- Tytuł:
- Electron traps and growth rate of buffer layers in unintentionally doped GaN
- Autorzy:
- Źródło:
- Journal of Crystal Growth; 2001, Vol. 223 Issue: 1-2 p38-42, 5p
Periodyk
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.