Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Bauza, D."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Electrical properties of Si–SiO 2 interface traps and evolution with oxide thickness in MOSFET’s with oxides from 2.3 to 1.2 nm thick
Autorzy :
Bauza, D.
Pokaż więcej
Źródło :
In Contains papers selected from the 12th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, Solid State Electronics 2003 47(10):1677-1683
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies