Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Burnham, J. A."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Cyberbullying: What Middle School Students Want You to Know
Autorzy :
Burnham, J. J.; Wright, V. H.
Źródło :
Alabama Counseling Association Journal, v38 n1 p3-12 Fall 2012. 10 pp.
Recenzowane naukowo :
Y
Deskryptory :
Middle School Students, Focus Groups, Middle Schools, Adolescents, Adolescent Attitudes, Qualitative Research, Internet, Bullying, Computers, Social Networks, Interviews, Measures (Individuals)
Typ publikacji :
Journal Articles; Reports - Research
Kod czasopisma :
APR2018
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Real time spectroellipsometry characterization of optical gap profiles in compositionally-graded semiconductor structures: Applications to bandgap engineering in amorphous silicon-carbon alloy solar cells.
Autorzy :
Kim, Sangbo
Burnham, J. S.
Koh, Joohyun
Jiao, Lihong
Wronski, C. R.
Collins, R. W.
Pokaż więcej
Temat :
THIN films
SEMICONDUCTORS
CHEMICAL vapor deposition
Źródło :
Journal of Applied Physics; 8/15/1996, Vol. 80 Issue 4, p2420, 10p, 1 Chart, 8 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Ultrathin conformal multilayer SiNO dielectric cap for capacitance reduction in Cu/low k interconnects.
Autorzy :
Priyadarshini, Deepika
Nguyen, S.
Shobha, H.
Cohen, S.
Shaw, T.
Parks, C.
Adams, E.
Burnham, J.
Liniger, E.
Hu, C.K.
Collins, D.
Spooner, T.
Grill, A.
Canaperi, D.
Paruchuri, Vamsi
Edelstein, D.
Pokaż więcej
Źródło :
2016 IEEE International Interconnect Technology Conference / Advanced Metallization Conference (IITC/AMC); 2016, p92-94, 3p
Konferencja

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies