- Tytuł:
- Specific features of the photoexcitation spectra of epitaxial InN layers grown by molecular-beam epitaxy with the plasma activation of nitrogen.
- Autorzy:
- Źródło:
- Semiconductors. Dec2017, Vol. 51 Issue 12, p1537-1541. 5p.
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.