- Tytuł:
-
Wpływ reaktywnego trawienia jonowego wspomaganego plazmą BCl
3 na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC. (Polish ) - Autorzy:
- Temat:
-
SCANNING electron microscopes
ATOMIC force microscopy
SURFACE roughness
SEMICONDUCTOR devices
SURFACES (Technology)
SEMICONDUCTOR manufacturing - Alternatywny tytuł:
- Investigation of reactive ion etching using BCl3 plasma on the 4H-SiC surface quality. (English)
- Źródło:
- Przeglad Elektrotechniczny; 2019, Vol. 95 Issue 9, p175-177, 3p
Czasopismo naukowe