaż więcej
Źródło:: In AEUE - International Journal of Electronics and Communications August 2019 108:189-194

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: A Numerical Investigation of Heat Suppression in HEMT for Power Electronics Application
Autorzy:: Arivazhagan, L.
Nirmal, D.
Reddy, P. Pavan Kumar
Ajayan, J.
Godfrey, D.
Prajoon, P.
Ray, Ashok; Pokaż więcej
Źródło:: Silicon. 13(9):3039-3046

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Analysis of AlGaN/GaN HEMT using discrete field plate technique for high power and high frequency applications
Autorzy:: Augustine Fletcher, A.S.
Nirmal, D.
Ajayan, J.
Arivazhagan, L.; Pokaż więcej
Źródło:: In AEUE - International Journal of Electronics and Communications February 2019 99:325-330

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: An Intensive Study on Assorted Substrates Suitable for High JFOM AlGaN/GaN HEMT
Autorzy:: Fletcher, A. S. Augustine
Nirmal, D.
Ajayan, J.
Arivazhagan, L.; Pokaż więcej
Źródło:: Silicon. 13(5):1591-1598

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Physics based modeling of AlGaN/BGaN quantum well based ultra violet light emitting diodes
Autorzy:: Manikandan, M.
Nirmal, D.Aff2, IDs11082022035528_cor2
Ajayan, J.
Arivazhagan, L.
Prajoon, P.
Dhivyasri, G.
Jagadeeswari, M.; Pokaż więcej
Źródło:: Optical and Quantum Electronics. 54(3)

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: GaN HEMT on Si substrate with diamond heat spreader for high power applications
Autorzy:: Arivazhagan, L.
Jarndal, Anwar
Nirmal, D.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Computational Electronics. 20(2):873-882

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Enhancement of DC and Breakdown Performance on Single to Multi-Step Gate FP Using GaN-HEMT for High Power Applications
Autorzy:: Godfrey, D.Aff1, Aff2
Nirmal, D.
Godwinraj, D.
Arivazhagan, L.
MohanKumar, N.
Tzou, Jerry
Yeh, Wen-KuanAff1, Aff2; Pokaż więcej
Źródło:: Silicon. 13(4):1177-1183

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-20 z 115

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Arivazhagan, L."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji