Temat: "DEEP level transient spectroscopy" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:: Recovery at room temperature annealing on 4H–SiC SBDs by gamma irradiation.
Autorzy:: Li, Yun (AUTHOR)
Gong, Min (AUTHOR)
Huang, Mingmin (AUTHOR)
Ma, Yao (AUTHOR)
Yang, Zhimei (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Jun2024, Vol. 176, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:: Impact of carbon injection in 4H-SiC on defect formation and minority carrier lifetime.
Autorzy:: Bathen, Marianne Etzelmüller (AUTHOR)
Karsthof, Robert (AUTHOR)
Galeckas, Augustinas (AUTHOR)
Kumar, Piyush (AUTHOR)
Kuznetsov, Andrej Yu. (AUTHOR)
Grossner, Ulrike (AUTHOR)
Vines, Lasse (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Jun2024, Vol. 176, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:: Comparing the effect between room temperature and low temperature heavy ion irradiation by deep level transient spectroscopy.
Autorzy:: Gao, Xu (AUTHOR)
Wang, Xuanyu (AUTHOR)
Li, Yun (AUTHOR)
Yang, Zhimei (AUTHOR)
Gong, Min (AUTHOR)
Huang, Mingmin (AUTHOR)
Ma, Yao (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. May2024, Vol. 550, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:: Al-implantation induced damage in 4H-SiC.
Autorzy:: Kumar, P. (AUTHOR)
Martins, M.I.M. (AUTHOR)
Bathen, M.E. (AUTHOR)
Prokscha, T. (AUTHOR)
Grossner, U. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. May2024, Vol. 174, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:: Electrical characteristics and deep-level transient spectroscopy of a fast-neutron-irradiated 4H–SiC Schottky barrier diode
Autorzy:: Junesic Park
Byung-Gun Park
Hani Baek
Gwang-Min Sun; Pokaż więcej
Temat:: Silicon carbide
Neutron irradiation
Radiation damage
Schottky barrier diode
Deep-level transient spectroscopy
Nuclear engineering. Atomic power
TK9001-9401
Źródło:: Nuclear Engineering and Technology, Vol 55, Iss 1, Pp 201-208 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S173857332200403X; https://doaj.org/toc/1738-5733
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/55795bad06fe44969759e9d667a83330 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:: Thermal-annealing behavior of in-core neutron-irradiated epitaxial 4HSiC
Autorzy:: Junesic Park
Byung-Gun Park
Gwang-Min Sun; Pokaż więcej
Temat:: Silicon carbide
Neutron irradiation
Radiation damage
Thermal annealing
Deep-level transient spectroscopy
Nuclear engineering. Atomic power
TK9001-9401
Źródło:: Nuclear Engineering and Technology, Vol 55, Iss 1, Pp 209-214 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1738573322004430; https://doaj.org/toc/1738-5733
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/03dac6ef77fe4d368fd3fbeb99237d15 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:: Analysis of radiation defects in gallium nitride using deep level transient spectra and first principles methods.
Autorzy:: Jiang, Hao (AUTHOR)
Wan, Pengfei (AUTHOR)
Yang, Jianqun (AUTHOR)
Xu, Xiaodong (AUTHOR)
Li, Weiqi (AUTHOR)
Li, Xingji (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Dec2023, Vol. 545, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:: Electrical spectroscopy of defect states and their hybridization in monolayer MoS2.
Autorzy:: Zhao, Yanfei
Tripathi, Mukesh
Čerņevičs, Kristiāns
Avsar, Ahmet
Ji, Hyun Goo
Gonzalez Marin, Juan Francisco
Cheon, Cheol-Yeon
Wang, Zhenyu
Yazyev, Oleg V.
Kis, Andras; Pokaż więcej
Temat:: DEEP level transient spectroscopy
OPTICAL aberrations
SEMICONDUCTOR devices
MONOMOLECULAR films
FIELD-effect transistors
SCANNING transmission electron microscopy
SEMICONDUCTOR defects
Źródło:: Nature Communications; 1/3/2023, Vol. 14 Issue 1, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:: Experimental and theoretical studies of native deep-level defects in transition metal dichalcogenides.
Autorzy:: Kim, Jun Young
Gelczuk, Łukasz
Polak, Maciej P.
Hlushchenko, Daria
Morgan, Dane
Kudrawiec, Robert
Szlufarska, Izabela; Pokaż więcej
Temat:: DEEP level transient spectroscopy
TRANSITION metals
METAL defects
POINT defects
Źródło:: NPJ 2D Materials & Applications; 10/29/2022, Vol. 6 Issue 1, p1-11, 11p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:: Characterization of InGaN by Means of I- V Measurements of Respective Light-Emitting Diode (LED) by DLTS.
Autorzy:: Noor ul Huda Khan Asghar, H.
Gilani, Zaheer
Awan, M.
Ahmad, I.
Tan, Yi; Pokaż więcej
Źródło:: Arabian Journal for Science & Engineering (Springer Science & Business Media B.V. ). Jan2015, Vol. 40 Issue 1, p263-268. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Tytuł:: Leakage current analysis of silicon diode with anode activated by furnace annealing or laser annealing using deep level transient spectroscopy.
Autorzy:: Wakimoto, Hiroki (AUTHOR)
Matsumoto, Takashi (AUTHOR)
Yano, Koji (AUTHOR)
Muranaka, Tsutomu (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: AIP Advances. Dec2020, Vol. 10 Issue 12, p1-9. 9p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Tytuł:: Electrical properties and defect analysis of MAPbI3 thin films grown on TiO2 layer through a two-step drying process.
Autorzy:: Lee, Kyoung Su (AUTHOR)
Kim, Young-Hwan (AUTHOR)
Kim, In Soo (AUTHOR)
Kim, Eun Kyu (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Thin Solid Films. Oct2023, Vol. 782, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Tytuł:: Fabrication and characterization of SiC-based transparent passivating contacts for enhanced photovoltaic performance.
Autorzy:: Qayyum, Faraz (AUTHOR)
Shuja, Ahmed (AUTHOR)
Ali, Muhammad (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Optical Materials. Oct2023, Vol. 144, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Tytuł:: High Performance Pd/4H-SiC Epitaxial Schottky Barrier Radiation Detectors for Harsh Environment Applications
Autorzy:: Krishna C. Mandal
Sandeep K. Chaudhuri
Ritwik Nag; Pokaż więcej
Temat:: 4H-SiC
deep level transient spectroscopy (DLTS)
defects in semiconductors
epitaxial layer
radiation detection
Schottky barrier diode
Mechanical engineering and machinery
TJ1-1570
Źródło:: Micromachines, Vol 14, Iss 8, p 1532 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.mdpi.com/2072-666X/14/8/1532; https://doaj.org/toc/2072-666X
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/838e14b6b57e418f9f28504957094189 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Tytuł:: Deep Levels and Electron Paramagnetic Resonance Parameters of Substitutional Nitrogen in Silicon from First Principles
Autorzy:: Chloé Simha
Gabriela Herrero-Saboya
Luigi Giacomazzi
Layla Martin-Samos
Anne Hemeryck
Nicolas Richard; Pokaż więcej
Temat:: density functional theory
silicon
defects
electron paramagnetic resonance spectroscopy
deep-level transient spectroscopy
Chemistry
QD1-999
Źródło:: Nanomaterials, Vol 13, Iss 14, p 2123 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.mdpi.com/2079-4991/13/14/2123; https://doaj.org/toc/2079-4991
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/8c48c9a6e43c47639f88b6e6c5a92436 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Tytuł:: Effect of the Oxidation Process on Carrier Lifetime and on SF Defects of 4H SiC Thick Epilayer for Detection Applications.
Autorzy:: Meli, Alessandro
Muoio, Annamaria
Reitano, Riccardo
Sangregorio, Enrico
Calcagno, Lucia
Trotta, Antonio
Parisi, Miriam
Meda, Laura
La Via, Francesco; Pokaż więcej
Temat:: DEEP level transient spectroscopy
CHEMICAL-looping combustion
CHARGE carrier lifetime
EPITAXIAL layers
Źródło:: Micromachines; Jul2022, Vol. 13 Issue 7, pN.PAG-N.PAG, 11p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:: DLTS study of the influence of annealing on deep level defects induced in xenon ions implanted n-type 4H-SiC.
Autorzy:: Omotoso, Ezekiel
Meyer, Walter E.
Igumbor, Emmanuel
Hlatshwayo, Thulani T.
Prinsloo, Aletta R. E.
Auret, F. Danie
Sheppard, Charles J.; Pokaż więcej
Temat:: SCHOTTKY barrier diodes
DEEP level transient spectroscopy
XENON
ARTIFICIAL implants
ION implantation
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jul2022, Vol. 33 Issue 19, p15679-15688, 10p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Tytuł:: Structural and electrical properties of thick κ-Ga2O3 grown on GaN/sapphire templates.
Autorzy:: Polyakov, A. Y.
Nikolaev, V. I.
Pechnikov, A. I.
Stepanov, S. I.
Yakimov, E. B.
Scheglov, M. P.
Shchemerov, I. V.
Vasilev, A. A.
Kochkova, A. A.
Chernykh, A. V.
Chikiryaka, A. V.
Pearton, S. J.; Pokaż więcej
Temat:: GALLIUM nitride films
DEEP level transient spectroscopy
CATHODOLUMINESCENCE
THIN films
MOLECULAR beam epitaxy
ELECTRON backscattering
SAPPHIRES
ELECTRON diffraction
Źródło:: APL Materials; Jun2022, Vol. 10 Issue 6, p1-8, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Tytuł:: Influence of neutron radiation on majority and minority carrier traps in n-type 4H-SiC.
Autorzy:: Capan, Ivana (AUTHOR)
Brodar, Tomislav (AUTHOR)
Yamazaki, Yuichi (AUTHOR)
Oki, Yuya (AUTHOR)
Ohshima, Takeshi (AUTHOR)
Chiba, Yoji (AUTHOR)
Hijikata, Yasuto (AUTHOR)
Snoj, Luka (AUTHOR)
Radulović, Vladimir (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Sep2020, Vol. 478, p224-228. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji