Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:

Dysprosium oxide (Dy2O3) layer effect on the interface possessions of Au/n-GaN Schottky diode as an interlayer and its chemical and microstructural features

Autorzy:

Reddy, D. Surya
Rajagopal Reddy, V.
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Materials Science in Semiconductor Processing April 2024 173

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:

Optical, morphological and electrical properties of rapid thermally annealed CoPc/n-Ge heterostructures for photodiode applications

Autorzy:

Pavani, M.
Ashok Kumar, A.
Rajagopal Reddy, V.
Kaleemulla, S.
Jyothi, I.
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Materials Science & Engineering B February 2024 300

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:

Analysis of Photodiode and Barrier Properties of CoPc/n-Ge Heterojunction under various Illumination Wavelengths

Autorzy:

Pavani, M
Ashok Kumar, A
Reddy, Rajagopal, V
Kaleemulla, S
Janardhanam, V
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Optik April 2024

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:

Enhancing the performance of surface-textured Ge Schottky photodetectors using the electroless chemical etching method

Autorzy:

Zumuukhorol, Munkhsaikhan
Boldbaatar, Sosorburam
Khurelbaatar, Zagarzusem
Baek, Ji-Yoon
Shim, Kyu-Hwan
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Materials Science in Semiconductor Processing January 2024 169

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:

Chemical states and electrical features of Ti/CaTiO3 (CT)/p-InP MIS-type Schottky diode with a high-k CT interlayer

Autorzy:

Sai Krupa, S.
Rajagopal Reddy, V.
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Materials Science in Semiconductor Processing January 2024 169

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:

Exploration of microstructural, chemical states and electrical features of the Au/Er2O3/n-GaN MIS diode with a Er2O3 interlayer

Autorzy:

Reddy, D. Surya
Reddy, V. Rajagopal
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Materials Science & Engineering B December 2023 298

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:

Carrier transport across PtSe2/n-type GaN heterojunction

Autorzy:

Janardhanam, V.
Kim, Jong-Hee
Jyothi, I.
Kang, Min-Sung
Lee, Sang-Kwon
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Vacuum December 2023 218

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:

Self-powered MoS2/n-type GaN heterojunction photodetector with broad spectral response in ultraviolet–visible–near-infrared range

Autorzy:

Janardhanam, V.
Zummukhozol, M.
Jyothi, I.
Shim, Kyu-Hwan
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Sensors and Actuators: A. Physical 1 October 2023 360

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:

Modification of interface properties of Au/n-GaN Schottky junction by rare-earth oxide Nd2O3 as an interlayer and its microstructural characterization

Autorzy:

Reddy, D. Surya
Janardhanam, V.
Reddy, V. Rajagopal
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Vacuum September 2023 215

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:

Temperature-dependent Schottky diode behavior of Ni Schottky contacts to α-Ga2O3 film epitaxially grown on sapphire substrate

Autorzy:

Boldbaatar, Sosorburam
Janardhanam, V.
Zumuukhorol, Munkhsaikhan
Lee, Hoon-Ki
Lee, Hae-Yong
Kim, Hyo Jung
Shim, Kyu-Hwan
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Materials Science in Semiconductor Processing 15 August 2023 163

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:

Broadband photodetector based on MoS2/Ge heterojunction for optoelectronic applications

Autorzy:

Zumuukhorol, M.
Khurelbaatar, Z.
Kim, Dong-Ho
Shim, Kyu-Hwan
Janardhanam, V.
Reddy, V. Rajagopal
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Vacuum March 2023 209

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:

Dose-dependency of contact resistance and sheet resistance of B-implanted emitters for N-type crystalline Si solar cells fabricated using screen-printed fire-through Ag/Al paste metallization process

Autorzy:

Ok, Young-Woo
Kim, Jong-Hee
Upadhyaya, Vijaykumar D.
Rohatgi, Ajeet
Hong, Chang-HeeAff2, IDs40042023007527_cor5
Choi, Chel-JongAff2, IDs40042023007527_cor6

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of the Korean Physical Society. 82(7):707-711

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:

Analysis of microstructure, chemical state and electrical features of Ti/WO3/p-InP heterojunction with a tungsten oxide insulating layer

Autorzy:

Ashajyothi, S.
Reddy, V. RajagopalAff1, IDs1085402310893x_cor2
Choi, Chel-JongAff2, IDs1085402310893x_cor3

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 34(19)

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:

High gain GaN ultraviolet Schottky photodetector with Al-doped ZnO interlayer

Autorzy:

Janardhanam, V.
Jyothi, I.
Zumuukhorol, M.
Yuk, Shim-Hoon
Shim, Kyu-Hwan
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Surfaces and Interfaces December 2021 27

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:

Highly luminescent In2S3 thin films with preferred growth direction of [1 0 3]

Autorzy:

Sim, Yumin
Kim, Jinbae
Chang, Seo Hyoung
Choi, Chel-Jong
Seong, Maeng-Je

Pokaż więcej

Źródło:

In Applied Surface Science 30 July 2021 555

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:

Temperature dependent Schottky barrier characteristics of Al/n-type Si Schottky barrier diode with Au–Cu phthalocyanine interlayer

Autorzy:

Sekhar Reddy, P.R.
Janardhanam, V.
Shim, Kyu-Hwan
Lee, Sung-Nam
Kumar, A. Ashok
Reddy, V. Rajagopal
Choi, Chel Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Thin Solid Films 1 November 2020 713

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:

Water and air friendly alkali metals synthesis of the h-BN-C QDTs and the utilization in the non-volatile resistive switching memory devices

Autorzy:

Rani, Adila
Gwon park, Hyun
Song, Da Som
Choi, Chel-Jong
Lim, JongSun
Bu, Sang Don

Pokaż więcej

Źródło:

In Current Applied Physics September 2020 20(9):1001-1007

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:

Improvement of dry etch-induced surface roughness of single crystalline β-Ga2O3 using post-wet chemical treatments

Autorzy:

Lee, Hoon-Ki
Yun, Hyung-Joong
Shim, Kyu-Hwan
Park, Hyun-Gwon
Jang, Tae-Hoon
Lee, Sung-Nam
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Applied Surface Science 15 March 2020 506

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:

Concurrent Thermal Reduction and Boron-Doped Graphene Oxide by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition for Ultraviolet Sensing Application.

Autorzy:

Ryu, Beo Deul
Jang, Hyeon-Sik
Ko, Kang Bok
Han, Min
Cuong, Tran Viet
Choi, Chel-Jong
Hong, Chang-Hee

Pokaż więcej

Temat:

CHEMICAL vapor deposition
DOPING agents (Chemistry)
X-ray photoelectron spectroscopy
SCHOTTKY barrier
BORON
MERCURY vapor

Źródło:

Applied Nano; Mar2024, Vol. 5 Issue 1, p1-13, 13p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:

Microstructural Evolution of Ni-Stanogermanides and Sn Segregation during Interfacial Reaction between Ni Film and Ge 1−x Sn x Epilayer Grown on Si Substrate.

Autorzy:

Jang, Han-Soo
Kim, Jong Hee
Janardhanam, Vallivedu
Jeong, Hyun-Ho
Kim, Seong-Jong
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Temat:

GERMANIUM films
INTERFACIAL reactions
SURFACE segregation
RAPID thermal processing
TIN

Źródło:

Crystals (2073-4352); Feb2024, Vol. 14 Issue 2, p134, 11p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:

Fermi-level depinning in metal/Ge interface using oxygen plasma treatment

Autorzy:

Janardhanam, Vallivedu
Yun, Hyung-Joong
Jyothi, Inapagundla
Yuk, Shim-Hoon
Lee, Sung-Nam
Won, Jonghan
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Applied Surface Science 1 January 2019 463:91-95

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:

Electrical and carrier transport properties of Ti/α-amylase/p-InP MPS junction with a α-amylase polymer interlayer

Autorzy:

Reddy, V. Rajagopal
Prasad, C. Venkata
Janardhanam, V.
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 32(6):8092-8105

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:

Double Gaussian barrier distribution of permalloy (Ni0.8Fe0.2) Schottky contacts to n-type GaN

Autorzy:

Janardhanam, V.
Jyothi, I.
Sekhar Reddy, P.R.
Cho, Jaehee
Cho, Jeong-Mook
Choi, Chel-Jong
Lee, Sung-Nam
Rajagopal Reddy, V.

Pokaż więcej

Źródło:

In Superlattices and Microstructures August 2018 120:508-516

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:

Microstructural, chemical states and electrical properties of Au/CuO/n-InP heterojunction with a cupric oxide interlayer

Autorzy:

Balaram, N.
Rajagopal Reddy, V.
Sekhar Reddy, P.R.
Janardhanam, V.
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Vacuum June 2018 152:15-24

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:

Effects of Rapid Thermal Annealing on the Structural, Optical, and Electrical Properties of Au/CuPc/n-Si (MPS)-type Schottky Barrier Diodes

Autorzy:

Sekhar Reddy, P. R.Aff1, Aff2
Janardhanam, V.
Rajagopal Reddy, V.
Park, Min Hyuk
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing. 127(10)

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:

Microstructural and electrical properties of Al/n-type Si Schottky diodes with Au-CuPc nanocomposite films as interlayer

Autorzy:

Reddy, P.R. Sekhar
Janardhanam, V.
Jyothi, I.
Chang, Han-Soo
Lee, Sung-Nam
Lee, Myung Sun
Reddy, V. Rajagopal
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Superlattices and Microstructures November 2017 111:506-517

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Tytuł:

Electrical and frequency-dependent properties of Au/Sm2O3/n-GaN MIS junction with a high-k rare-earth Sm2O3 as interlayer

Autorzy:

Manjunath, V.
Rajagopal Reddy, V.
Sekhar Reddy, P.R.
Janardhanam, V.
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Current Applied Physics July 2017 17(7):980-988

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Tytuł:

Effects of finger dimension on low-frequency noise and optoelectronic properties of Ge metal-semiconductor-metal photodetectors with interdigitated Pt finger electrodes

Autorzy:

Zumuukhorol, Munkhsaikhan
Khurelbaatar, Zagarzusem
Yuk, Shim-Hoon
Won, Jonghan
Lee, Sung-Nam
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Microelectronics Reliability February 2017 69:60-65

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Tytuł:

Schottky Barrier Parameters and Low-Frequency Noise Characteristics of Au/Ni Contact to n-Type β-Ga2O3

Autorzy:

Sekhar Reddy, P. R.
Janardhanam, V.
Lee, Hoon-Ki
Shim, Kyu-HwanAff1, Aff2
Lee, Sung-Nam
Rajagopal Reddy, V.
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Electronic Materials. 49(1):297-305

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Tytuł:

Effect of rare-earth Pr6O11 insulating layer on the electrical properties of Au/n-GaN Schottky electrode and its chemical and structural characterization

Autorzy:

Uma, M.
Rajagopal Reddy, V.
Janardhanam, V.
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 30(20):18710-18719

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Tytuł:

Structural, Chemical and Electrical Properties of Au/La2O3/n-GaN MIS Junction with a High-k Lanthanum Oxide Insulating Layer

Autorzy:

Uma, M.
Balaram, N.
Sekhar Reddy, P. R.
Janardhanam, V.
Rajagopal Reddy, V.
Yun, Hyung-Joong
Lee, Sung-Nam
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Electronic Materials. 48(7):4217-4225

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Tytuł:

The low temperature epitaxy of Ge on Si (1 0 0) substrate using two different precursors of GeH4 and Ge2H6

Autorzy:

Kil, Yeon-Ho
Yuk, Sim-Hoon
Kim, Joung Hee
Kim, Taek Sung
Kim, Yong Tae
Choi, Chel-Jong
Shim, Kyu-Hwan

Pokaż więcej

Źródło:

In Solid State Electronics October 2016 124:35-41

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:

Effects of Ta-oxide interlayer on the Schottky barrier parameters of Ni/n-type Ge Schottky barrier diode

Autorzy:

Lee, Hoon-Ki
Jyothi, I.
Janardhanam, V.
Shim, Kyu-Hwan
Yun, Hyung-Joong
Lee, Sung-Nam
Hong, Hyobong
Jeong, Jae-Chan
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Microelectronic Engineering 1 September 2016 163:26-31

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Tytuł:

Study of degradation in bulk lifetime of n-type silicon wafer due to oxidation of boron-rich layer

Autorzy:

Ryu, Kyungsun
Choi, Chel-Jong
Rohatgi, Ajeet
Ok, Young-Woo

Pokaż więcej

Źródło:

In Current Applied Physics May 2016 16(5):497-500

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 41.

