Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""BUFFER layers"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
Impact of pits formed in the AlN nucleation layer on buffer leakage in GaN/AlGaN high electron mobility transistor structures on Si (111).
Autorzy :
Rathkanthiwar, Shashwat (AUTHOR)
Kalra, Anisha (AUTHOR)
Remesh, Nayana (AUTHOR)
Bardhan, Abheek (AUTHOR)
Muralidharan, Rangarajan (AUTHOR)
Nath, Digbijoy N. (AUTHOR)
Raghavan, Srinivasan (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics. 6/7/2020, Vol. 127 Issue 21, p1-11. 11p. 3 Diagrams, 1 Chart, 6 Graphs.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Controlling the relaxation mechanism of low strain Si1−xGex/Si(001) layers and reducing the threading dislocation density by providing a preexisting dislocation source.
Autorzy :
Becker, L.
Storck, P.
Schulz, T.
Zoellner, M. H.
Di Gaspare, L.
Rovaris, F.
Marzegalli, A.
Montalenti, F.
De Seta, M.
Capellini, G.
Schwalb, G.
Schroeder, T.
Albrecht, M.
Pokaż więcej
Temat :
DISLOCATION density
COMPLEMENTARY metal oxide semiconductors
EDGE dislocations
DISLOCATION nucleation
BUFFER layers
DISLOCATIONS in crystals
Źródło :
Journal of Applied Physics; 12/7/2020, Vol. 128 Issue 21, p1-9, 9p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Defect limitations in Cu2ZnSn(S, Se)4 solar cells utilizing an In2S3 buffer layer.
Autorzy :
Campbell, Stephen (AUTHOR)
Qu, Yongtao (AUTHOR)
Gibbon, James (AUTHOR)
Edwards, Holly J. (AUTHOR)
Dhanak, Vin R. (AUTHOR)
Tiwari, Devendra (AUTHOR)
Barrioz, Vincent (AUTHOR)
Beattie, Neil S. (AUTHOR)
Zoppi, Guillaume (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics. 5/29/2020, Vol. 127 Issue 20, p1-12. 12p. 1 Diagram, 1 Chart, 8 Graphs.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
MBE growth of high quality AlInSb/GaSb compound buffer layers on GaAs substrates.
Autorzy :
Li, Yong (AUTHOR)
Li, Xiaoming (AUTHOR)
Hao, Ruiting (AUTHOR)
Guo, Jie (AUTHOR)
Wang, Yunpeng (AUTHOR)
Aierken, Abuduwayiti (AUTHOR)
Zhuang, Yu (AUTHOR)
Chang, Faran (AUTHOR)
Gu, Kang (AUTHOR)
Wei, Guoshuai (AUTHOR)
Ma, Xiaole (AUTHOR)
Wang, Guowei (AUTHOR)
Xu, Yingqiang (AUTHOR)
Niu, Zhichuan (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Optical & Quantum Electronics. Mar2020, Vol. 52 Issue 3, p1-10. 10p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Effect of transition metal doping on the sintering and electrochemical properties of GDC buffer layer in SOFCs.
Autorzy :
Rehman, Saeed Ur (AUTHOR)
Shaur, Ahmad (AUTHOR)
Kim, Hye‐Sung (AUTHOR)
Joh, Dong Woo (AUTHOR)
Song, Rak‐Hyun (AUTHOR)
Lim, Tak‐Hyoung (AUTHOR)
Hong, Jong‐Eun (AUTHOR)
Park, Seok‐Joo (AUTHOR)
Lee, Seung‐Bok (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
International Journal of Applied Ceramic Technology. Mar/Apr2021, Vol. 18 Issue 2, p511-524. 14p.
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies