Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""CRYSTAL lattices"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
Stability and interdiffusion of short-period Si/Ge strained layer superlattices
Współwytwórcy :
Abstreiter, G [Walter Schottky Inst. der TU Muenchen, Garching (Germany)]
Źródło :
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 37. national American Vacuum Society symposium, Toronto (Canada), 8-12 Oct 1990
Materiał oryginalny :
CONF-901035--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 2045-2047
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/7306059
Konferencja
Tytuł :
Optical spectroscopy of (001) GaAs and AlAs under molecular-beam epitaxy growth conditions
Współwytwórcy :
Harbison, J [Bellcore, Red Bank, NJ (United States)]
Źródło :
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :
CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 2263-2267
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/7306039
Konferencja
Tytuł :
Measurement of the CdSe/ZnTe valence band offset by x-ray photoelectron spectroscopy
Współwytwórcy :
McGill, T [California Inst. of Tech., Pasadena (United States)]
Źródło :
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :
CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 2233-2237
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/7305814
Konferencja
Tytuł :
Electron microscopy study of microvoid generation in molecular-beam epitaxy-grown silicon
Współwytwórcy :
Houghton, D [Inst. for Microstructural Sciences, Ottawa, Ontario (Canada)]
Źródło :
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 37. national American Vacuum Society symposium, Toronto (Canada), 8-12 Oct 1990
Materiał oryginalny :
CONF-901035--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 2034-2038
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/7237819
Konferencja
Tytuł :
Quantum devices using SiGe/Si heterostructures
Współwytwórcy :
Wang, K [Univ. of California, Los Angeles (United States)]
Źródło :
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 37. national American Vacuum Society symposium, Toronto (Canada), 8-12 Oct 1990
Materiał oryginalny :
CONF-901035--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 2064-2071
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/7237670
Konferencja
Tytuł :
Schottky barrier heights for GaAs diodes fabricated at low temperatures
Współwytwórcy :
Williams, R [Univ. of Wales, Cardiff (United Kingdom)]
Źródło :
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :
CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 2118-2121
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/7237656
Konferencja
Tytuł :
Surface reconstructions and surface energies of monolayer-coverage cation-terminated Ga sub 0. 5 In sub 0. 5 P(001) surfaces
Współwytwórcy :
Zunger, A [Solar Energy Research Inst., Golden, CO (United States)]
Źródło :
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :
CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 2176-2181
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/7237532
Konferencja
Tytuł :
Fine structure in superconducting and other alloys, studied by electron microprobe analysis. [As--Pd, Au--Ba, Rh--Zr]
Współwytwórcy :
Matthias, B
Źródło :
Conference: 2. national meeting of the Society for Applied Spectroscopy, San Diego, CA, USA, Oct 1963; Other Information: Conference paper
Materiał oryginalny :
CONF-313-4
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 3
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/5032425
Książka
Tytuł :
An x-ray photoelectron spectroscopy study of bonding at II-VI/III-V heterovalent interfaces
Współwytwórcy :
Otsuka, N [Purdue Univ., West Lafayette, IN (United States)]
Źródło :
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :
CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 2171-2175
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/7115811
Konferencja
Tytuł :
The growth of cubic CdS on InP(110) studied in situ by Raman spectroscopy
Współwytwórcy :
Thomas, A [Sektion Physik der TU Dresden (Germany)]
Źródło :
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :
CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 2206-2211
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/7115803
Konferencja
Tytuł :
Arsenic coverage dependence of the angular distribution of secondary ions desorbed from the GaAs(001)(2 times 4) surface
Współwytwórcy :
Winograd, N [Pennsylvania State Univ., University Park (United States)]
Źródło :
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :
CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 2268-2276
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/7115799
Konferencja
Tytuł :
The influence of Sb as a surfactant on the strain relaxation of Ge/Si(001)
Współwytwórcy :
Norris, C [Univ. of Leicester (United Kingdom)]
Źródło :
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :
CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 2146-2149
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/7115768
Konferencja
Tytuł :
Nonuniform strain profiles in cubic CdS/GaAs films measured by reflection high energy electron diffraction and Raman spectroscopy
Współwytwórcy :
Hoechst, H [Univ. of Wisconsin, Madison, Stoughton (United States)]
Źródło :
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :
CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 2202-2205
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/7115762
Konferencja
Tytuł :
Mechanisms controlling growth quality of Si-Ge superlattices in different growth directions
Współwytwórcy :
Sarma, S [Univ. of Maryland, College Park (United States)]
Źródło :
Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :
CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 2198-2201
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/7047873
Konferencja
Tytuł :
Ca sub 4 Bi sub 6 O sub 13 , a compound containing an unusually low bismuth coordination number and short Bi hor ellipsis Bi contacts
Współwytwórcy :
Burton, B [National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD (USA)]
Źródło :
Chemistry of Materials; (USA); 2:4
Materiał oryginalny :
CODEN: CMATE
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 454-458
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/6387836
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Crystal structure of boggsite, a new high-silica zeolite with the first three-dimensional channel system bounded by both 12- and 10-rings
Współwytwórcy :
Smith, J [Univ. of Chicago, IL (USA)]
Źródło :
American Mineralogist; (USA); 75:5-6
Materiał oryginalny :
CODEN: AMMIA
Opis pliku :
Medium: X; Size: Pages: 501-507
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/biblio/6304358
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies