Autor: "Bailón, L." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Conduction and stability of holmium titanium oxide thin films grown by atomic layer deposition
Autorzy :: Castán, H.; Pokaż więcej
Źródło :: In Thin Solid Films 30 September 2015 591 Part A:55-59
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: 2 MeV electron irradiation effects on bulk and interface of atomic layer deposited high-k gate dielectrics on silicon
Autorzy :: García, H.; Pokaż więcej
Źródło :: In Thin Solid Films 1 May 2013 534:482-487
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Resistive Switching Behavior and Electrical Properties of TiO2:Ho2O3 and HoTiOx Based MIM Capacitors
Autorzy :: García, H.
Castán, H.
Dueñas, S.
Pérez, E.
Bailón, L. A.
Kukli, K.Aff27, Aff37
Ritala, M.
Leskelä, M.; Pokaż więcej
Źródło :: MRS Online Proceedings Library. 1691(1):43-48
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Electrical characterization of high-pressure reactive sputtered ScO x films on silicon
Autorzy :: Castán, H.; Pokaż więcej
Źródło :: In Thin Solid Films 2011 519(7):2268-2272
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: A detailed analysis of the energy levels configuration existing in the band gap of supersaturated silicon with titanium for photovoltaic applications.
Autorzy :: Pérez, E.
Dueñas, S.
Castán, H.
García, H.
Bailón, L.
Montero, D.
García-Hernansanz, R.
García-Hemme, E.
Olea, J.
González-Díaz, G.; Pokaż więcej
Temat :: ENERGY levels (Quantum mechanics)
SUBSTRATES (Materials science)
TITANIUM metallurgy
PHONONS
SPECTRUM analysis
MATHEMATICAL models
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 24, p245704-1-245704-9, 9p, 1 Diagram, 10 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Selection of post-growth treatment parameters for atomic layer deposition of structurally disordered TiO2 thin films
Autorzy :: Dueñas, S.; Pokaż więcej
Źródło :: In Physics of Non-Crystalline Solids 11, Journal of Non-Crystalline Solids 15 January 2008 354(2-9):404-408
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Identification of spatial localization and energetic position of electrically active defects in amorphous high-k dielectrics for advanced devices
Autorzy :: García, H.; Pokaż więcej
Źródło :: In Physics of Non-Crystalline Solids 11, Journal of Non-Crystalline Solids 15 January 2008 354(2-9):393-398
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Experimental observations of temperature-dependent flat band voltage transients on high- k dielectrics
Autorzy :: Dueñas, S.; Pokaż więcej
Źródło :: In Dielectrics in Microelectronics, Microelectronics Reliability 2007 47(4):653-656
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Dose-rate and temperature dependent statistical damage accumulation model for ion implantation into silicon
Autorzy :: Hernández-Mangas, J.M.
Arias, J.
Marqués, L.A.
Ruiz-Bueno, A.
Bailón, L.; Pokaż więcej
Źródło :: In Proceedings of the Seventh International Conference on Computer Simulation of Radiation Effects in Solids, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B January 2005 228(1-4):235-239
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Statistical 3D damage accumulation model for ion implant simulators
Autorzy :: Hernández-Mangas, J.M.
Lázaro, J.
Enriquez, L.
Bailón, L.
Barbolla, J.
Jaraı́z, M.; Pokaż więcej
Źródło :: In 6th International Conference on Computer Simulation of Radiation Effects in Solids, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 2003 202:138-142
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Effect of interlayer trapping and detrapping on the determination of interface state densities on high-k dielectric stacks.
Autorzy :: Castán, H.
Dueñas, S.
García, H.
Gómez, A.
Bailón, L.
Toledano-Luque, M.
Del Prado, A.
Mártil, I.
González-Díaz, G.; Pokaż więcej
Temat :: SILICON nitride
CHEMICAL vapor deposition
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
DIELECTRICS
NANOSTRUCTURED materials
Źródło :: Journal of Applied Physics; Jun2010, Vol. 107 Issue 11, p114104, 5p, 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Enhanced modelization of ion implant simulation in compound semiconductors
Autorzy :: Hernández-Mangas, J.M.
Enriquez, L.
Arias, J.
Jaraı́z, M.
Bailón, L.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics 2002 46(9):1315-1324
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: P.3.019 - Epidemiology of depression in southern Spain
Autorzy :: Porras Segovia, A.
Calvo-Rivera, P.
Aguado-Bailón, L.
Gutiérrez-Rojas, L.
Cervilla-Ballesteros, J.; Pokaż więcej
Źródło :: In Abstracts of the ECNP Workshop for Junior Scientists in Europe, European Neuropsychopharmacology March 2017 27 Supplement 1:S66-S67
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Influence of interlayer trapping and detrapping mechanisms on the electrical characterization of hafnium oxide/silicon nitride stacks on silicon.
Autorzy :: García, H.
Dueñas, S.
Castán, H.
Gómez, A.
Bailón, L.
Toledano-Luque, M.
del Prado, A.
Mártil, I.
González-Díaz, G.; Pokaż więcej
Temat :: HAFNIUM oxide
SILICON nitride
SILICON
SUBSTRATES (Materials science)
METAL insulator semiconductors
CAPACITORS
Źródło :: Journal of Applied Physics; Nov2008, Vol. 104 Issue 9, p094107, 7p, 2 Diagrams, 2 Charts, 7 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Bailón, L."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język