Tytuł:

Schottky barrier parameters and low frequency noise characteristics of graphene-germanium Schottky barrier diode

Autorzy:

Khurelbaatar, Zagarzusem
Kil, Yeon-Ho
Shim, Kyu-Hwan
Cho, Hyunjin
Kim, Myung-Jong
Lee, Sung-Nam
Jeong, Jae-chan
Hong, Hyobong
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Superlattices and Microstructures March 2016 91:306-312

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 42.

Tytuł:

Effect of thermal annealing on the electrical and structural properties of Au/Y/p-type InP Schottky structure

Autorzy:

Dasaradha Rao, L.
Shanthi Latha, K.
Rajagopal Reddy, V.
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Vacuum September 2015 119:276-283

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 43.

Tytuł:

Rapid thermal annealing effects on the electrical and structural properties of Ru/V/n-InP Schottky barrier diode

Autorzy:

Padma, R.
Shanthi Latha, K.
Rajagopal Reddy, V.
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Superlattices and Microstructures July 2015 83:48-60

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 44.

Tytuł:

Variations of Dark and Photo Currents of Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors Fabricated on Ge Epilayer Grown on Si Substrate Caused by the Dimension of Interdigitated Pt Finger Electrodes

Autorzy:

Zumuukhorol, M.
Boldbaatar, S.
Shim, Kyu-Hwan
Choi, Chel-Jong
Khurelbaatar, Z.
Lee, Sung-Nam

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of the Korean Physical Society. 74(7):713-717

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 45.

Tytuł:

Current Transport and 1/f Noise Characteristics in Ferromagnetic Permalloy/n-type Ge Schottky Contacts

Autorzy:

Janardhanam, V.
Jyothi, I.
Yuk, Shim-Hoon
Shim, Kyu-Hwan
Lim, Kee Young
Choi, Chel-Jong
Lee, Sung-Nam

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of the Korean Physical Society. 73(5):605-611

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 46.

Tytuł:

Effect of copper phthalocyanine (CuPc) interlayer on the electrical characteristics of Au/n-GaN Schottky rectifier

Autorzy:

Jyothi, I.
Janardhanam, V.
Lim, Yi-Rang
Rajagopal Reddy, V.
Ahn, Kwang-Soon
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Materials Science in Semiconductor Processing February 2015 30:420-428

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 47.

Tytuł:

Analysis of microstructure, chemical state and electrical features of Ti/WO3/p-InP heterojunction with a tungsten oxide insulating layer.

Autorzy:

Ashajyothi, S.
Reddy, V. Rajagopal
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jul2023, Vol. 34 Issue 19, p1-11, 11p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 48.

Tytuł:

Modified electrical characteristics of Pt/n-type Ge Schottky diode with a pyronine-B interlayer

Autorzy:

Jyothi, I.
Janardhanam, V.
Rajagopal Reddy, V.
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Superlattices and Microstructures November 2014 75:806-817

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 49.

Tytuł:

Electrical and structural properties of tungsten Schottky contacts to p-type InP at different annealing temperatures

Autorzy:

Rajagopal Reddy, V.
Sri Silpa, D.
Yun, Hyung-Joong
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Superlattices and Microstructures July 2014 71:134-146

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 50.

Tytuł:

Characterization of n-Ge/i-Ge/p-Si PIN photo-diode

Autorzy:

Deok Yang, Hyeon
Kil, Yeon-Ho
Yang, Jong-Han
Kang, Sukill
Soo Jeong, Tae
Choi, Chel-Jong
Sung Kim, Taek
Shim, Kyu-Hwan

Pokaż więcej

Źródło:

In Materials Science in Semiconductor Processing June 2014 22:37-43

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 51.

Tytuł:

Growth of a Ge layer on 8 in. Si (100) substrates by rapid thermal chemical vapor deposition

Autorzy:

Kil, Yeon-Ho
Yang, Jong-Han
Kang, Sukill
Kim, Dae-Jung
Jeong, Tae Soo
Choi, Chel-Jong
Kim, Taek Sung
Shim, Kyu-Hwan

Pokaż więcej

Źródło:

In Materials Science in Semiconductor Processing May 2014 21:58-65

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 52.

Tytuł:

Electrical properties and the double Gaussian distribution of inhomogeneous barrier heights in Se/n-GaN Schottky barrier diode

Autorzy:

Rajagopal Reddy, V.
Janardhanam, V.
Leem, Chang-Hyun
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Superlattices and Microstructures March 2014 67:242-255

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 53.

Tytuł:

Optical properties of hybrid Si1−xGex/Si quantum dot/quantum well structures grown on Si by RPCVD

Autorzy:

Kil, Yeon-Ho
Yang, Hyeon Deok
Yang, Jong-Han
Kang, Sukill
Jeong, Tae Soo
Choi, Chel-Jong
Kim, Taek Sung
Shim, Kyu-Hwan

Pokaż więcej

Źródło:

In Materials Science in Semiconductor Processing January 2014 17:178-183

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 54.

Tytuł:

Fabrication of PIN photo-diode from p-Ge/i-Ge/n-Si hetero junction structure

Autorzy:

Deok Yang, Hyeon
Kil, Yeon-Ho
Yang, Jong-Han
Kang, Sukill
Soo Jeong, Tae
Choi, Chel-Jong
Sung Kim, Taek
Shim, Kyu-Hwan

Pokaż więcej

Źródło:

In Materials Science in Semiconductor Processing January 2014 17:74-80

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 55.

Tytuł:

Electrical and structural properties of rapidly annealed rare-earth metal Er Schottky contacts on p-type InP

Autorzy:

Dasaradha Rao, L.
Rajagopal Reddy, V.
Janardhanam, V.
Kang, Min-Sung
Son, Byoung-Chul
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Superlattices and Microstructures January 2014 65:206-218

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 56.

Tytuł:

The Low Temperature Epitaxy of Strained GeSn Layers Using RTCVD System

Autorzy:

Kil, Yeon-Ho
Yuk, Sim-Hoon
Jang, Han-Soo
Lee, Sang-Geul
Choi, Chel-Jong
Shim, Kyu-HwanAff1, Aff3

Pokaż więcej

Źródło:

Electronic Materials Letters. 14(2):207-213

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 57.

Tytuł:

Temperature-dependent current–voltage characteristics of Se Schottky contact to n-type Ge

Autorzy:

Janardhanam, V.
Jyothi, I.
Ahn, Kwang-Soon
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Thin Solid Films 1 November 2013 546:63-68

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 58.

Tytuł:

Two-step annealed CdS/CdSe co-sensitizers for quantum dot-sensitized solar cells

Autorzy:

Jung, Sung Woo
Park, Min-A
Kim, Jae-Hong
Kim, Hyunsoo
Choi, Chel-Jong
Kang, Soon Hyung
Ahn, Kwang-Soon

Pokaż więcej

Źródło:

In Current Applied Physics September 2013 13(7):1532-1536

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 59.

Tytuł:

Analysis of electrical characteristics of Er/p-InP Schottky diode at high temperature range

Autorzy:

Ashok Kumar, A.
Dasaradha Rao, L.
Rajagopal Reddy, V.
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Current Applied Physics August 2013 13(6):975-980

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 60.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 61.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 62.

Tytuł:

Electrical and carrier transport properties of the Au/Y2O3/n-GaN metal-insulator-semiconductor (MIS) diode with rare-earth oxide interlayer

Autorzy:

Venkata Prasad, C.
Rajagopal Reddy, V.
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing. April 2017 123(4):1-10

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 63.

Tytuł:

Effect of oxygen plasma treatment on the electrical characteristics of Pt/n-type Si Schottky diodes

Autorzy:

Janardhanam, V.
Jyothi, I.
Yuk, Shim-Hoon
Choi, Chel-Jong
Lee, Sung-Nam
Reddy, V. Rajagopal

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of the Korean Physical Society. October 2016 69(8):1321-1327

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 64.

Tytuł:

Effects of Annealing on Electrical Characteristics and Current Transport Mechanisms of the Y/p-GaN Schottky Diode

Autorzy:

Reddy, V. Rajagopal
Asha, B.
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Electronic Materials. July 2016 45(7):3268-3277

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 65.

Tytuł:

Temperature dependence of the photocurrent in Ge1−x Sn x layers

Autorzy:

Kang, Sukill
Kil, Yeon-Ho
Jeong, Tae Soo
Choi, Chel-Jong
Shim, Kyu-Hwan
Kim, Dae-Jung
Choi, Yong-Dae
Kim, Taek Sung

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of the Korean Physical Society. July 2016 69(2):207-212

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 66.

Tytuł:

ZnS overlayer on in situ chemical bath deposited CdS quantum dot-assembled TiO2 films for quantum dot-sensitized solar cells

Autorzy:

Jung, Sung Woo
Kim, Jae-Hong
Kim, Hyunsoo
Choi, Chel-Jong
Ahn, Kwang-Soon

Pokaż więcej

Źródło:

In Current Applied Physics November 2012 12(6):1459-1464

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 67.

Tytuł:

Effect of annealing temperature on electrical properties of Au/polyvinyl alcohol/n-InP Schottky barrier structure

Autorzy:

Reddy, V. Rajagopal
Reddy, M. Siva Pratap
Kumar, A. Ashok
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Thin Solid Films 30 June 2012 520(17):5715-5721

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 68.

Tytuł:

Modulations in effective work function of platinum gate electrode in metal-oxide-semiconductor devices

Autorzy:

Chandra, S. V. Jagadeesh
Fortunato, E.
Martins, R.
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Thin Solid Films 1 May 2012 520(14):4556-4558

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 69.

Tytuł:

Annealing temperature dependency of the electrical and microstructural properties of Ti and Pt contacts to n-type Ge substrates

Autorzy:

Janardhanam, V.
Kim, Jin-Sung
Moon, Kyung-Won
Ahn, Kwang-Soon
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Microelectronic Engineering 2012 89:10-14

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 70.

Tytuł:

Effect of post metallization annealing on structural and electrical properties of Ge metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors with Pt/HfO 2 gate stack

Autorzy:

Jagadeesh Chandra, S.V.
Kim, Jin-Sung
Moon, Kyung-Won
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Microelectronic Engineering 2012 89:76-79

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 71.

Tytuł:

Growth of amorphous silica nanowires using nickel silicide catalyst by a thermal annealing process

Autorzy:

Lee, Jin-Bok
Choi, Chel-Jong
Seong, Tae-Yeon

Pokaż więcej

Źródło:

In Current Applied Physics 2011 11(2):199-202

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 72.

Tytuł:

Influence of rapid thermal annealing effect on electrical and structural properties of Pd/Ru Schottky contacts to n-type GaN

Autorzy:

Reddy, N. Nanda Kumar
Reddy, V. Rajagopal
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Materials Chemistry and Physics 2011 130(3):1000-1006

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 73.

Tytuł:

Study of deep level defect behavior in undoped n-InP (1 0 0) after rapid thermal annealing

Autorzy:

Janardhanam, V.
Ashok Kumar, A.
Rajagopal Reddy, V.
Choi, Chel Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Microelectronic Engineering 2011 88(4):506-508

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 74.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 75.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 76.

Tytuł:

Effect of copper phthalocyanine thickness on surface morphology, optical and electrical properties of Au/CuPc/n-Si heterojunction

Autorzy:

Reddy, P. R. Sekhar
Janardhanam, V.
Jyothi, I.
Harsha, Cirandur Sri
Reddy, V. Rajagopal
Lee, Sung-Nam
Won, Jonghan
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing. 124(2)

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 77.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 78.

Tytuł:

Structural and electrical properties of radio frequency magnetron sputtered tantalum oxide films: Influence of post-deposition annealing

Autorzy:

Jagadeesh Chandra, S.V.
Choi, Chel-Jong
Uthanna, S.
Mohan Rao, G.

Pokaż więcej

Źródło:

In Materials Science in Semiconductor Processing 2010 13(4):245-251

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 79.

Tytuł:

Improved electrical and thermal properties of nickel silicides by using a NiCo interlayer

Autorzy:

Lee, Jin-Bok
Jeong, Sang-Yong
Park, Bong-Jun
Choi, Chel-Jong
Hong, Kwon
Whang, Sung-Jin
Seong, Tae-Yeon

Pokaż więcej

Źródło:

In Superlattices and Microstructures 2010 47(2):259-265

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 80.

Tytuł:

Growth of height-controlled InGaN quantum dots on GaN

Autorzy:

Park, Il-Kyu
Park, Seong-Ju
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Journal of Crystal Growth 2010 312(14):2065-2068

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 81.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 82.

Tytuł:

Rapid thermal annealing effects on the electrical, structural and morphological properties of Yb/p-type InP Schottky Structure

Autorzy:

Rajagopal Reddy, V.
Sri Silpa, D.
Janardhanam, V.
Yun, Hyung-Joong
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

Electronic Materials Letters. January 2015 11(1):73-81

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 83.

Tytuł:

Double Gaussian Distribution of Barrier Heights, Interface States, and Current Transport Mechanisms in Au/Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3/n-GaN MIS Structure

Autorzy:

Rajagopal Reddy, V.
Manjunath, V.
Janardhanam, V.
Leem, Chang-Hyun
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Electronic Materials. January 2015 44(1):549-557

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 84.

Tytuł:

Transmission line pulse properties for a bidirectional transient voltage suppression diode fabricated using low-temperature epitaxy

Autorzy:

Bouangeune, Daoheung
Cho, Deok-Ho
Yun, Hyung-Joong
Shim, Kyu-Hwan
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

Electronic Materials Letters. January 2015 11(1):88-92

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 85.

Tytuł:

Transient voltage suppressor diode designed for the protection of high-brightness GaN-based LEDs from various electrostatic discharge shocks

Autorzy:

Bouangeune, Daoheung
Lee, Ye-Ji
Cho, Jaehee
Shim, Kyu-Hwan
Choi, Chel-Jong
Choi, Sang-Sik
Cho, Deok-Ho

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of the Korean Physical Society. October 2014 65(7):1106-1112

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 86.

Tytuł:

Correlation of reverse leakage current conduction mechanism and electrostatic discharge robustness of transient voltage suppression diode

Autorzy:

Bouangeune, Daoheung
Choi, Sang-Sig
Choi, Chel-Jong
Kil, Yeon-Ho
Yang, Jeon Wook
Cho, Deok-Ho
Shim, Kyu-Hwan

Pokaż więcej

Źródło:

Electronic Materials Letters. September 2014 10(5):893-898

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 87.

Tytuł:

Electrical Properties and Current Transport Mechanisms of the Au/n-GaN Schottky Structure with Solution- Processed High-k BaTiO3 Interlayer

Autorzy:

Rajagopal Reddy, V.
Manjunath, V.
Janardhanam, V.
Kil, Yeon-Ho
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Electronic Materials. September 2014 43(9):3499-3507

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 88.

Tytuł:

Growth of silicon nanowires in aqueous solution under atmospheric pressure

Autorzy:

Park, Nae-Man
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

Nano Research. June 2014 7(6):898-902

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 89.

Tytuł:

Electroluminescence of n-Ge/i-Ge/p-Si heterojunction PIN LEDs

Autorzy:

Kil, Yeon-Ho
Yang, Jong-Han
Kim, Joung Hee
Jeong, Joo Yong
Kang, Sukill
Jeong, Tae Soo
Choi, Chel-Jong
Kim, Taek Sung
Shim, Kyu-Hwan

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of the Korean Physical Society. May 2014 64(10):1430-1436

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 90.

Tytuł:

Influence of annealing effects on the electrical and microstructural properties of Se Schottky contacts on n-type GaN

Autorzy:

Rajagopal Reddy, V.
Janardhanam, V.
Kang, Min-Sung
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics. May 2014 25(5):2379-2386

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 91.

Tytuł:

Electrical and optical properties of nickel thin-films fabricated by using oblique-angle deposition

Autorzy:

Kwon, Heera
Choi, Chel-Jong
Cho, Jaehee

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of the Korean Physical Society. April 2016 68(7):839-841

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 92.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 93.

Tytuł:

Effect of phosphorus doping concentration on n-type Ge layer growth

Autorzy:

Kil, Yeon-Ho
Yang, Hyeon Deok
Yang, Jong-Han
Kang, Sukill
Jeong, Tae Soo
Choi, Chel-Jong
Kim, Taek Sung
Shim, Kyu-Hwan
Kim, Dae-Jung

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of the Korean Physical Society. March 2014 64(5):715-721

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 94.

Tytuł:

Doping-concentration dependence of a boron-doped p-type Ge layer grown on a Si (100) substrates by using RTCVD

Autorzy:

Kil, Yeon-Ho
Yang, Hyeon Deok
Yang, Jong-Han
Kang, Sukill
Jeong, Tae Soo
Choi, Chel-Jong
Kim, Taek Sung
Shim, Kyu-Hwan
Kim, Dae-Jung

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of the Korean Physical Society. February 2014 64(3):443-450

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 95.

Tytuł:

Electroluminescence of p-Ge/i-Ge/n-Si heterojunction PIN LEDs

Autorzy:

Kil, Yeon-Ho
Yang, Jong-Han
Khurelbaatar, Zagarzusem
Kang, Sukill
Jeong, Tae Soo
Choi, Chel-Jong
Kim, Taek Sung
Shim, Kyu-Hwan

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of the Korean Physical Society. January 2014 64(1):98-103

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 96.

Tytuł:

Post-annealing of CdS/ZnS-assembled TiO2 films for photoelectrochemical solar cells

Autorzy:

Jung, Sung Woo
Park, Min-Ah
Lee, Soo-Yong
Kim, Jae-Hong
Ahn, Kwang-Soon
Seo, Myeong-Soo
Kim, Hyunsoo
Choi, Chel-Jong
Kang, Soon-Hyung

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of the Korean Physical Society. December 2013 63(11):2209-2214

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 97.

Tytuł:

Structural and optical properties of epitaxially laterally overgrown a-plane GaN epilayer on SiO2 stripe patterned r-plane sapphire

Autorzy:

Lee, Yong Seok
Kim, Hun
Seo, Tae Hoon
Park, Ah Hyun
Lee, Seul Be
Chung, Sang Jo
Choi, Chel-Jong
Suh, Eun-Kyung

Pokaż więcej

Źródło:

Electronic Materials Letters. September 2013 9(5):587-592

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 98.

Tytuł:

New approach to the growth of SiO x nanowire bunch using Au catalyst and SiN x film on Si substrate

Autorzy:

Park, Nae-Man
Park, Hyun-Kyu
Choi, Chel-Jong
Kim, Sang-Woo
Maeng, Sunglyul

Pokaż więcej

Źródło:

In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2008 40(10):3170-3172

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 99.

Tytuł:

Thermal stability of high- k Er-silicate gate dielectric formed by interfacial reaction between Er and SiO 2 films

Autorzy:

Chang, Sung-Yong
Jeong, Myeong-Il
Jagadeesh Chandra, S.V.
Lee, Yong-Boo
Hong, Hyo-Bong
Rajagopal Reddy, V.
Choi, Chel-Jong

Pokaż więcej

Źródło:

In Materials Science in Semiconductor Processing 2008 11(4):122-125

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 100.

Tytuł:

Anomalous Optoelectric Properties of an Ultrathin Ruthenium Film with a Surface Oxide Layer for Flexible Transparent Conducting Electrodes.

Autorzy:

Oh, Jae Myoung
Nasir, Mohammad
Ryu, Byungki
Yun, Hyung Joong
Choi, Chel‐Jong
Bae, Jong‐Seong
Park, Hee Jung

Pokaż więcej

Temat:

THIN films
METALLIC thin films
OXIDE coating
NANOWIRES
RUTHENIUM oxides
TRANSPARENT ceramics
METALLIC oxides
ELECTRODES

Źródło:

Advanced Functional Materials; 4/4/2022, Vol. 32 Issue 14, p1-10, 10p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły