Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Bakeroot, Benoit"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Investigating the Current Collapse Mechanisms of p-GaN Gate HEMTs by Different Passivation Dielectrics.
Autorzy :
Li, Xiangdong
Posthuma, Niels
Bakeroot, Benoit
Liang, Hu
You, Shuzhen
Wu, Zhicheng
Zhao, Ming
Groeseneken, Guido
Decoutere, Stefaan
Pokaż więcej
Temat :
PASSIVATION
DIELECTRICS
MODULATION-doped field-effect transistors
TEMPERATURE effect
GATES
LOGIC circuits
Źródło :
IEEE Transactions on Power Electronics; May2021, Vol. 36 Issue 5, p4927-4930, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Time-Dependent Breakdown Mechanisms and Reliability Improvement in Edge Terminated AlGaN/GaN Schottky Diodes Under HTRB Tests
Autorzy :
Hu, Jie
Stoffels, Steve
Zhao, Ming
Tallarico, Andrea Natale
Rossetto, Isabella
Meneghini, Matteo
Kang, Xuanwu
Bakeroot, Benoit
Marcon, Denis
Kaczer, Ben
Decoutere, Stefaan
Groeseneken, Guido
Pokaż więcej
Temat :
leakage
AlGaN/GaN
SBD, time-dependent breakdown
high temperature reverse bias (HTRB)
Si3N4
Opis pliku :
ELETTRONICO

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies