Autor: "Cheng, Chao-Ching" - OpacWWW - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Cheng, Chao-Ching"" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-8 z 8

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Ultralow contact resistance between semimetal and monolayer semiconductors
Autorzy:: Shen, Pin-Chun
Su, CongAff2, Aff3, Aff4, Aff5
Lin, YuxuanAff1, Aff6
Chou, Ang-ShengAff7, Aff8
Cheng, Chao-Ching
Park, Ji-Hoon
Chiu, Ming-HuiAff1, Aff9
Lu, Ang-Yu
Tang, Hao-LingAff1, Aff9
Tavakoli, Mohammad Mahdi
Pitner, Gregory
Ji, Xiang
Cai, Zhengyang
Mao, Nannan
Wang, Jiangtao
Tung, Vincent
Li, Ju
Bokor, JeffreyAff4, Aff6
Zettl, AlexAff2, Aff3, Aff4
Wu, Chih-I
Palacios, Tomás
Li, Lain-Jong
Kong, Jing; Pokaż więcej
Źródło:: Nature: International weekly journal of science. 593(7858):211-217

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Statistical Assessment of High-Performance Scaled Double-Gate Transistors from Monolayer WS2.
Autorzy:: Sun, Zheng
Pang, Chin-Sheng
Wu, Peng
Hung, Terry Y.T.
Li, Ming-Yang
Liew, San Lin
Cheng, Chao-Ching
Wang, Han
Wong, H.-S. Philip
Li, Lain-Jong
Radu, Iuliana
Chen, Zhihong
Appenzeller, Joerg; Pokaż więcej
Źródło:: ACS Nano; 9/27/2022, Vol. 16 Issue 9, p14942-14950, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Impact of post-deposition-annealing on the electrical characteristics of HfOxNy gate dielectric on Ge substrate
Autorzy:: Cheng, Chao-Ching
Chien, Chao-Hsin
Chen, Ching-Wei
Hsu, Shih-Lu
Yang, Ming-Yi
Huang, Chien-Chao
Yang, Fu-Liang
Chang, Chun-Yen; Pokaż więcej
Źródło:: In Microelectronic Engineering 17 June 2005 80:30-33

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: High-Performance WSe2Top-Gate Devices with Strong Spacer Doping
Autorzy:: Ho, Po-Hsun
Yang, Yu-Ying
Chou, Sui-An
Cheng, Ren-Hao
Pao, Po-Heng
Cheng, Chao-Ching
Radu, Iuliana
Chien, Chao-Hsin; Pokaż więcej
Źródło:: Nano Letters; 20230101, Issue: Preprints

Periodyk

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Impact of post-deposition-annealing on the electrical characteristics of HfOxNy gate dielectric on Ge substrate
Autorzy:: Cheng, Chao-Ching
Chien, Chao-Hsin
Chen, Ching-Wei
Hsu, Shih-Lu
Yang, Ming-Yi
Huang, Chien-Chao
Yang, Fu-Liang
Chang, Chun-Yen; Pokaż więcej
Źródło:: Microelectronic Engineering. Jun2005, Vol. 80, p30-33. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-8 z 8

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies