Autor: "Bakeroot, Benoit" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: A compact model based on the Lambert function for AlGaN/GaN Schottky barrier gated-edge termination
Autorzy:: Trojman, Lionel
Acurio, Eliana
De Jaeger, Brice
Posthuma, Niels
Decoutere, Stefaan
Bakeroot, Benoit; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics December 2023 210

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Scaling of E-mode power GaN-HEMTs for low voltage/low Ron applications: Implications on robustness
Autorzy:: Benato, Andrea
De Santi, Carlo
Borga, Matteo
Bakeroot, Benoit
Filipek, Izabela Kuzma
Posthuma, Niels
Decoutere, Stefaan
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo; Pokaż więcej
Źródło:: In Microelectronics Reliability November 2023 150

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Development and analysis of thick GaN drift layers on 200 mm CTE-matched substrate for vertical device processing
Autorzy:: Gonçalez Filho, WalterAff1, Aff2, IDs41598023427471_cor1
Borga, Matteo
Geens, Karen
Cingu, Deepthi
Chatterjee, Urmimala
Banerjee, Sourish
Vohra, Anurag
Han, Han
Minj, Albert
Hahn, Herwig
Marx, Matthias
Fahle, Dirk
Bakeroot, BenoitAff1, Aff2
Decoutere, Stefaan; Pokaż więcej
Źródło:: Scientific Reports. 13(1)

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: TCAD-based design and verification of the components of a 200 V GaN-IC platform
Autorzy:: Vudumula, Pavan
Cosnier, Thibault
Syshchyk, Olga
Bakeroot, Benoit
Decoutere, Stefaan; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics February 2023 200

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Demonstration of Schottky barrier diode integrated in 200 V power p-GaN HEMTs technology with robust stability
Autorzy:: Gallardo, Jethro Oroceo
Dash, Sachidananda
Tran, Thanh Nga
Huang, Zhen-Hong
Tang, Shun-Wei
Wellekens, Dirk
Bakeroot, Benoit
Syshchyk, Olga
De Jaeger, Brice
Decoutere, Stefaan
Wu, Tian-Li; Pokaż więcej
Źródło:: In Microelectronics Reliability July 2022 134

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Analysis of slow de-trapping phenomena after a positive gate bias on AlGaN/GaN MIS-HEMTs with in-situ Si3N4/Al2O3 bilayer gate dielectrics
Autorzy:: Wu, Tian-Li
Marcon, Denis
Ronchi, Nicolo
Bakeroot, Benoit
You, Shuzhen
Stoffels, Steve
Van Hove, Marleen
Bisi, Davide
Meneghini, Matteo
Groeseneken, Guido
Decoutere, Stefaan; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics January 2015 103:127-130

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: An EKV-based high voltage MOSFET model with improved mobility and drift model
Autorzy:: Chauhan, Yogesh Singh
Gillon, Renaud
Bakeroot, Benoit
Krummenacher, Francois
Declercq, Michel
Ionescu, Adrian Mihai; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics 2007 51(11):1581-1588

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Scalable general high voltage MOSFET model including quasi-saturation and self-heating effects
Autorzy:: Chauhan, Yogesh Singh
Anghel, Costin
Krummenacher, Francois
Maier, Christian
Gillon, Renaud
Bakeroot, Benoit
Desoete, Bart
Frere, Steven
Desormeaux, Andre Baguenier
Sharma, Abhinav
Declercq, Michel
Ionescu, Adrian Mihai; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics November-December 2006 50(11-12):1801-1813

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Response Enhancement of Pt–AlGaN/GaN HEMT Gas Sensors by Thin AlGaN Barrier with the Source-Connected Gate Configuration at High Temperature.
Autorzy:: Vuong, Tuan-Anh
Cha, Ho-Young
Kim, Hyungtak
Bakeroot, Benoit; Pokaż więcej
Temat:: GAS detectors
HIGH temperatures
HYDROGEN detectors
GALLIUM nitride
MODULATION-doped field-effect transistors
METAL semiconductor field-effect transistors
Źródło:: Micromachines; May2021, Vol. 12 Issue 5, p537, 1p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Understanding the Leakage Mechanisms and Breakdown Limits of Vertical GaN-on-Si p + n − n Diodes: The Road to Reliable Vertical MOSFETs.
Autorzy:: Mukherjee, Kalparupa
De Santi, Carlo
Buffolo, Matteo
Borga, Matteo
You, Shuzhen
Geens, Karen
Bakeroot, Benoit
Decoutere, Stefaan
Gerosa, Andrea
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo; Pokaż więcej
Temat:: BREAKDOWN voltage
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
DIODES
LEAKAGE
GALLIUM nitride
ELECTRIC fields
Źródło:: Micromachines; Apr2021, Vol. 12 Issue 4, p445-445, 1p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Enhancing the Forward Gate Bias Robustness in p‐GaN Gate High‐Electron‐Mobility Transistors through Doping Profile Engineering.
Autorzy:: Borga, Matteo (AUTHOR)
Posthuma, Niels (AUTHOR)
Vohra, Anurag (AUTHOR)
Bakeroot, Benoit (AUTHOR)
Decoutere, Stefaan (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science. Apr2024, p1. 8p. 12 Illustrations.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Bakeroot, Benoit"" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji