- Tytuł :
- Interface properties of Al–Al2O3–Ge MIS capacitors and the effect of forming gas annealing
- Autorzy :
- Źródło :
- In Microelectronic Engineering 15 June 2016 159:84-89
-
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.