Autor: "Bauza, D." - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Bauza, D."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-20 z 164

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Low-Frequency Noises and DLTS Studies in HgCdTe MWIR Photodiodes
Autorzy :: Guinedor, P.Aff1, Aff2
Brunner, A.
Rubaldo, L.
Bauza, D.
Reimbold, G.
Billon-Lanfrey, D.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Electronic Materials. 48(10):6113-6117
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Improvement of RTS Noise in HgCdTe MWIR Detectors
Autorzy :: Brunner, Alexandre
Rubaldo, Laurent
Destefanis, V.
Chabuel, F.
Kerlain, A.
Bauza, D.
Baier, N.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Electronic Materials. August 2014 43(8):3060-3064
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Defects Study in Hg x Cd1−x Te Infrared Photodetectors by Deep Level Transient Spectroscopy
Autorzy :: Rubaldo, Laurent
Brunner, Alexandre
Berthoz, Jocelyn
Péré-Laperne, N.
Kerlain, A.
Abraham, P.
Bauza, D.
Reimbold, G.
Gravrand, Olivier; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Electronic Materials. August 2014 43(8):3065-3069
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Modeling the dark current histogram induced by gold contamination in complementary-metal-oxide-semiconductor image sensors.
Autorzy :: Domengie, F.
Morin, P.
Bauza, D.; Pokaż więcej
Temat :: METALS
IMAGE sensors
ELECTRIC fields
POOLE-Frenkel effect
PHONONS
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 2, p024501-1-024501-10, 10p, 2 Diagrams, 12 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Study of Metal Contamination in CMOS Image Sensors by Dark-Current and Deep-Level Transient Spectroscopies
Autorzy :: Domengie, F.
Regolini, J. L.
Bauza, D.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Electronic Materials. June 2010 39(6):625-629
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: The influence of HfO 2 film thickness on the interface state density and low field mobility of n channel HfO 2/TiN gate MOSFETs
Autorzy :: Negara, M.A.; Pokaż więcej
Źródło :: In INFOS 2007, Microelectronic Engineering 2007 84(9):1874-1877
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: On the SILC mechanism in MOSFET’s with ultrathin oxides
Autorzy :: Bauza, D.
Rahmoune, F.
Laqli, R.
Ghibaudo, G.; Pokaż więcej
Źródło :: In 13th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, Microelectronics Reliability 2005 45(5):849-852
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Characterizing slow state near Si-SiO 2 in MOS structure.
Autorzy :: Guenifi, N.
Bauza, D.
Mahamdi, R.; Pokaż więcej
Temat :: METAL oxide semiconductors
DEEP level transient spectroscopy
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
TRANSISTORS
SPECTRUM analysis
Źródło :: Phosphorus, Sulfur & Silicon & the Related Elements; 2018, Vol. 193 Issue 2, p88-91, 4p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Electrical properties of Si–SiO 2 interface traps and evolution with oxide thickness in MOSFET’s with oxides from 2.3 to 1.2 nm thick
Autorzy :: Bauza, D.; Pokaż więcej
Źródło :: In Contains papers selected from the 12th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, Solid State Electronics 2003 47(10):1677-1683
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: An analytical model for charge pumping below strong inversion and accumulation
Autorzy :: Bauza, D; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics 2002 46(12):2035-2039
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: On the Si–SiO2 interface trap time constant distribution in metal-oxide-semiconductor transistors.
Autorzy :: Manéglia, Y.
Rahmoune, F.
Bauza, D.; Pokaż więcej
Temat :: METALLIC oxides
SEMICONDUCTORS
SILICON oxide
ELECTRONICS
SPECTRUM analysis
ELECTRIC conductivity
Źródło :: Journal of Applied Physics; 1/1/2005, Vol. 97 Issue 1, p014502, 8p, 10 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Si–SiO 2 interface trap capture properties
Autorzy :: Rahmoune, F
Bauza, D; Pokaż więcej
Źródło :: In 12th Biannual Conference on Insulating Films on Semiconductors, Microelectronic Engineering 2001 59(1):115-118
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Rigorous analysis of two-level charge pumping: Application to the extraction of interface trap concentration versus energy profiles in metal–oxide–semiconductor transistors.
Autorzy :: Bauza, D.; Pokaż więcej
Temat :: SEMICONDUCTORS
TRANSISTORS
EXCITON theory
ELECTRIC conductivity
Źródło :: Journal of Applied Physics; 9/1/2003, Vol. 94 Issue 5, p3239, 10p, 10 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: Near interface oxide trap capture kinetics in metal-oxide-semiconductor transistors: Modeling and...
Autorzy :: Bauza, D.; Pokaż więcej
Temat :: METAL oxide semiconductor field-effect transistors
PHYSICS experiments
OXIDES
Źródło :: Journal of Applied Physics; 12/1/1998, Vol. 84 Issue 11, p6178, 9p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: Extraction of slow oxide trap concentration profiles in metal–oxide–semiconductor transistors using the charge pumping method.
Autorzy :: Maneglia, Y.
Bauza, D.; Pokaż więcej
Temat :: METAL oxide semiconductor field-effect transistors
SEMICONDUCTORS
OXIDES
Źródło :: Journal of Applied Physics; 4/15/1996, Vol. 79 Issue 8, p4187, 6p, 7 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: Effect of deep traps on the capacitance-voltage plots of Schottky barrier diodes: Application to the study of sputter-etched Ti-W/n-Si diodes.
Autorzy :: Bauza, D.; Pokaż więcej
Temat :: SCHOTTKY barrier diodes
SILICON
ION bombardment
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2/15/1993, Vol. 73 Issue 4, p1858, 8p, 1 Chart, 13 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: New model for the characterization of bulk traps by current deep level transient spectroscopy in metal-oxide-semiconductor transistors.
Autorzy :: Bauza, D.
Ghibaudo, G.; Pokaż więcej
Temat :: FIELD-effect transistors
DEEP level transient spectroscopy
Źródło :: Journal of Applied Physics; 9/15/1991, Vol. 70 Issue 6, p3333, 5p, 1 Diagram, 3 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Wyświetlanie 1-20 z 164

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Bauza, D."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język