Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Collaert, N."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Parasitic subthreshold drain current and low frequency noise in GaN/AlGaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility field-effect-transistors.
Autorzy :
Takakura, K
Putcha, V
Simoen, E
Alian, A R
Peralagu, U
Waldron, N
Parvais, B
Collaert, N
Pokaż więcej
Temat :
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
MODULATION-doped field-effect transistors
NOISE
TRANSISTORS
Źródło :
Semiconductor Science & Technology; Feb2021, Vol. 36 Issue 2, p1-4, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Dislocations behavior in highly mismatched III-Sb growth and their impact on the fabrication of top-down n + InAs/p + GaSb nanowire tunneling devices.
Autorzy :
El Kazzi, S.
Alian, A.
Hsu, B.
Favia, P.
Merckling, C.
Lu, W.
del Alamo, J. A.
Collaert, N.
Pokaż więcej
Temat :
TUNNEL diodes
NEGATIVE resistance devices
REFLECTION high energy electron diffraction
ATOMIC force microscopy
TRANSMISSION electron microscopy
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 19, pN.PAG-N.PAG, 7p, 1 Diagram, 4 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures.
Autorzy :
Martino, M D V
Martino, J A
Agopian, P G D
Rooyackers, R
Simoen, E
Collaert, N
Claeys, C
Pokaż więcej
Temat :
TUNNEL lining
TUNNEL design & construction
FIELD-effect transistors
TUNNELING (Physics)
ANALOG circuits
ACTIVATION energy
Źródło :
Superconductor Science & Technology; Jul2020, Vol. 33 Issue 7, p1-7, 7p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies