- Tytuł:
- Analysis using a two-layer model of the transport properties of InGaN epilayers grown on GaN template substrate
- Autorzy:
- Źródło:
- In Materials Science in Semiconductor Processing 15 June 2022 144
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.