- Tytuł:
- The influence of HfO 2 film thickness on the interface state density and low field mobility of n channel HfO 2/TiN gate MOSFETs
- Autorzy:
- Źródło:
- In Microelectronic Engineering 2007 84(9):1874-1877
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.