- Tytuł:
- Unpassivated GaN/AlGaN/GaN power high electron mobility transistors with dispersion controlled by epitaxial layer design
- Autorzy:
- Źródło:
- Journal of Electronic Materials. May 2004 33(5):422-425
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.