- Tytuł:
- Introduction Rates of Electrically Active Radiation Defects in Proton Irradiated n-Type and p-Type Si Monocrystals
- Autorzy:
- Źródło:
- Journal of Electronic Materials. 52(12):7861-7868
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.