Temat: "CRYSTAL lattices" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Stability and interdiffusion of short-period Si/Ge strained layer superlattices
Współwytwórcy :: Abstreiter, G [Walter Schottky Inst. der TU Muenchen, Garching (Germany)]
Źródło :: Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 37. national American Vacuum Society symposium, Toronto (Canada), 8-12 Oct 1990
Materiał oryginalny :: CONF-901035--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 2045-2047
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/7306059
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Optical spectroscopy of (001) GaAs and AlAs under molecular-beam epitaxy growth conditions
Współwytwórcy :: Harbison, J [Bellcore, Red Bank, NJ (United States)]
Źródło :: Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :: CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 2263-2267
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/7306039
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Measurement of the CdSe/ZnTe valence band offset by x-ray photoelectron spectroscopy
Współwytwórcy :: McGill, T [California Inst. of Tech., Pasadena (United States)]
Źródło :: Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :: CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 2233-2237
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/7305814
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Electron microscopy study of microvoid generation in molecular-beam epitaxy-grown silicon
Współwytwórcy :: Houghton, D [Inst. for Microstructural Sciences, Ottawa, Ontario (Canada)]
Źródło :: Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 37. national American Vacuum Society symposium, Toronto (Canada), 8-12 Oct 1990
Materiał oryginalny :: CONF-901035--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 2034-2038
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/7237819
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Quantum devices using SiGe/Si heterostructures
Współwytwórcy :: Wang, K [Univ. of California, Los Angeles (United States)]
Źródło :: Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 37. national American Vacuum Society symposium, Toronto (Canada), 8-12 Oct 1990
Materiał oryginalny :: CONF-901035--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 2064-2071
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/7237670
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Schottky barrier heights for GaAs diodes fabricated at low temperatures
Współwytwórcy :: Williams, R [Univ. of Wales, Cardiff (United Kingdom)]
Źródło :: Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :: CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 2118-2121
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/7237656
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Surface reconstructions and surface energies of monolayer-coverage cation-terminated Ga sub 0. 5 In sub 0. 5 P(001) surfaces
Współwytwórcy :: Zunger, A [Solar Energy Research Inst., Golden, CO (United States)]
Źródło :: Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :: CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 2176-2181
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/7237532
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Fine structure in superconducting and other alloys, studied by electron microprobe analysis. [As--Pd, Au--Ba, Rh--Zr]
Współwytwórcy :: Matthias, B
Źródło :: Conference: 2. national meeting of the Society for Applied Spectroscopy, San Diego, CA, USA, Oct 1963; Other Information: Conference paper
Materiał oryginalny :: CONF-313-4
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 3
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/5032425
: Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: An x-ray photoelectron spectroscopy study of bonding at II-VI/III-V heterovalent interfaces
Współwytwórcy :: Otsuka, N [Purdue Univ., West Lafayette, IN (United States)]
Źródło :: Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :: CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 2171-2175
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/7115811
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: The growth of cubic CdS on InP(110) studied in situ by Raman spectroscopy
Współwytwórcy :: Thomas, A [Sektion Physik der TU Dresden (Germany)]
Źródło :: Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :: CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 2206-2211
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/7115803
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Arsenic coverage dependence of the angular distribution of secondary ions desorbed from the GaAs(001)(2 times 4) surface
Współwytwórcy :: Winograd, N [Pennsylvania State Univ., University Park (United States)]
Źródło :: Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :: CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 2268-2276
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/7115799
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: The influence of Sb as a surfactant on the strain relaxation of Ge/Si(001)
Współwytwórcy :: Norris, C [Univ. of Leicester (United Kingdom)]
Źródło :: Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :: CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 2146-2149
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/7115768
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Nonuniform strain profiles in cubic CdS/GaAs films measured by reflection high energy electron diffraction and Raman spectroscopy
Współwytwórcy :: Hoechst, H [Univ. of Wisconsin, Madison, Stoughton (United States)]
Źródło :: Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :: CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 2202-2205
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/7115762
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Mechanisms controlling growth quality of Si-Ge superlattices in different growth directions
Współwytwórcy :: Sarma, S [Univ. of Maryland, College Park (United States)]
Źródło :: Journal of Vacuum Science and Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena; (United States); 9:4; Conference: 18. annual conference on physics and chemistry of semiconductor interfaces, Long Beach, CA (United States), 29 Jan - 1 Feb 1991
Materiał oryginalny :: CONF-910115--
CODEN: JVTBD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 2198-2201
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/7047873
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Ca sub 4 Bi sub 6 O sub 13 , a compound containing an unusually low bismuth coordination number and short Bi hor ellipsis Bi contacts
Współwytwórcy :: Burton, B [National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD (USA)]
Źródło :: Chemistry of Materials; (USA); 2:4
Materiał oryginalny :: CODEN: CMATE
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 454-458
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/6387836
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: Crystal structure of boggsite, a new high-silica zeolite with the first three-dimensional channel system bounded by both 12- and 10-rings
Współwytwórcy :: Smith, J [Univ. of Chicago, IL (USA)]
Źródło :: American Mineralogist; (USA); 75:5-6
Materiał oryginalny :: CODEN: AMMIA
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 501-507
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/6304358
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: The martensitic transformation in sodium metal
Współwytwórcy :: Copley, J
Źródło :: Applied Physics Communications; (USA); 10:1-2
Materiał oryginalny :: CODEN: APCOD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 177
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/6292551
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: Dispersive propagation of phonons in crystals
Współwytwórcy :: Wolfe, J
Źródło :: Appl. Phys. Commun.; (United States); 7:1-2
Materiał oryginalny :: CODEN: APCOD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 97
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/6233296
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: Numerical studies of diffusion in the presence of finite traps
Współwytwórcy :: Culvahous, J
Źródło :: Appl. Phys. Commun.; (United States); 7:1-2
Materiał oryginalny :: CODEN: APCOD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 88
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/6202563
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Dipolar broadening in magnetically diluted lattices
Współwytwórcy :: Fedders, P
Źródło :: Appl. Phys. Commun.; (United States); 7:1-2
Materiał oryginalny :: CODEN: APCOD
Opis pliku :: Medium: X; Size: Pages: 86-87
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/biblio/6202564
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""CRYSTAL lattices"" wg kryterium: Temat

Aktywne filtry:

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Język