Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Boppel, Sebastian"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Imaging and Spectroscopic Sensing with Low-Repetition-Rate Terahertz Pulses and GaN TeraFET Detectors
Autorzy :
Voß, Daniel
Zouaghi, Wissem
Jamshidifar, Mehran
Boppel, Sebastian
McDonnell, Cormac
Bain, James R. P.
Hempler, Nils
Malcolm, Graeme P. A.
Maker, Gareth T.
Bauer, Maris
Lisauskas, Alvydas
Rämer, Adam
Shevchenko, Sergey A.
Heinrich, Wolfgang
Krozer, Viktor
Roskos, Hartmut G.
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. :1-11
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Transferred-Substrate InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistor Technology With fmax ~ 0.53 THz
Autorzy :
Weimann, Nils G.
Johansen, Tom Keinicke
Stoppel, Dimitri
Matalla, Matthias
Brahem, Mohamed
Nosaeva, Ksenia
Boppel, Sebastian
Volkmer, Nicole
Ostermay, Ina
Krozer, Viktor
Ostinelli, Olivier
Bolognesi, Colombo R.
Pokaż więcej
Temat :
Gallium arsenide antimonide
Heterojunction bipolar transistors
Indium phosphide
Millimeterwave (mm-wave) integrated circuits
Submillimeter-wave (sub-mm-wave) integrated circuits
Źródło :
Weimann, N G, Johansen, T K, Stoppel, D, Matalla, M, Brahem, M, Nosaeva, K, Boppel, S, Volkmer, N, Ostermay, I, Krozer, V, Ostinelli, O & Bolognesi, C R 2018, ' Transferred-Substrate InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistor Technology With fmax ~ 0.53 THz ', I E E E Transactions on Electron Devices, vol. 65, no. 9, pp. 3704 - 3710 . https://doi.org/10.1109/TED.2018.2854546
Opis pliku :
application/pdf
Tytuł :
Transferred-Substrate InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistor Technology With ${f}_{\text{max}}$ ~ 0.53 THz.
Autorzy :
Weimann, Nils G.
Johansen, Tom K.
Stoppel, Dimitri
Matalla, Matthias
Brahem, Mohamed
Nosaeva, Ksenia
Boppel, Sebastian
Volkmer, Nicole
Ostermay, Ina
Krozer, Viktor
Ostinelli, Olivier
Bolognesi, Colombo R.
Pokaż więcej
Temat :
HETEROJUNCTION bipolar transistors
SUBSTRATE integrated waveguides
ELECTRIC potential
INTEGRATED circuits
TRANSISTORS
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Sep2018, Vol. 65 Issue 9, p3704-3710, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Imaging and Spectroscopic Sensing with Low-Repetition-Rate Terahertz Pulses and GaN TeraFET Detectors.
Autorzy :
Voß, Daniel
Zouaghi, Wissem
Jamshidifar, Mehran
Boppel, Sebastian
McDonnell, Cormac
Bain, James R. P.
Hempler, Nils
Malcolm, Graeme P. A.
Maker, Gareth T.
Bauer, Maris
Lisauskas, Alvydas
Rämer, Adam
Shevchenko, Sergey A.
Heinrich, Wolfgang
Krozer, Viktor
Roskos, Hartmut G.
Pokaż więcej
Temat :
FIELD-effect transistors
HOMODYNE detection
OPTICAL parametric oscillators
SPECTROMETRY
SUBMILLIMETER waves
Źródło :
Journal of Infrared, Millimeter & Terahertz Waves; Mar2018, Vol. 39 Issue 3, p262-272, 11p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Optimization of the Design of Terahertz Detectors Based on Si CMOS and AlGaN/GaN Field-Effect Transistors.
Autorzy :
Bauer, Maris
Boppel, Sebastian
Zhang, Jingshui
Rämer, Adam
Chevtchenko, Serguei
Lisauskas, Alvydas
Heinrich, Wolfgang
Krozer, Viktor
Roskos, Hartmut G.
Pokaż więcej
Temat :
INDUCTIVE effect
TRANSISTORS
TERAHERTZ materials
DETECTORS
THERMOELECTRICITY
Źródło :
International Journal of High Speed Electronics & Systems; Sep-Dec2016, Vol. 25 Issue 3/4, p-1, 10p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies