- Tytuł:
- Effect of the plasma experimental parameters on the dose and profiles of hydrogen in-diffused into the GaN/AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistor
- Autorzy:
- Źródło:
- In Materials Science & Engineering B April 2023 290
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.