Autor: "Brunkov, P. N." - OpacWWW - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Brunkov, P. N."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-5 z 5

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: The Effect of the Method by Which a High-Resistivity GaN Buffer Layer Is Formed on Properties of InAlN/GaN and AlGaN/GaN Heterostructures with 2D Electron Gas.
Autorzy:: Lundin, V. V.
Sakharov, A. V.
Zavarin, E. E.
Zakgeim, D. A.
Nikolaev, A. E.
Brunkov, P. N.
Yagovkina, M. A.
Tsatsul’nikov, A. F.; Pokaż więcej
Temat:: GALLIUM nitride
METAL organic chemical vapor deposition
ELECTRIC conductivity
CRYSTAL growth
EPITAXIAL layers
Źródło:: Technical Physics Letters; Jul2018, Vol. 44 Issue 7, p577-580, 4p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Capacitance Study of Electron Traps in Low-Temperature-Grown GaAs.
Autorzy:: Brunkov, P. N.
Gutkin, A. A.
Moiseenko, A. K.
Musikhin, Yu. G.
Chaldyshev, V. V.
Cherkashin, N. N.
Konnikov, S. G.
Preobrazhenski&icaron;, V. V.
Putyato, M. A.
Semyagin, B. R.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Apr2004, Vol. 38 Issue 4, p387-392. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Carrier Density Profile in Weakly Coupled GaAs/AlGaAs Superlattices.
Autorzy:: Brunkov, P. N. brunkov@mail.ioffe.ru
Usov, S. O.
Musikhin, Yu G.
Zhukov, A. E.
Cirlin, G. E.
Ustinov, V. M.
Konnikov, S. G.
Rasulova, G. K.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Apr2004, Vol. 38 Issue 4, p451-454. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Cathodoluminescence from dilute GaN x As1− x solutions ( x ≤ 0.03).
Autorzy:: Brunkov, P. N.
Gutkin, A. A.
Zamoryanskaya, M. V.
Khrustalev, V. S.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Nov2007, Vol. 41 Issue 11, p1297-1299. 3p. 3 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: P--i--n Structures Based on High-Ohmic Gettered Gallium Arsenide for α Particle Detectors.
Autorzy:: Gorelenok, A. T.
Tomasov, A. A.
Shmidt, N. M.
Il’ichev, É. A.
Lantratov, V. M.
Zadiranov, Yu. M.
Brunkov, P. N.
Titkova, O. V.
Kalyuzhnyĭ, N. A.
Mintarov, S. A.
Mdivani, V. N.
Katsoev, V. V.
Katsoev, L. V.
Shmelev, S. S.; Pokaż więcej
Temat:: MICROWAVE detectors
POSITION sensitive particle detectors
ELECTRIC conductivity
GALLIUM arsenide
SEMICONDUCTORS
ENGINEERING instruments
Źródło:: Technical Physics Letters; Nov2006, Vol. 32 Issue 11, p987-989, 3p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Wyświetlanie 1-5 z 5

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies