Autor: "Baidakova, N. A." - OpacWWW - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Baidakova, N. A."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-10 z 10

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Comparative Analysis of the Luminescence of Ge:Sb Layers Grown on Ge(001) and Si(001) Substrates
Autorzy:: Novikov, A. V.
Yurasov, D. V.
Baidakova, N. A.
Bushuykin, P. A.
Andreev, B. A.
Yunin, P. A.
Drozdov, M. N.
Yablonskiy, A. N.
Kalinnikov, M. A.
Krasilnik, Z. F.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 53(10):1318-1323

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Pulsed Ion-Beam Treatment of Germanium Implanted by Antimony Ions
Autorzy:: Batalov, R. I.
Bayazitov, R. M.
Novikov, G. A.
Shustov, V. A.
Lyadov, N. M.
Novikov, A. V.
Bushuikin, P. A.
Baidakova, N. A.
Drozdov, M. N.
Yunin, P. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 55(5):423-430

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Influence of Annealing on the Properties of Ge:Sb/Si(001) Layers with an Antimony Concentration Above Its Equilibrium Solubility in Germanium.
Autorzy:: Yurasov, D. V. (AUTHOR)
Baidakova, N. A. (AUTHOR)
Drozdov, M. N. (AUTHOR)
Morozova, E. E. (AUTHOR)
Kalinnikov, M. A. (AUTHOR)
Novikov, A. V. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Jul2019, Vol. 53 Issue 7, p882-886. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Photoluminescence excitation spectroscopy technique modified for studying structures with self-assembled Ge(Si)/Si(001) nanoislands.
Autorzy:: Baidakova, N.
Novikov, A.
Lobanov, D.
Yablonsky, A.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. Sep2012, Vol. 38 Issue 9, p828-831. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Formation and Properties of Locally Tensile Strained Ge Microstructures for Silicon Photonics.
Autorzy:: Novikov, A. V.
Yurasov, D. V.
Morozova, E. E.
Skorohodov, E. V.
Verbus, V. A.
Yablonskiy, A. N.
Baidakova, N. A.
Gusev, N. S.
Kudryavtsev, K. E.
Nezhdanov, A. V.
Mashin, A. I.; Pokaż więcej
Temat:: MICROSTRUCTURE
GERMANIUM
SILICON compounds
TENSILE strength
RAMAN scattering
Źródło:: Semiconductors; Nov2018, Vol. 52 Issue 11, p1442-1447, 6p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Wyświetlanie 1-10 z 10

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies