Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Bocquet, M."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Impact of area scaling on the ferroelectric properties of back-end of line compatible Hf0.5Zr0.5O2 and Si:HfO2-based MFM capacitors.
Autorzy :
Francois, T.
Grenouillet, L.
Coignus, J.
Vaxelaire, N.
Carabasse, C.
Aussenac, F.
Chevalliez, S.
Slesazeck, S.
Richter, C.
Chiquet, P.
Bocquet, M.
Schroeder, U.
Mikolajick, T.
Gaillard, F.
Nowak, E.
Pokaż więcej
Temat :
FERROELECTRIC capacitors
CAPACITORS
FERROELECTRIC thin films
DIELECTRIC films
MAGNITUDE (Mathematics)
FERROELECTRIC crystals
PEROVSKITE
Źródło :
Applied Physics Letters; 2021, Vol. 118 Issue 6, p1-5, 5p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Atomic-scale spin sensing with a single-molecule at the apex of a scanning tunneling microscope
Autorzy :
Verlhac, B
Bachellier, N
Garnier, L.
Ormaza, M
Abufager, P
Robles, R
Bocquet, M.-L
Ternes, M
Lorente, N
Limot, L
Pokaż więcej
Temat :
[PHYS]Physics [physics]
[PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]
Źródło :
Science, American Association for the Advancement of Science, 2019, ⟨10.1126/science.aax8222⟩
Tytuł :
Outstanding Bit Error Tolerance of Resistive RAM-Based Binarized Neural Networks
Autorzy :
Hirtzlin, T.
Bocquet, M.
Klein, J.-O.
Nowak, E.
Vianello, E.
Portal, J.-M.
Querlioz, D.
Pokaż więcej
Temat :
Computer Science - Emerging Technologies
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
IEEE International Conference on Artificial Intellignence Circuits and Systems (AICAS), Mar 2019, Hsinshu, Taiwan. ⟨10.1109/AICAS.2019.8771544⟩
IEEE International Conference on Artificial Intellignence Circuits and Systems (AICAS)
2019 IEEE International Conference on Artificial Intelligence Circuits and Systems (AICAS)
Tytuł :
Atomic-scale spin sensing with a single-molecule at the apex of a scanning tunneling microscope
Autorzy :
Verlhac, B.
Bachellier, N.
Garnier, L.
Ormaza, M.
Abufager, P.
Robles, R.
Bocquet, M. -L.
Ternes, M.
Lorente, N.
Limot, L.
Pokaż więcej
Temat :
Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics
[PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]
[PHYS]Physics [physics]
Źródło :
Science, American Association for the Advancement of Science, 2019, ⟨10.1126/science.aax8222 ⟩
Tytuł :
Exciting vibrons in both frontier orbitals of a single hydrocarbon molecule on graphene
Autorzy :
Mehler, A.
Néel, N.
Bocquet, M.-L.
Kröger, J.
Pokaż więcej
Temat :
vibrational progression
scanning tunnelling microscopy
[CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry
density functional theory
[PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]
quantum chemistry
Physics::Atomic and Molecular Clusters
single molecules
Physics::Chemical Physics
frontier orbitals
graphene
Źródło :
Journal of Physics: Condensed Matter, IOP Publishing, 2019, 31 (6), pp.065001. ⟨10.1088/1361-648X/aaf54c⟩
Journal of Physics: Condensed Matter
Tytuł :
Exciting vibrons in both frontier orbitals of a single hydrocarbon molecule on graphene
Autorzy :
Mehler, A.
Néel, N.
Bocquet, M.-L.
Kröger, J.
Pokaż więcej
Temat :
quantum chemistry
density functional theory
vibrational progression
single molecules
frontier orbitals
graphene
scanning tunnelling microscopy
[PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]
[CHIM.THEO]Chemical Sciences/Theoretical and/or physical chemistry
Źródło :
Journal of Physics: Condensed Matter
Journal of Physics: Condensed Matter, IOP Publishing, 2019, 31 (6), pp.065001. ⟨10.1088/1361-648X/aaf54c⟩
Tytuł :
In-Memory and Error-Immune Differential RRAM Implementation of Binarized Deep Neural Networks
Autorzy :
Bocquet, M.
Hirztlin, T.
Klein, J.-O.
Nowak, E.
Vianello, E.
Portal, J.-M.
Querlioz, D.
Pokaż więcej
Temat :
Computer Science - Emerging Technologies
Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2018, San Francisco, United States. pp.20.6.1-20.6.4, ⟨10.1109/IEDM.2018.8614639⟩

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies