- Tytuł:
- A 4H-SiCp-i-n diode fabricated by a combination of sublimation epitaxy and CVD
- Autorzy:
- Źródło:
- Semiconductors. June 2005 39(6):730-733
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.