Temat: "DEEP level transient spectroscopy" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Compensation in (2¯01) homoepitaxial β-Ga2O3 thin films grown by metalorganic vapor-phase epitaxy.
Autorzy :: Eisner, Brian A.
Ranga, Praneeth
Bhattacharyya, Arkka
Krishnamoorthy, Sriram
Scarpulla, Michael A.; Pokaż więcej
Temat :: THIN films
METAL organic chemical vapor deposition
DEEP level transient spectroscopy
EPITAXY
HOMOEPITAXY
SCHOTTKY barrier diodes
CRYSTAL orientation
Źródło :: Journal of Applied Physics; 11/21/2020, Vol. 128 Issue 19, p1-9, 9p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Probing the trap states in N–i–P Sb2(S,Se)3 solar cells by deep-level transient spectroscopy.
Autorzy :: Lian, Weitao
Tang, Rongfeng
Ma, Yuyuan
Wu, Chunyan
Chen, Chao
Wang, Xiaomin
Fang, Fang
Zhang, Jianwang
Wang, Zheng
Ju, Huanxin
Zhu, Changfei
Chen, Tao; Pokaż więcej
Temat :: SOLAR cells
DEEP level transient spectroscopy
SILICON solar cells
PHOTOVOLTAIC cells
OPEN-circuit voltage
Źródło :: Journal of Chemical Physics; 9/28/2020, Vol. 153 Issue 12, p1-7, 7p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Deep-level defects in high-voltage AlGaAs p–i–n diodes and the effect of these defects on the temperature dependence of the minority carrier lifetime.
Autorzy :: Sobolev, M. M.
Soldatenkov, F. Y.
Danil'chenko, V. G.; Pokaż więcej
Temat :: PIN diodes
DEEP level transient spectroscopy
TEMPERATURE effect
EPITAXIAL layers
GALLIUM alloys
MOLECULAR beam epitaxy
ELECTRON capture
Źródło :: Journal of Applied Physics; 9/7/2020, Vol. 128 Issue 9, p1-6, 6p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Origin and anomalous behavior of dominant defects in 4H-SiC studied by conventional and Laplace deep level transient spectroscopy.
Autorzy :: Gelczuk, Ł.
Dąbrowska-Szata, M.
Kolkovsky, Vl.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Gotszalk, T.; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
SCHOTTKY barrier diodes
EPITAXIAL layers
ELECTRON emission
CONDUCTION bands
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2/14/2020, Vol. 127 Issue 6, p1-6, 6p, 2 Charts, 6 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Identification of the donor and acceptor states of the bond-centered hydrogen–carbon pair in Si and diluted SiGe alloys.
Autorzy :: Stübner, R.
Kolkovsky, Vl.
Weber, J.
Abrosimov, N. V.
Stanley, C. M.
Backlund, D. J.
Estreicher, S. K.; Pokaż więcej
Temat :: DILUTE alloys
DEEP level transient spectroscopy
VIBRATIONAL spectra
Źródło :: Journal of Applied Physics; 1/31/2020, Vol. 127 Issue 4, p1-12, 12p, 3 Diagrams, 3 Charts, 16 Graphs, 1 Map
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Deep donors and acceptors in β-Ga2O3 crystals: Determination of the Fe2+/3+ level by a noncontact method.
Autorzy :: Lenyk, C. A.
Gustafson, T. D.
Halliburton, L. E.
Giles, N. C.; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON paramagnetic resonance
ELECTRON paramagnetic resonance spectroscopy
THERMAL electrons
INFRARED absorption
CRYSTALS
THERMOLUMINESCENCE
Źródło :: Journal of Applied Physics; 12/28/2019, Vol. 126 Issue 24, p1-9, 9p, 8 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: On the alloying and strain effects of divacancy energy level in n-type Si1 − xGex.
Autorzy :: Mamor, Mohammed
Bouziane, Khalid
Maaza, Malik; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
CHEMICAL vapor deposition
POINT defects
ALLOYS
Źródło :: Journal of Applied Physics; 12/21/2019, Vol. 126 Issue 23, p1-4, 4p, 3 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Process-induced defects in Au-hyperdoped Si photodiodes.
Autorzy :: Lim, S. Q.
Lew, C. T.-K.
Chow, P. K.
Warrender, J. M.
Williams, J. S.
Johnson, B. C.; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
PULSED lasers
ION implantation
VALENCE bands
PHOTODIODES
Źródło :: Journal of Applied Physics; 12/14/2019, Vol. 126 Issue 22, p1-9, 9p, 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Three-step growth of highly photoresponsive BaSi2 light absorbing layers with uniform Ba to Si atomic ratios.
Autorzy :: Yamashita, Yudai
Sato, Takuma
Saitoh, Noriyuki
Yoshizawa, Noriko
Toko, Kaoru
Suemasu, Takashi; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
EPITAXY
MOLECULAR beam epitaxy
INTERFACIAL roughness
QUANTUM efficiency
CRYSTAL orientation
Źródło :: Journal of Applied Physics; 12/7/2019, Vol. 126 Issue 21, p1-7, 7p, 2 Diagrams, 1 Chart, 4 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Deep-level defects in gallium oxide.
Autorzy :: Wang, Zhengpeng
Chen, Xuanhu
Ren, Fang-Fang
Gu, Shulin
Ye, Jiandong; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
GALLIUM
SEMICONDUCTOR defects
POWER electronics
CATHODOLUMINESCENCE
Źródło :: Journal of Physics: D Applied Physics; 1/28/2021, Vol. 54 Issue 4, p1-31, 31p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Defect states and their electric field-enhanced electron thermal emission in heavily Zr-doped β-Ga2O3 crystals.
Autorzy :: Sun, Rujun
Ooi, Yu Kee
Bhattacharyya, Arkka
Saleh, Muad
Krishnamoorthy, Sriram
Lynn, Kelvin G.
Scarpulla, Michael A.; Pokaż więcej
Temat :: THERMAL electrons
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON emission
ELECTRON impact ionization
SCHOTTKY barrier diodes
CRYSTALS
Źródło :: Applied Physics Letters; 11/23/2020, Vol. 117 Issue 21, p1-6, 6p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Analysis of defects of PV solar modules using deep level transient spectroscopy. Feasability and limits.
Autorzy :: Zaraket, Jean
Kokanyan, Ninel
Aillerie, Michel
Salame, Chafic
Salame, Chafic-Touma
Shaban, Auday
Jabur, Akram R
Haider, Adawiya J; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
THERMAL stresses
Źródło :: AIP Conference Proceedings; 2020, Vol. 2307 Issue 1, p1-9, 9p
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Capture and emission mechanisms of defect states at interface between nitride semiconductor and gate oxides in GaN-based metal-oxide-semiconductor power transistors.
Autorzy :: Huang, Sen
Wang, Xinhua
Liu, Xinyu
Zhao, Rui
Shi, Wen
Zhang, Yichuan
Fan, Jie
Yin, Haibo
Wei, Ke
Zheng, Yingkui
Shi, Jingyuan
Wang, Xiaolei
Wang, Wenwu
Sun, Qian
Chen, Kevin J.; Pokaż więcej
Temat :: POWER transistors
DEEP level transient spectroscopy
TWO-dimensional electron gas
INDIUM gallium zinc oxide
NITRIDES
HETEROJUNCTIONS
SEMICONDUCTORS
FIELD-effect transistors
Źródło :: Journal of Applied Physics; 10/28/2019, Vol. 126 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 8p, 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Deep trap analysis in green light emitting diodes: Problems and solutions.
Autorzy :: Polyakov, A. Y.
Shmidt, N. M.
Smirnov, N. B.
Shchemerov, I. V.
Shabunina, E. I.
Tal'nishnih, N. A.
Lee, In-Hwan
Alexanyan, L. A.
Tarelkin, S. A.
Pearton, S. J.; Pokaż więcej
Temat :: LIGHT emitting diodes
DEEP level transient spectroscopy
INDIUM gallium nitride
CAPACITANCE-voltage characteristics
SIGNAL frequency estimation
QUANTUM wells
TEMPERATURE effect
Źródło :: Journal of Applied Physics; 6/7/2019, Vol. 125 Issue 21, pN.PAG-N.PAG, 8p, 6 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Influence of growth temperature on defect states throughout the bandgap of MOCVD-grown β-Ga2O3.
Autorzy :: Ghadi, Hemant
McGlone, Joe F.
Feng, Zixuan
Bhuiyan, A F M Anhar Uddin
Zhao, Hongping
Arehart, Aaron R.
Ringel, Steven A.; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
MOLECULAR beam epitaxy
MASS spectrometry
TEMPERATURE distribution
OPTICAL spectroscopy
Źródło :: Applied Physics Letters; 10/26/2020, Vol. 117 Issue 17, p1-6, 6p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: Defect studies on short-wave infrared photovoltaic devices based on HgTe nanocrystals/TiO2 heterojunction.
Autorzy :: Sreeshma, D
Janani, B
Jagtap, Amardeep
Abhale, Atul
Rao, K S R Koteswara; Pokaż więcej
Temat :: INFRARED equipment
DEEP level transient spectroscopy
HETEROJUNCTIONS
ENERGY gaps (Physics)
SEMICONDUCTOR nanocrystals
CAPACITANCE measurement
Źródło :: Nanotechnology; 9/18/2020, Vol. 31 Issue 38, p1-12, 12p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: Low temperature epitaxial growth of GaP on Si by atomic-layer deposition with plasma activation.
Autorzy :: Uvarov, A V
Gudovskikh, A S
Nevedomskiy, V N
Baranov, A I
Kudryashov, D A
Morozov, I A
Kleider, J-P; Pokaż więcej
Temat :: EPITAXY
DEEP level transient spectroscopy
PLASMA deposition
ATOMIC layer deposition
RAPID thermal processing
LOW temperatures
Źródło :: Journal of Physics: D Applied Physics; 8/19/2020, Vol. 53 Issue 34, p1-6, 6p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: Border trap evaluation for SiO2/GeO2/Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy.
Autorzy :: Wen, Wei-Chen
Yamamoto, Keisuke
Wang, Dong
Nakashima, Hiroshi; Pokaż więcej
Temat :: SILICON oxide
DEEP level transient spectroscopy
P-type semiconductors
METAL oxide semiconductor capacitors
GERMANIUM oxide films
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 20, pN.PAG-N.PAG, 11p, 5 Diagrams, 9 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: Electric field dependence of major electron trap emission in bulk β-Ga2O3: Poole–Frenkel effect versus phonon-assisted tunneling.
Autorzy :: Polyakov, A Y
Lee, In-Hwan
Smirnov, N B
Shchemerov, I V
Vasilev, A A
Chernykh, A V
Pearton, S J; Pokaż więcej
Temat :: POOLE-Frenkel effect
ELECTRON traps
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRIC fields
ELECTRON emission
ELECTRON tunneling
POLARONS
Źródło :: Journal of Physics: D Applied Physics; 7/22/2020, Vol. 53 Issue 30, p1-9, 9p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Correlation between Kink effect and trapping mechanism through H1 hole trap in Al0.22Ga0.78N/GaN/SiC HEMTs by current DLTS: field effect enhancement.
Autorzy :: Jabbari, I.
Baira, M.
Maaref, H.; Pokaż więcej
Temat :: INDUCTIVE effect
ELECTRON impact ionization
NEAR-fields
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON traps
TUNNELING (Physics)
Źródło :: Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2020, Vol. 126 Issue 7, p1-11, 11p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat

Aktywne filtry:

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język