Autor: "Ber, B." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Study of Active Regions Based on Multiperiod GaAsN/InAs Superlattice
Autorzy:: Babichev, A. V.
Pirogov, E. V.
Sobolev, M. S.
Denisov, D. V.
Fominykh, H. A.Aff2, Aff3
Baranov, A. I.
Gudovskikh, A. S.
Melnichenko, I. A.Aff2, Aff3
Yunin, P. A.
Nevedomsky, V. N.
Tokarev, M. V.
Ber, B. Ya.
Gladyshev, A. G.
Karachinsky, L. Ya.
Novikov, I. I.
Egorov, A. Yu.Aff2, IDS106378262308002X_cor16; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 57(11):474-482

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Obtaining Anisotypic Heterostructures for a GaSb-Based Photovoltaic Converter Due to Solid-Phase Substitution Reactions
Autorzy:: Gagis, G. S.Aff1, IDS1063785023900170_cor1
Kuchinskii, V. I.
Kazantsev, D. Yu.
Ber, B. Ya.
Tokarev, M. V.
Khvostikov, V. P.
Nakhimovich, M. V.
Vlasov, A. S.
Vasil’ev, V. I.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. 49(12):253-255

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Influence of Source Composition on the Planar Growth of Nanowires during Catalytic Growth in a Quasi-Closed Volume
Autorzy:: Karlina, L. B.Aff1, IDS1063782623080067_cor1
Vlasov, A. S.
Smirnova, I. P.
Ber, B. Ya.
Kazantsev, D. Yu.
Tokarev, M. V.
Soshnikov, I. P.Aff1, Aff2, Aff3; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 57(6):300-304

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Obtaining of Nanoscale Layers of Solid Solutions in GaSb, GaAs, InAs Wafers Because of Solid-Phase Substitution Reactions
Autorzy:: Vasil’ev, V. I.
Gagis, G. S.Aff1, IDS1062873823702106_cor2
Ber, B. Ya.
Kazantsev, D. Yu.
Tokarev, M. V.
Kuchinskii, V. I.
Nakhimovich, M. V.
Khvostikov, V. P.; Pokaż więcej
Źródło:: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 87(6):849-852

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Transformation of N-Polar Inversion Domains from AlN Buffer Layers during the Growth of AlGaN Layers
Autorzy:: Osinnykh, I. V.Aff1, Aff3, IDS1063782622070077_cor1
Malin, T. V.
Kozhukhov, A. S.
Ber, B. Ya.
Kazancev, D. Yu.
Zhuravlev, K. S.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 56(6):352-359

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: The Effect of Liquid Silicon on the AlN Crystal Growth
Autorzy:: Anisimov, A. N.
Breev, I. D.
Likhachev, K. V.
Kazarova, O. P.
Nagalyuk, S. S.Aff1, IDS1063782622050025_cor5
Baranov, P. G.
Ber, B. Ya.
Kazantcev, D. Yu.
Scheglov, M. P.
Mokhov, E. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 56(5):281-287

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Origin of Green Coloration in AlN Crystals Grown on SiC Seeds
Autorzy:: Nagalyuk, S. S.Aff1, IDS1063782621060099_cor1
Mokhov, E. N.
Kazarova, O. P.
Ber, B. Y.
Anisimov, A. A.
Breev, I. D.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 55(6):546-550

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Quantification of Hydrogen in Natural Diamond by Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)
Autorzy:: Kaminsky, F. V.
Shilobreeva, S. N.
Ber, B. Ya.
Kazantsev, D. Yu.; Pokaż więcej
Źródło:: Doklady Earth Sciences. 494(1):699-703

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Development and Study of the p–i–n GaAs/AlGaAs Tunnel Diodes for Multijunction Converters of High-Power Laser Radiation
Autorzy:: Kalinovskii, V. S.
Kontrosh, E. V.
Klimko, G. V.
Ivanov, S. V.
Yuferev, V. S.
Ber, B. Y.
Kazantsev, D. Y.
Andreev, V. M.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 54(3):355-361

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Quantum Yield of a Silicon XUV Avalanche Photodiode in the 320–1100 nm Wavelength Range
Autorzy:: Zabrodskii, V. V.
Aruev, P. N.
Ber, B. Ya.
Kazantsev, D. Yu.
Gorokhov, A. N.
Nikolaev, A. V.
Filimonov, V. V.
Shvarts, M. Z.
Sherstnev, E. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. 45(12):1226-1229

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Investigation of Composition Uniformity in Thickness of GaInAsP Layers Grown on InP Substrates by Vapor-Phase Epitaxy
Autorzy:: Gagis, G. S.
Levin, R. V.
Marichev, A. E.
Pushnyi, B. V.
Scheglov, M. P.
Ber, B. Ya.
Kazantsev, D. Yu.
Kudriavtsev, Yu. A.
Vlasov, A. S.
Popova, T. B.
Chistyakov, D. V.
Kuchinskii, V. I.Aff1, Aff2
Vasil’ev, V. I.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 53(11):1472-1478

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Luminescence Properties of GaInAsP Layers with Graded Composition–Depth Profiles Grown on InP Substrates
Autorzy:: Gagis, G. S.Aff1, Aff2
Vlasov, A. S.
Levin, R. V.
Marichev, A. E.
Scheglov, M. P.
Popova, T. B.
Ber, B. Ya.
Kazantsev, D. Yu.
Chistyakov, D. V.
Kuchinskii, V. I.Aff1, Aff2
Vasil’ev, V. I.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. 45(10):1031-1034

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Undoped High-Resistance GaN Buffer Layer for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors
Autorzy:: Malin, T. V.
Milakhin, D. S.
Aleksandrov, I. A.
Zemlyakov, V. E.
Egorkin, V. I.
Zaitsev, A. A.
Protasov, D. Yu.Aff1, Aff3
Kozhukhov, A. S.
Ber, B. Ya.
Kazantsev, D. Yu.
Mansurov, V. G.
Zhuravlev, K. S.Aff1, Aff5; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. 45(8):761-764

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Investigation of the Effect of Doping on Transition Layers of Anisotype GaInAsP and InP Heterostructures Obtained by the Method of MOCVD
Autorzy:: Gagis, G. S.
Vasil’ev, V. I.
Levin, R. V.
Marichev, A. E.
Pushnyi, B. V.
Kuchinskii, V. I.Aff1, Aff2
Kazantsev, D. Yu.
Ber, B. Ya.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. 46(10):961-963

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Characteristics of a Silicon Avalanche Photodiode for the Near-IR Spectral Range
Autorzy:: Aruev, P. N.
Ber, B. Ya
Gorokhov, A. N.
Zabrodskii, V. V.
Kazantsev, D. Yu.
Nikolaev, A. V.
Filimonov, V. V.
Shvarts, M. Z.
Sherstnev, E. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. 45(8):780-782

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: SiPM prototype for direct VUV registration
Autorzy:: Zabrodskii, V.
Aruev, P.
Belik, V.
Ber, B.
Filimomov, V.
Kholupenko, E.
Kirilenko, D.
Krassilchtchikov, A.
Nikolaev, A.
Sherstnev, E.
Vasil’ev, A.; Pokaż więcej
Źródło:: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A 1 July 2015 787:348-352

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Nanostructure Growth in the Ga(In)AsP–GaAs System under Quasi-Equilibrium Conditions
Autorzy:: Karlina, L. B.
Vlasov, A. S.
Soshnikov, I. P.Aff1, Aff2, Aff3
Smirnova, I. P.
Ber, B. Ya.
Smirnov, A. B.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 52(10):1363-1368

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Obtaining of Nanoscale Layers of Solid Solutions in GaSb, GaAs, InAs Wafers Because of Solid-Phase Substitution Reactions.
Autorzy:: Vasil'ev, V. I.
Gagis, G. S.
Ber, B. Ya.
Kazantsev, D. Yu.
Tokarev, M. V.
Kuchinskii, V. I.
Nakhimovich, M. V.
Khvostikov, V. P.; Pokaż więcej
Źródło:: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics; Jun2023, Vol. 87 Issue 6, p849-852, 4p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: A Study of the Composition Gradient of GaInAsP Layers Formed on InP by Vapor-Phase Epitaxy
Autorzy:: Vasil’ev, V. I.
Gagis, G. S.
Levin, R. V.
Marichev, A. E.
Pushnyi, B. V.
Scheglov, M. P.
Kuchinskii, V. I.Aff1, Aff2
Ber, B. Ya.
Kazantsev, D. Yu.
Gorokhov, A. N.
Popova, T. B.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. 44(12):1127-1129

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: The Effect of Dose of Nitrogen-Ion Implantation on the Concentration of Point Defects Introduced into GaAs Layers
Autorzy:: Sobolev, N. A.
Ber, B. Ya.
Kazantsev, D. Yu.
Kalyadin, A. E.
Karabeshkin, K. V.
Mikoushkin, V. M.
Sakharov, V. I.
Serenkov, I. T.
Shek, E. I.
Sherstnev, E. V.
Shmidt, N. M.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. 44(7):574-576

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Ber, B."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji