Temat: "CRYSTAL lattices" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Influence of Rapid Thermal Annealing on the Distribution of Nitrogen Atoms in GaAsN/GaAs.
Autorzy:: Lazarenko, A. A.
Shubina, K. Yu.
Nikitina, E. V.
Pirogov, E. V.
Mizerov, A. M.
Sobolev, M. S.; Pokaż więcej
Temat:: RAPID thermal processing
AUDITING standards
GALLIUM arsenide
CRYSTAL lattices
NITROGEN
Źródło:: Semiconductors; Dec2023, Vol. 57 Issue 12, p550-553, 4p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial GaInP alloys on their structural and morphological properties.
Autorzy:: Seredin, P.
Lenshin, A.
Khudyakov, Yu.
Arsentyev, I.
Kaliuzhny, N.
Mintairov, S.
Nikolaev, D.
Prutskij, Tatiana; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Aug2017, Vol. 51 Issue 8, p1087-1092. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Microstructure and Phase Composition of an Alloy of Iron and Chrome Disilicides.
Autorzy:: Suvorova, E. I. (AUTHOR)
Solomkin, F. Yu. (AUTHOR)
Arkharova, N. A. (AUTHOR)
Sharenkova, N. V. (AUTHOR)
Isachenko, G. N. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Feb2023, Vol. 57 Issue 2, p143-147. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Light and Heavy Excitons in Strained CdTe/CdZnTe Quantum Wells.
Autorzy:: Kotova, L. V.
Belova, D. D.
Andre, R.
Mariette, H.
Kochereshko, V. P.; Pokaż więcej
Temat:: EXCITON theory
QUANTUM wells
PHOTONS
CRYSTAL lattices
STRAINS & stresses (Mechanics)
PHOTOLUMINESCENCE
Źródło:: Semiconductors; Feb2023, Vol. 57 Issue 2, p112-120, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Ballistic magnetotransport in a suspended two-dimensional electron gas with periodic antidot lattices.
Autorzy:: Zhdanov, E.
Pogosov, A.
Budantsev, M.
Pokhabov, D.
Bakarov, A.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Jan2017, Vol. 51 Issue 1, p8-13. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Effect of Sacrificial Mg2Si Layers and Kinetic Parameters on the Growth, Structure, and Optical Properties of Thin Ca2Si Films on Silicon Substrates.
Autorzy:: Galkin, N. G.
Galkin, K. N.
Chernev, I. M.
Kropachev, O. V.
Goroshko, D. L.
Dotsenko, S. A.
Subbotin, E. Yu.
Migas, D. B.; Pokaż więcej
Temat:: SILICON films
THIN films
THICK films
OPTICAL properties
CRYSTAL lattices
MAGNESIUM
Źródło:: Semiconductors; Dec2022, Vol. 56 Issue 7-12, p367-381, 15p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Lattice vibrations of ZnCdSe semiconductor alloy in the two-mode and percolation models of rearrangement of the vibrational spectrum with the composition.
Autorzy:: Kozyrev, S.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Oct2014, Vol. 48 Issue 10, p1261-1266. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Optical reflection from the Bragg lattice of AsSb metal nanoinclusions in an AlGaAs matrix.
Autorzy:: Ushanov, V.
Chaldyshev, V.
Preobrazhenskii, V.
Putyato, M.
Semyagin, B.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Aug2013, Vol. 47 Issue 8, p1046-1050. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Fabrication technology of heterojunctions in the lattice of a 2D photonic crystal based on macroporous silicon.
Autorzy:: Zharova, Yu.
Fedulova, G.
Astrova, E.
Baldycheva, A.
Tolmachev, V.
Perova, T.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Aug2011, Vol. 45 Issue 8, p1103-1110. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Effect of silicon on relaxation of the crystal lattice in MOCVD-hydride AlGaAs:Si/GaAs(100) heterostructures.
Autorzy:: Seredin, P.
Glotov, A.
Ternovaya, V.
Domashevskaya, E.
Arsentyev, I.
Vinokurov, D.
Stankevich, A.
Tarasov, I.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Apr2011, Vol. 45 Issue 4, p481-492. 12p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Spin-lattice relaxation of F nuclear spins in the crystal lattice of CdF2 semiconductor crystals with DX centers.
Autorzy:: Kazanskii, S. A.
Warren, Jr., W. W.
Ryskin, A. I.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Aug2009, Vol. 43 Issue 8, p985-992. 8p. 1 Chart, 5 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: The effects of the porous buffer layer and doping with dysprosium on internal stresses in the GaInP:Dy/por-GaAs/GaAs(100) heterostructures.
Autorzy:: Seredin, P. V.
Gordienko, N. N.
Glotov, A. V.
Zhurbina, I. A.
Domashevskaya, E. P.
Arsent'ev, I. N.
Shishkov, M. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Aug2009, Vol. 43 Issue 8, p1098-1101. 4p. 1 Diagram, 1 Chart, 2 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Structural peculiarities of 4 H-SiC irradiated by Bi ions.
Autorzy:: Kalinina, E.V.
Skuratov, V.A.
Sitnikova, A.A.
Kolesnikova, E.V.
Tregubova, A.S.
Shcheglov, M.P.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Apr2007, Vol. 41 Issue 4, p376-380. 5p. 3 Black and White Photographs, 6 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Study of Certain Properties of Si–Si1 – xGex (0≤x≤1) Structures Grown from a Restricted Tin-Based Solution–Melt by Liquid-Phase Epitaxy.
Autorzy:: Sapaev, B.
Saidov, A. S.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Oct2005, Vol. 39 Issue 10, p1141-1146. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Effects of Pressure and Hydrogen on the Formation of Vacancies and Divacancies in Crystalline Silicon.
Autorzy:: Zavodinsky, V. G.
Gnidenko, A. A.
Misiuk, A.
Bak-Misiuk, J.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Nov2004, Vol. 38 Issue 11, p1241-1244. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Effect of In and Al Content on Characteristics of Intrinsic Defects in GaAs-Based Quantum Dots.
Autorzy:: Bezyazychnaya, T. V.
Zelenkovski&icaron;, V. M.
Ryabtsev, G. I.
Sobolev, M. M.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Feb2004, Vol. 38 Issue 2, p209-212. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: The Investigation of Structural Perfection of Cd[sub x]Hg[sub 1 – x]Te/CdZnTe Epitaxial Layers by the Raman Scattering Method.
Autorzy:: Belogorokhov, A.I.
Denisov, I.A.
Smirnova, N.A.
Belogorokhova, L.I.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Jan2004, Vol. 38 Issue 1, p82-90. 9p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Strains and Crystal Lattice Defects Arising in Macroporous Silicon under Oxidation.
Autorzy:: Astrova, E. V.
Ratnikov, V. V.
Remenyuk, A. D.
Shul’pina, I. L.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Sep2002, Vol. 36 Issue 9, p1033. 10p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Microdeformations of the crystal lattice of PbTeBr solid solutions.
Autorzy:: Sharov, M.
Kabanova, K.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Nov2014, Vol. 48 Issue 11, p1405-1407. 3p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Thermal Expansion and Thermal Conductivity of (In2S3)x(AgIn5S8)1 –x Alloys.
Autorzy:: Bodnar, I. V.
Feshchenko, A. A.
Khoroshko, V. V.; Pokaż więcej
Temat:: THERMAL conductivity
THERMAL expansion
DEBYE temperatures
ALLOYS
CRYSTAL lattices
Źródło:: Semiconductors; Feb2021, Vol. 55 Issue 2, p133-136, 4p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""CRYSTAL lattices"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Język

Rok publikacji