Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Characterization of InGaN by Means of I- V Measurements of Respective Light-Emitting Diode (LED) by DLTS.
    Autorzy:
    Noor ul Huda Khan Asghar, H.
    Gilani, Zaheer
    Awan, M.
    Ahmad, I.
    Tan, Yi
    Pokaż więcej
    Temat:
    INDIUM gallium nitride
    DEEP level transient spectroscopy
    ELECTRIC potential measurement
    LOW temperatures
    LIGHT emitting diodes
    BAND gaps
    SEMICONDUCTORS
    Źródło:
    Arabian Journal for Science & Engineering (Springer Science & Business Media B.V. ); Jan2015, Vol. 40 Issue 1, p263-268, 6p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Relaxation spectroscopy of deep levels in semiconductors: Laplace-DLTS method.
    Autorzy:
    Levin, M.
    Bormontov, A.
    Akhkubekov, A.
    Tatokhin, E.
    Pokaż więcej
    Temat:
    RELAXATION spectroscopy
    DEEP level transient spectroscopy
    SEMICONDUCTORS
    LAPLACE transformation
    FIELD emission
    INVERSE problems
    ELECTRIC charge
    Źródło:
    Technical Physics Letters; Nov2010, Vol. 36 Issue 11, p1001-1005, 5p, 3 Graphs
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Investigation of defects in polyhedral oligomeric silsesquioxanes based organic light emitting diodes.
    Autorzy:
    Renaud, Cédric
    Josse, Yves
    Chih-Wen Lee
    Nguyen, Thien-Phap
    Pokaż więcej
    Temat:
    SURFACE defects
    LIGHT emitting diodes
    DEEP level transient spectroscopy
    NUCLEAR cross sections
    SEMICONDUCTOR diodes
    ACTIVATION (Chemistry)
    POLYMERS
    SEMICONDUCTORS
    SPECTRUM analysis
    Źródło:
    Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p87-91, 5p, 1 Chart, 3 Graphs
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Thermal instability of electron traps in InAs/GaAs quantum dot structures.
    Autorzy:
    Kaniewska, M.
    Engström, O.
    Kaczmarczyk, M.
    Zaremba, G.
    Pokaż więcej
    Temat:
    TEMPERATURE measurements
    THERMAL insulation
    QUANTUM dots
    DEEP level transient spectroscopy
    SURFACE defects
    QUANTUM electronics
    SEMICONDUCTORS
    ELECTRIC oscillators
    ELECTRONS
    Źródło:
    Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p101-106, 6p, 1 Chart, 8 Graphs
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Distinguishing and identifying point and extended defects in DLTS measurements.
    Autorzy:
    Gelczuk, Ł.
    ąbrowska-Szata, M.
    Jóźwiak, G.
    Pokaż więcej
    Temat:
    DEEP level transient spectroscopy
    CRYSTALS
    SEMICONDUCTORS
    ELECTRICAL engineering materials
    ELECTRONIC materials
    HIGH technology industries
    SEMICONDUCTOR industry
    SOLID state electronics
    Źródło:
    Materials Science (0137-1339); 2005, Vol. 23 Issue 3, p625-641, 17p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies