- Tytuł:
- Gate leakage lowering and kink current suppression for antimonide-based field-effect transistors
- Autorzy:
- Źródło:
- In Solid State Electronics April 2010 54(4):475-478
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.