Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Bouchier, D."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
GaAs microcrystals selectively grown on silicon: Intrinsic carbon doping during chemical beam epitaxy with trimethylgallium.
Autorzy :
Molière, T.
Jaffré, A.
Alvarez, J.
Mencaraglia, D.
Connolly, J. P.
Vincent, L.
Hallais, G.
Mangelinck, D.
Descoins, M.
Bouchier, D.
Renard, C.
Pokaż więcej
Temat :
MONOLITHIC microwave integrated circuits
ELECTRIC properties of semiconductors
ANTIPHASE boundaries
CHEMICAL beam epitaxy
ATOMIC layer deposition
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2017, Vol. 121 Issue 3, p1-6, 6p, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 2 Charts, 5 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Morphology of GaAs crystals heterogeneously integrated on nominal (001) Si by epitaxial lateral overgrowth on tunnel oxide via Ge nano-seeding
Autorzy :
Coste, Marie
Molière, T.
Cherkashin, Nikolay
Hallais, G.
Vincent, L.
Bouchier, D.
Renard, C.
Pokaż więcej
Temat :
Condensed Matter::Materials Science
[PHYS]Physics [physics]
Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect
Źródło :
Thin Solid Films, Elsevier, 2018, 647, pp.13-18. ⟨10.1016/j.tsf.2017.12.015⟩
Tytuł :
Comments on the article: “Enhancing the photovoltaic effect in the infrared region by germanium quantum dots inserted in the intrinsic region of a silicon p-i-n diode with nanostructure” by H. M. Tawancy (Journal of Materials Science DOI: 10.1007/s10853-011-5728-9)
Autorzy :
Bouchier, D.
Aboelfotoh, O.
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Materials Science: Full Set - Includes `Journal of Materials Science Letters'. January 2012 47(1):100-103
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Angular distributions of sputtered atoms for low-energy nitrogen irradiation of silicon
Autorzy :
Bouchier, D.
Bosseboeuf, A.
Pokaż więcej
Źródło :
Applied Physics A: Materials Science and Processing. August 1991 53(2):179-184
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Growth kinetics of Ge crystals on silicon oxide by nanoscale silicon seed induced lateral epitaxy.
Autorzy :
Cammilleri, V. D.
Yam, V.
Fossard, F.
Renard, C.
Bouchier, D.
Fazzini, P. F.
Hÿtch, M.
Pokaż więcej
Temat :
PHYSICS research
ELECTRIC properties of crystals
EPITAXY
MOLECULAR beam epitaxy
CRYSTAL growth
SILICON oxide
NANOELECTRONICS
NANOSILICON
Źródło :
Journal of Applied Physics; Nov2009, Vol. 106 Issue 9, p093512-093519, 7p, 7 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Graph
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Mechanism of vertical correlation in Ge/Si(001) islands multilayer structures by chemical vapor deposition.
Autorzy :
Yam, V.
Débarre, D.
Bouchier, D.
Laval, J.-Y.
Pokaż więcej
Temat :
SURFACE chemistry
ELECTRON diffraction
TRANSMISSION electron microscopy
ATOMIC force microscopy
CHEMICAL vapor deposition
Źródło :
Journal of Applied Physics; Dec2007, Vol. 102 Issue 11, p113504, 6p, 1 Black and White Photograph, 2 Diagrams, 3 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Kinetics of Ge growth at low temperature on Si(001) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition.
Autorzy :
Halbwax, M.
Bouchier, D.
Yam, V.
Débarre, D.
Nguyen, Lam H.
Zheng, Y.
Rosner, P.
Benamara, M.
Strunk, H. P.
Clerc, C.
Pokaż więcej
Temat :
VACUUM
PARTICLES (Nuclear physics)
OPTICAL diffraction
ELECTRON microscopy
LOW temperatures
SCANNING probe microscopy
Źródło :
Journal of Applied Physics; 3/15/2005, Vol. 97 Issue 6, p064907, 6p, 7 Black and White Photographs, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Polarized Raman spectroscopy of multilayer Ge/Si(001) quantum dot heterostructures.
Autorzy :
Baranov, A. V.
Fedorov, A. V.
Perova, T. S.
Moore, R. A.
Solosin, S.
Yam, V.
Bouchier, D.
Le Thanh, V.
Pokaż więcej
Temat :
HETEROSTRUCTURES
QUANTUM dots
SILICON crystals
GERMANIUM crystals
BACKSCATTERING
RAMAN spectroscopy
GEOMETRY
Źródło :
Journal of Applied Physics; 9/1/2004, Vol. 96 Issue 5, p2857-2863, 7p, 2 Diagrams, 2 Charts, 6 Graphs
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies