Autor: "Avrutin, V. S." - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Avrutin, V. S."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-7 z 7

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: MBE Growth of the top Layer in Si/YSZ/Si Structure
Autorzy:: Beshenkov, V. G.
Marchenko, V. S.
Znamenskii, A. G.
Vyatkin, A. F.
Avrutin, V. S.
Izyumskaya, N. F.
Soltanovich, O. A.
Akimov, A. G.
Kazanskii, L. P.; Pokaż więcej
Źródło:: Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions. 58:11-15

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Low-temperature relaxation of elastic stresses in SiGe/Si heterostructures irradiated with Ge ions
Autorzy:: Avrutin, V. S.
Agafonov, Yu. A.
Vyatkin, A. F.
Zinenko, V. I.
Izyumskaya, N. F.
Irzhak, D. V.
Roshchupkin, D. V.
Steinman, É. A.
Vdovin, V. I.
Yugova, T. G.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. March 2004 38(3):313-318

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Low-Temperature Relaxation of Elastic Stresses in SiGe/Si Heterostructures Irradiated with Ge[sup +] Ions.
Autorzy:: Avrutin, V. S.
Agafonov, Yu. A.
Vyatkin, A. F.
Zinenko, V. I.
Izyumskaya, N. F.
Irzhak, D. V.
Roshchupkin, D. V.
Steinman, É. A.
Vdovin, V. I.
Yugova, T. G.; Pokaż więcej
Temat:: HETEROSTRUCTURES
MOLECULAR beam epitaxy
EPITAXY
IONS
SILICON
PHYSICAL sciences
Źródło:: Semiconductors; Mar2004, Vol. 38 Issue 3, p313-318, 6p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Low-temperature strain relaxation in ion-irradiated pseudomorphic SiGe/Si structures
Autorzy:: Avrutin, V. S.
Izyumskaya, N. F.
Vyatkin, A. F.
Zinenko, V. I.
Agafonov, Y. A.
Irzhak, D. V.
Roshchupkin, D. V.
Steinman, E. A.
Vdovin, V. I.
Yugova, T. G.; Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology; 2002, Vol. 89 Issue: 1-3 p350-354, 5p

Periodyk

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Effect of annealing environment on antimony redistribution in pseudomorphic Si/SiGe/SiSb heterostructures
Autorzy:: Avrutin, V. S.
Barabanenkov, M. Y.
Izyumskaya, N. F.
Pustovit, A. N.
Vyatkin, A. F.
Loiko, N. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology; 2002, Vol. 89 Issue: 1-3 p229-233, 5p

Periodyk

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Silicon molecular beam epitaxial growth on ultra-small mesa structures
Autorzy:: Avrutin, V. S.
Izumskaya, N. F.
Vyatkin, A. F.
Yunkin, V. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth; 1995, Vol. 157 Issue: 1 p276-279, 4p

Periodyk

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Causes of cracking of vacuum deposited thick amorphous silicon film
Autorzy:: Avrutin, V. S.
Izumskaya, N. F.
Hartman, Y. M.
Andreeva, A. V.
Vyatkin, A. F.
Mehlik, N. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology; 1996, Vol. 39 Issue: 1 p21-24, 4p

Periodyk

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-7 z 7

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Avrutin, V. S."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język