- Tytuł:
- Investigation on the junction temperature of planar power 4H-SiC MOSFET under short circuit operation
- Autorzy:
- Źródło:
- In Microelectronics Reliability November 2022 138
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.