Autor: "Banshchikov, A. G." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Energy-Gap Opening Near the Dirac Point after the Deposition of Cobalt on the (0001) Surface of the Topological Insulator BiSbTeSe2
Autorzy :: Kaveev, A. K.
Banshchikov, A. G.
Terpitskiy, A. N.
Golyashov, V. A.
Tereshchenko, O. E.
Kokh, K. A.
Estyunin, D. A.
Shikin, A. M.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 54(9):1051-1055
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Ultrathin calcium fluoride insulators for two-dimensional field-effect transistors
Autorzy :: Illarionov, Yury Yu.Aff1, Aff2
Banshchikov, Alexander G.
Polyushkin, Dmitry K.
Wachter, Stefan
Knobloch, Theresia
Thesberg, Mischa
Mennel, Lukas
Paur, Matthias
Stöger-Pollach, Michael
Steiger-Thirsfeld, Andreas
Vexler, Mikhail I.
Waltl, Michael
Sokolov, Nikolai S.
Mueller, Thomas
Grasser, Tibor; Pokaż więcej
Źródło :: Nature Electronics. 2(6):230-235
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Trends in Reverse-Current Change in Tunnel MIS Diodes with Calcium Fluoride on Si(111) Upon the Formation of an Extra Oxide Layer
Autorzy :: Banshchikov, A. G.
Illarionov, Yu. Yu.Aff1, Aff2
Vexler, M. I.
Wachter, S.
Sokolov, N. S.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 53(6):833-837
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Nonmonotonic Change in the Tunnel Conductivity of an MIS Structure with a Two-Layer Insulator with an Increase in Its Thickness (by the Example of the Metal/SiO2/CaF2/Si System)
Autorzy :: Illarionov, Yu. Yu.Aff1, Aff2
Banshchikov, A. G.
Sokolov, N. S.
Wachter, S.
Vexler, M. I.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. 44(12):1188-1191
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 5 5.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Epitaxial layers of nickel fluoride on Si(111): Growth and stabilization of the orthorhombic phase
Autorzy :: Banshchikov, A. G.
Golosovskii, I. V.
Krupin, A. V.
Koshmak, K. V.
Sokolov, N. S.
Chernenkov, Yu. P.
Yagovkina, M. A.
Ulin, V. P.
Tabuchi, M.; Pokaż więcej
Źródło :: Physics of the Solid State. August 2015 57(8):1647-1652
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 7 7.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Longitudinal conductivity of thin films of La1 − x Sr x F3 − x solid solutions on glass ceramics
Autorzy :: Vergentyev, T. Yu.
Koroleva, E. Yu.
Banshchikov, A. G.
Sokolov, N. S.
Chibisov, A. G.; Pokaż więcej
Źródło :: Russian Journal of Electrochemistry. August 2013 49(8):783-787
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Dielectric Properties of Ultrathin CaF2 Ionic Crystals.
Autorzy :: Wen, Chao
Banshchikov, Alexander G.
Illarionov, Yury Y.
Frammelsberger, Werner
Knobloch, Theresia
Hui, Fei
Sokolov, Nikolai S.
Grasser, Tibor
Lanza, Mario; Pokaż więcej
Źródło :: Advanced Materials; 1/27/2021, Vol. 33 Issue 4, p1-1, 1p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Stabilization of the NiF2 orthorhombic phase in epitaxial heterostructures on CaF2/Si(111) substrates
Autorzy :: Banshchikov, A. G.
Koshmak, K. V.
Krupin, A. V.
Sokolov, N. S.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. September 2012 38(9):809-811
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Static current-voltage characteristics of Au/CaF2/n-Si(111) MIS tunneling structures
Autorzy :: Suturin, S. M.
Banshchikov, A. G.
Sokolov, N. S.
Tyaginov, S. E.
Vexler, M. I.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. November 2008 42(11):1304-1308
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 12 12.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Exciton luminescence in orthorhombic-structure MnF2 epitaxial films
Autorzy :: Sokolov, N. S.
Anisimov, O. V.
Banshchikov, A. G.
Gastev, S. V.
Dyroff, C.
Reeves, R. J.
Wang, X.
Yen, W. M.; Pokaż więcej
Źródło :: Physics of the Solid State. August 2002 44(8):1455-1458
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Growth of nanosized MnAs/Si(111) magnetoelectronic heterostructures and their magnetooptical study
Autorzy :: Banshchikov, A. G.
Kimel’, A. V.
Pisarev, R. V.
Rzhevskii, A. A.
Sokolov, N. S.
Keen, A.
Rasing, Th.
Nazmul, Ahsan M.
Tanaka, M.; Pokaż więcej
Źródło :: Physics of the Solid State. October 2001 43(10):1941-1947
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Generation of second optical harmonic and magnetooptical Kerr effect in ferromagnet-semiconductor heterostructures CaF2/MnAs/Si(111)
Autorzy :: Banshchikov, A. G.
Kimel’, A. V.
Pavlov, V. V.
Pisarev, R. V.
Sokolov, N. S.
Rasing, Th.; Pokaż więcej
Źródło :: Physics of the Solid State. May 2000 42(5):909-917
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: Magneto-optical phenomena in MnAs/CaF2/Si(111) epitaxial films in a transverse magnetic field
Autorzy :: Banshchikov, A. G.
Kimel', A. V.
Krichevtsov, B. B.
Rzhevskii, A. A.
Sokolov, N. S.
Yakubtsov, O. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Physics of the Solid State. January 1999 41(1):97-102
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: Device for visualizing the atomic structure of surface layers based on an electron focusing effect
Autorzy :: Pronin, I. I.
Valdaitsev, D. A.
Gomoyunova, M. V.
Faradzhev, N. S.
Banshchikov, A. G.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics. December 1998 43(12):1475-1478
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: Electrical characterization and modeling of the Au/CaF2/nSi(111) structures with high-quality tunnel-thin fluoride layer.
Autorzy :: Vexler, M. I.
Sokolov, N. S.
Suturin, S. M.
Banshchikov, A. G.
Tyaginov, S. E.
Grasser, T.; Pokaż więcej
Temat :: MONOMOLECULAR films
FLUORIDES
GOLD
CALCIUM fluoride
SILICON
DISPERSION relations
Źródło :: Journal of Applied Physics; Apr2009, Vol. 105 Issue 8, p083716-083722, 6p, 1 Black and White Photograph, 4 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: Epitaxial growth on silicon and characterization of MnF2 and ZnF2 layers with metastable orthorhombic structure.
Autorzy :: Kaveev, A. K.
Anisimov, O. V.
Banshchikov, A. G.
Kartenko, N. F.
Ulin, V. P.
Sokolov, N. S.; Pokaż więcej
Temat :: EPITAXY
SILICON
MOLECULAR beam epitaxy
CALCIUM fluoride
CRYSTAL growth
ATOMIC force microscopy
Źródło :: Journal of Applied Physics; 7/1/2005, Vol. 98 Issue 1, p013519, 8p, 4 Black and White Photographs, 3 Diagrams, 1 Chart, 2 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Magneto-optical phenomena in MnAs/CaF[sub 2]/Si(111) epitaxial films in a transverse magnetic field.
Autorzy :: Banshchikov, A. G.
Kimel’, A. V.
Krichevtsov, B. B.
Rzhevskiı, A. A.
Sokolov, N. S.
Yakubtsov, O. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Physics of the Solid State. Jan99, Vol. 41 Issue 1, p97. 6p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Banshchikov, A. G."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język