Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
Compensation in (2¯01) homoepitaxial β-Ga2O3 thin films grown by metalorganic vapor-phase epitaxy.
Autorzy :
Eisner, Brian A.
Ranga, Praneeth
Bhattacharyya, Arkka
Krishnamoorthy, Sriram
Scarpulla, Michael A.
Pokaż więcej
Temat :
THIN films
METAL organic chemical vapor deposition
DEEP level transient spectroscopy
EPITAXY
HOMOEPITAXY
SCHOTTKY barrier diodes
CRYSTAL orientation
Źródło :
Journal of Applied Physics; 11/21/2020, Vol. 128 Issue 19, p1-9, 9p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Probing the trap states in N–i–P Sb2(S,Se)3 solar cells by deep-level transient spectroscopy.
Autorzy :
Lian, Weitao
Tang, Rongfeng
Ma, Yuyuan
Wu, Chunyan
Chen, Chao
Wang, Xiaomin
Fang, Fang
Zhang, Jianwang
Wang, Zheng
Ju, Huanxin
Zhu, Changfei
Chen, Tao
Pokaż więcej
Temat :
SOLAR cells
DEEP level transient spectroscopy
SILICON solar cells
PHOTOVOLTAIC cells
OPEN-circuit voltage
Źródło :
Journal of Chemical Physics; 9/28/2020, Vol. 153 Issue 12, p1-7, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Deep-level defects in high-voltage AlGaAs p–i–n diodes and the effect of these defects on the temperature dependence of the minority carrier lifetime.
Autorzy :
Sobolev, M. M.
Soldatenkov, F. Y.
Danil'chenko, V. G.
Pokaż więcej
Temat :
PIN diodes
DEEP level transient spectroscopy
TEMPERATURE effect
EPITAXIAL layers
GALLIUM alloys
MOLECULAR beam epitaxy
ELECTRON capture
Źródło :
Journal of Applied Physics; 9/7/2020, Vol. 128 Issue 9, p1-6, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Origin and anomalous behavior of dominant defects in 4H-SiC studied by conventional and Laplace deep level transient spectroscopy.
Autorzy :
Gelczuk, Ł.
Dąbrowska-Szata, M.
Kolkovsky, Vl.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Gotszalk, T.
Pokaż więcej
Temat :
DEEP level transient spectroscopy
SCHOTTKY barrier diodes
EPITAXIAL layers
ELECTRON emission
CONDUCTION bands
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2/14/2020, Vol. 127 Issue 6, p1-6, 6p, 2 Charts, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Identification of the donor and acceptor states of the bond-centered hydrogen–carbon pair in Si and diluted SiGe alloys.
Autorzy :
Stübner, R.
Kolkovsky, Vl.
Weber, J.
Abrosimov, N. V.
Stanley, C. M.
Backlund, D. J.
Estreicher, S. K.
Pokaż więcej
Temat :
DILUTE alloys
DEEP level transient spectroscopy
VIBRATIONAL spectra
Źródło :
Journal of Applied Physics; 1/31/2020, Vol. 127 Issue 4, p1-12, 12p, 3 Diagrams, 3 Charts, 16 Graphs, 1 Map
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Deep donors and acceptors in β-Ga2O3 crystals: Determination of the Fe2+/3+ level by a noncontact method.
Autorzy :
Lenyk, C. A.
Gustafson, T. D.
Halliburton, L. E.
Giles, N. C.
Pokaż więcej
Temat :
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON paramagnetic resonance
ELECTRON paramagnetic resonance spectroscopy
THERMAL electrons
INFRARED absorption
CRYSTALS
THERMOLUMINESCENCE
Źródło :
Journal of Applied Physics; 12/28/2019, Vol. 126 Issue 24, p1-9, 9p, 8 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Three-step growth of highly photoresponsive BaSi2 light absorbing layers with uniform Ba to Si atomic ratios.
Autorzy :
Yamashita, Yudai
Sato, Takuma
Saitoh, Noriyuki
Yoshizawa, Noriko
Toko, Kaoru
Suemasu, Takashi
Pokaż więcej
Temat :
DEEP level transient spectroscopy
EPITAXY
MOLECULAR beam epitaxy
INTERFACIAL roughness
QUANTUM efficiency
CRYSTAL orientation
Źródło :
Journal of Applied Physics; 12/7/2019, Vol. 126 Issue 21, p1-7, 7p, 2 Diagrams, 1 Chart, 4 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Defect states and their electric field-enhanced electron thermal emission in heavily Zr-doped β-Ga2O3 crystals.
Autorzy :
Sun, Rujun
Ooi, Yu Kee
Bhattacharyya, Arkka
Saleh, Muad
Krishnamoorthy, Sriram
Lynn, Kelvin G.
Scarpulla, Michael A.
Pokaż więcej
Temat :
THERMAL electrons
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON emission
ELECTRON impact ionization
SCHOTTKY barrier diodes
CRYSTALS
Źródło :
Applied Physics Letters; 11/23/2020, Vol. 117 Issue 21, p1-6, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Capture and emission mechanisms of defect states at interface between nitride semiconductor and gate oxides in GaN-based metal-oxide-semiconductor power transistors.
Autorzy :
Huang, Sen
Wang, Xinhua
Liu, Xinyu
Zhao, Rui
Shi, Wen
Zhang, Yichuan
Fan, Jie
Yin, Haibo
Wei, Ke
Zheng, Yingkui
Shi, Jingyuan
Wang, Xiaolei
Wang, Wenwu
Sun, Qian
Chen, Kevin J.
Pokaż więcej
Temat :
POWER transistors
DEEP level transient spectroscopy
TWO-dimensional electron gas
INDIUM gallium zinc oxide
NITRIDES
HETEROJUNCTIONS
SEMICONDUCTORS
FIELD-effect transistors
Źródło :
Journal of Applied Physics; 10/28/2019, Vol. 126 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 8p, 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Deep trap analysis in green light emitting diodes: Problems and solutions.
Autorzy :
Polyakov, A. Y.
Shmidt, N. M.
Smirnov, N. B.
Shchemerov, I. V.
Shabunina, E. I.
Tal'nishnih, N. A.
Lee, In-Hwan
Alexanyan, L. A.
Tarelkin, S. A.
Pearton, S. J.
Pokaż więcej
Temat :
LIGHT emitting diodes
DEEP level transient spectroscopy
INDIUM gallium nitride
CAPACITANCE-voltage characteristics
SIGNAL frequency estimation
QUANTUM wells
TEMPERATURE effect
Źródło :
Journal of Applied Physics; 6/7/2019, Vol. 125 Issue 21, pN.PAG-N.PAG, 8p, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Influence of growth temperature on defect states throughout the bandgap of MOCVD-grown β-Ga2O3.
Autorzy :
Ghadi, Hemant
McGlone, Joe F.
Feng, Zixuan
Bhuiyan, A F M Anhar Uddin
Zhao, Hongping
Arehart, Aaron R.
Ringel, Steven A.
Pokaż więcej
Temat :
DEEP level transient spectroscopy
MOLECULAR beam epitaxy
MASS spectrometry
TEMPERATURE distribution
OPTICAL spectroscopy
Źródło :
Applied Physics Letters; 10/26/2020, Vol. 117 Issue 17, p1-6, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Low temperature epitaxial growth of GaP on Si by atomic-layer deposition with plasma activation.
Autorzy :
Uvarov, A V
Gudovskikh, A S
Nevedomskiy, V N
Baranov, A I
Kudryashov, D A
Morozov, I A
Kleider, J-P
Pokaż więcej
Temat :
EPITAXY
DEEP level transient spectroscopy
PLASMA deposition
ATOMIC layer deposition
RAPID thermal processing
LOW temperatures
Źródło :
Journal of Physics: D Applied Physics; 8/19/2020, Vol. 53 Issue 34, p1-6, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Electric field dependence of major electron trap emission in bulk β-Ga2O3: Poole–Frenkel effect versus phonon-assisted tunneling.
Autorzy :
Polyakov, A Y
Lee, In-Hwan
Smirnov, N B
Shchemerov, I V
Vasilev, A A
Chernykh, A V
Pearton, S J
Pokaż więcej
Temat :
POOLE-Frenkel effect
ELECTRON traps
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRIC fields
ELECTRON emission
ELECTRON tunneling
POLARONS
Źródło :
Journal of Physics: D Applied Physics; 7/22/2020, Vol. 53 Issue 30, p1-9, 9p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Correlation between Kink effect and trapping mechanism through H1 hole trap in Al0.22Ga0.78N/GaN/SiC HEMTs by current DLTS: field effect enhancement.
Autorzy :
Jabbari, I.
Baira, M.
Maaref, H.
Pokaż więcej
Temat :
INDUCTIVE effect
ELECTRON impact ionization
NEAR-fields
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON traps
TUNNELING (Physics)
Źródło :
Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2020, Vol. 126 Issue 7, p1-11, 11p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies