Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Bailón, L."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
A detailed analysis of the energy levels configuration existing in the band gap of supersaturated silicon with titanium for photovoltaic applications.
Autorzy :
Pérez, E.
Dueñas, S.
Castán, H.
García, H.
Bailón, L.
Montero, D.
García-Hernansanz, R.
García-Hemme, E.
Olea, J.
González-Díaz, G.
Pokaż więcej
Temat :
ENERGY levels (Quantum mechanics)
SUBSTRATES (Materials science)
TITANIUM metallurgy
PHONONS
SPECTRUM analysis
MATHEMATICAL models
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 24, p245704-1-245704-9, 9p, 1 Diagram, 10 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Identification of spatial localization and energetic position of electrically active defects in amorphous high-k dielectrics for advanced devices
Autorzy :
García, H.
Pokaż więcej
Źródło :
In Physics of Non-Crystalline Solids 11, Journal of Non-Crystalline Solids 15 January 2008 354(2-9):393-398
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Effect of interlayer trapping and detrapping on the determination of interface state densities on high-k dielectric stacks.
Autorzy :
Castán, H.
Dueñas, S.
García, H.
Gómez, A.
Bailón, L.
Toledano-Luque, M.
Del Prado, A.
Mártil, I.
González-Díaz, G.
Pokaż więcej
Temat :
SILICON nitride
CHEMICAL vapor deposition
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
DIELECTRICS
NANOSTRUCTURED materials
Źródło :
Journal of Applied Physics; Jun2010, Vol. 107 Issue 11, p114104, 5p, 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Influence of interlayer trapping and detrapping mechanisms on the electrical characterization of hafnium oxide/silicon nitride stacks on silicon.
Autorzy :
García, H.
Dueñas, S.
Castán, H.
Gómez, A.
Bailón, L.
Toledano-Luque, M.
del Prado, A.
Mártil, I.
González-Díaz, G.
Pokaż więcej
Temat :
HAFNIUM oxide
SILICON nitride
SILICON
SUBSTRATES (Materials science)
METAL insulator semiconductors
CAPACITORS
Źródło :
Journal of Applied Physics; Nov2008, Vol. 104 Issue 9, p094107, 7p, 2 Diagrams, 2 Charts, 7 Graphs
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies