Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Bockowski, M."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
A compensating point defect in carbon-doped GaN substrates studied with electron paramagnetic resonance spectroscopy.
Autorzy :
Willoughby, W. R.
Zvanut, M. E.
Paudel, Subash
Iwinska, M.
Sochacki, T.
Bockowski, M.
Pokaż więcej
Temat :
GALLIUM nitride
POINT defects
ELECTRON paramagnetic resonance spectroscopy
DOPED semiconductors
SUBSTRATES (Materials science)
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 5p, 2 Charts, 3 Graphs
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies