Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Armiento R"" wg kryterium: Autor


Tytuł:
Exhaustive characterization of modified Si vacancies in 4H-SiC
Autorzy:
Davidsson Joel
Babar Rohit
Shafizadeh Danial
Ivanov Ivan G.
Ivády Viktor
Armiento Rickard
Abrikosov Igor A.
Pokaż więcej
Temat:
high-throughput
photoluminescence
point defects
sic
silicon vacancy
Physics
QC1-999
Źródło:
Nanophotonics, Vol 11, Iss 20, Pp 4565-4580 (2022)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://doaj.org/toc/2192-8614
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/5a37331ba55e42019c94f12e3941da70  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies