Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Crawford, M."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Investigation of dry-etch-induced defects in >600 V regrown, vertical, GaN, p-n diodes using deep-level optical spectroscopy.
Autorzy :
Pickrell, G. W.
Armstrong, A. M.
Allerman, A. A.
Crawford, M. H.
Glaser, C. E.
Kempisty, J.
Abate, V. M.
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics; 10/14/2019, Vol. 126 Issue 14, p1-7, 7p, 1 Chart, 6 Graphs
Temat :
ENERGY level densities
OPTICAL spectroscopy
DIODES
CONDUCTION bands
ORGANIC light emitting diodes
DENSITY of states
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies