Temat: "DEEP level transient spectroscopy" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: How small changes make a difference: Influence of low silver contents on the effect of RbF‐PDT in CIGS solar cells.
Autorzy:: Helder, Tim
Kanevce, Ana
Zinßer, Mario
Gutzler, Rico
Paetel, Stefan
Hempel, Wolfram
Magorian Friedlmeier, Theresa
Powalla, Michael; Pokaż więcej
Temat:: SOLAR cells
DEEP level transient spectroscopy
COPPER
BAND gaps
CRYSTAL grain boundaries
Źródło:: Progress in Photovoltaics; Dec2023, Vol. 31 Issue 12, p1205-1214, 10p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Effect of defect states on CH3NH3PbI3 solar cell efficiency by varying application time of antisolvents.
Autorzy:: Lee, Kyoung Su
Oh, Jaewon
Lee, Hyunbok
Ryu, Mee-Yi
Kim, Eun Kyu; Pokaż więcej
Temat:: DEEP level transient spectroscopy
SOLAR cell efficiency
PHOTOVOLTAIC power systems
ETHYL acetate
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing; Sep2023, Vol. 129 Issue 9, p1-7, 7p, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 3 Charts, 3 Graphs

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: High Performance Pd/4H-SiC Epitaxial Schottky Barrier Radiation Detectors for Harsh Environment Applications.
Autorzy:: Mandal, Krishna C.
Chaudhuri, Sandeep K.
Nag, Ritwik; Pokaż więcej
Temat:: NUCLEAR counters
SCHOTTKY barrier
DEEP level transient spectroscopy
NUCLEAR reactors
WIDE gap semiconductors
HEAT resistant alloys
Źródło:: Micromachines; Aug2023, Vol. 14 Issue 8, p1532, 13p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Nature of contaminants introduced in silicon wafers during molecular beam epitaxy chamber annealing.
Autorzy:: Yi, Chuqi
Zhou, Zhuangyi
Juhl, Mattias Klaus
Tong, Jingnan
Fong, Kean Chern
Rougieux, Fiacre Emile
Bremner, Stephen; Pokaż więcej
Temat:: SOLAR cells
MOLECULAR beam epitaxy
SILICON wafers
DEEP level transient spectroscopy
SILICON solar cells
EMISSION spectroscopy
Źródło:: AIP Advances; Mar2023, Vol. 13 Issue 3, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: The role of boron related defects in limiting charge carrier lifetime in 4H–SiC epitaxial layers.
Autorzy:: Ghezellou, Misagh
Kumar, Piyush
Bathen, Marianne E.
Karsthof, Robert
Sveinbjörnsson, Einar Ö.
Grossner, Ulrike
Bergman, J. Peder
Vines, Lasse
Ul-Hassan, Jawad; Pokaż więcej
Temat:: CHARGE carrier lifetime
EPITAXIAL layers
CHARGE carrier mobility
CHARGE carriers
DEEP level transient spectroscopy
Źródło:: APL Materials; Mar2023, Vol. 11 Issue 3, p1-10, 10p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Deep Level Transient Fourier Spectroscopy Investigation of Electron Traps on AlGaN/GaN-on-Si Power Diodes.
Autorzy:: Rigaud-Minet, Florian
Raynaud, Christophe
Buckley, Julien
Charles, Matthew
Pimenta-Barros, Patricia
Gwoziecki, Romain
Gillot, Charlotte
Sousa, Véronique
Morel, Hervé
Planson, Dominique; Pokaż więcej
Temat:: DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON traps
ELECTRON spectroscopy
POWER electronics
DIODES
SURFACE recombination
Źródło:: Energies (19961073); Jan2023, Vol. 16 Issue 2, p599, 12p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Electrical spectroscopy of defect states and their hybridization in monolayer MoS2.
Autorzy:: Zhao, Yanfei
Tripathi, Mukesh
Čerņevičs, Kristiāns
Avsar, Ahmet
Ji, Hyun Goo
Gonzalez Marin, Juan Francisco
Cheon, Cheol-Yeon
Wang, Zhenyu
Yazyev, Oleg V.
Kis, Andras; Pokaż więcej
Temat:: DEEP level transient spectroscopy
OPTICAL aberrations
SEMICONDUCTOR devices
MONOMOLECULAR films
FIELD-effect transistors
SCANNING transmission electron microscopy
SEMICONDUCTOR defects
Źródło:: Nature Communications; 1/3/2023, Vol. 14 Issue 1, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Experimental and theoretical studies of native deep-level defects in transition metal dichalcogenides.
Autorzy:: Kim, Jun Young
Gelczuk, Łukasz
Polak, Maciej P.
Hlushchenko, Daria
Morgan, Dane
Kudrawiec, Robert
Szlufarska, Izabela; Pokaż więcej
Temat:: DEEP level transient spectroscopy
TRANSITION metals
METAL defects
POINT defects
Źródło:: NPJ 2D Materials & Applications; 10/29/2022, Vol. 6 Issue 1, p1-11, 11p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Inspection of the Defect State Using the Mobility Spectrum Analysis Method.
Autorzy:: Ahn, Il-Ho
Kim, Deuk Young
Yang, Woochul; Pokaż więcej
Temat:: DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis
DEBYE temperatures
THERMIONIC emission
SCHOTTKY barrier diodes
Źródło:: Nanomaterials (2079-4991); Aug2022, Vol. 12 Issue 16, p2773-2773, 11p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Effect of the Oxidation Process on Carrier Lifetime and on SF Defects of 4H SiC Thick Epilayer for Detection Applications.
Autorzy:: Meli, Alessandro
Muoio, Annamaria
Reitano, Riccardo
Sangregorio, Enrico
Calcagno, Lucia
Trotta, Antonio
Parisi, Miriam
Meda, Laura
La Via, Francesco; Pokaż więcej
Temat:: DEEP level transient spectroscopy
CHEMICAL-looping combustion
CHARGE carrier lifetime
EPITAXIAL layers
Źródło:: Micromachines; Jul2022, Vol. 13 Issue 7, pN.PAG-N.PAG, 11p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: DLTS study of the influence of annealing on deep level defects induced in xenon ions implanted n-type 4H-SiC.
Autorzy:: Omotoso, Ezekiel
Meyer, Walter E.
Igumbor, Emmanuel
Hlatshwayo, Thulani T.
Prinsloo, Aletta R. E.
Auret, F. Danie
Sheppard, Charles J.; Pokaż więcej
Temat:: SCHOTTKY barrier diodes
DEEP level transient spectroscopy
XENON
ARTIFICIAL implants
ION implantation
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jul2022, Vol. 33 Issue 19, p15679-15688, 10p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Structural and electrical properties of thick κ-Ga2O3 grown on GaN/sapphire templates.
Autorzy:: Polyakov, A. Y.
Nikolaev, V. I.
Pechnikov, A. I.
Stepanov, S. I.
Yakimov, E. B.
Scheglov, M. P.
Shchemerov, I. V.
Vasilev, A. A.
Kochkova, A. A.
Chernykh, A. V.
Chikiryaka, A. V.
Pearton, S. J.; Pokaż więcej
Temat:: GALLIUM nitride films
DEEP level transient spectroscopy
CATHODOLUMINESCENCE
THIN films
MOLECULAR beam epitaxy
ELECTRON backscattering
SAPPHIRES
ELECTRON diffraction
Źródło:: APL Materials; Jun2022, Vol. 10 Issue 6, p1-8, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY OF DEFECTS IN SILICON MULTILAYER STRUCTURES DOPED WITH HAFNIUM ATOMS.
Autorzy:: Kh., Daliev Shakhrukh
A., Ergashev Javokhir; Pokaż więcej
Temat:: DEEP level transient spectroscopy
HAFNIUM
SURFACE states
SILICON
ATOMS
Źródło:: European Science Review; 2022, Issue 5/6, p25-28, 4p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Electron Emission from the Electronic States of Oxygen Precipitates in Oxygen‐Implanted Silicon.
Autorzy:: Danilov, Denis
Vyvenko, Oleg
Loshachenko, Anton
Sobolev, Nikolay; Pokaż więcej
Temat:: ELECTRON emission
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRIC properties
SILICON
TRANSMISSION electron microscopy
ELECTRIC capacity
ELECTRON field emission
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Apr2022, Vol. 219 Issue 7, p1-8, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Electron Irradiation Effects and Defects Analysis of the Upright Metamorphic Four‐Junction (UMM4J) Solar Cells.
Autorzy:: Zhang, Yanqing
Zhou, Jiaming
Liu, Chaoming
Qi, Chunhua
Wang, Tianqi
Ma, Guoliang
Zhou, Bin
Xiao, Liyi
Huo, Mingxue; Pokaż więcej
Temat:: PHOTOVOLTAIC power systems
DEEP level transient spectroscopy
OPEN-circuit voltage
ENERGY dissipation
ELECTRON traps
ELECTRIC properties
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Mar2022, Vol. 219 Issue 6, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: On the nature of thermally activated defects in n-type FZ silicon grown in nitrogen atmosphere.
Autorzy:: Scheffler, L.
Lei, A.
Duun, S.
Julsgaard, B.; Pokaż więcej
Temat:: DEEP level transient spectroscopy
NITROGEN
ELECTRIC field effects
ELECTRON emission
FIELD emission
ATMOSPHERIC nitrogen
ELECTRON capture
Źródło:: AIP Advances; Mar2022, Vol. 12 Issue 3, p1-7, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: DLTS investigations on CIGS solar cells from an inline co-evaporation system with RbF post-deposition treatment.
Autorzy:: Helder, Tim
Kanevce, Ana
Bauer, Andreas
Zinßer, Mario
Paetel, Stefan
Friedlmeier, Theresa Magorian
Powalla, Michael; Pokaż więcej
Temat:: SOLAR cells
DEEP level transient spectroscopy
Źródło:: EPJ Photovoltaics; 2022, Vol. 13, p1-6, 6p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: The Role of Si Self‐interstitial Atoms in the Formation of Electrically Active Defects in Reverse‐Biased Silicon n–p Diodes upon Irradiation with Alpha Particles.
Autorzy:: Aharodnikau, Dzmitriy A.
Lastovskii, Stanislau B.
Shpakovski, Sergei V.
Markevich, Vladimir P.
Halsall, Matthew P.
Peaker, Anthony R.; Pokaż więcej
Temat:: ALPHA rays
SILICON diodes
SPACE charge
ELECTRON emission
DEEP level transient spectroscopy
IRRADIATION
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Dec2021, Vol. 218 Issue 23, p1-7, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Effect of Ultraviolet Irradiation on 4H-SiC PiN Diodes Characteristics.
Autorzy:: Xu, Xingliang
Zhang, Lin
Dong, Peng
Li, Zhiqiang
Li, Lianghui
Li, Juntao
Zhang, Jian; Pokaż więcej
Temat:: PIN diodes
DEEP level transient spectroscopy
ULTRAVIOLET radiation
HIGH voltages
Źródło:: Nanoscale Research Letters; 9/10/2021, Vol. 16 Issue 1, p1-5, 5p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Defect analysis of crystalline Si solar cells by learning radiation-induced defects in Si.
Autorzy:: Yamaguchi, Masafumi
Kamioka, Takefumi
Kojima, Nobuaki
Ohshita, Yoshio; Pokaż więcej
Temat:: SOLAR cells
RADIATION
DEEP level transient spectroscopy
Źródło:: MRS Communications; Jun2021, Vol. 11 Issue 3, p272-277, 6p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:: Leakage current analysis of silicon diode with anode activated by furnace annealing or laser annealing using deep level transient spectroscopy.
Autorzy:: Wakimoto, Hiroki
Matsumoto, Takashi
Yano, Koji
Muranaka, Tsutomu; Pokaż więcej
Temat:: DEEP level transient spectroscopy
SILICON diodes
LASER annealing
ANODES
INSULATED gate bipolar transistors
TRANSISTORS
PIN diodes
Źródło:: AIP Advances; Dec2020, Vol. 10 Issue 12, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:: Correlation between Kink effect and trapping mechanism through H1 hole trap in Al0.22Ga0.78N/GaN/SiC HEMTs by current DLTS: field effect enhancement.
Autorzy:: Jabbari, I.
Baira, M.
Maaref, H.; Pokaż więcej
Temat:: INDUCTIVE effect
ELECTRON impact ionization
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON traps
QUANTUM tunneling
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2020, Vol. 126 Issue 7, p1-11, 11p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:: Reliability improvement of electrically active defect investigations by analytical and experimental deep level transient: Fourier spectroscopy investigations.
Autorzy:: Kosa, Arpad
Sciana, Beata
Stuchlikova, Lubica; Pokaż więcej
Temat:: DEEP level transient spectroscopy
RELIABILITY in engineering
SPECTROMETRY
Źródło:: Journal of Electrical Engineering; 2019, Vol. 70 Issue 7, p27-35, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:: Low-Frequency Noises and DLTS Studies in HgCdTe MWIR Photodiodes.
Autorzy:: Guinedor, P.
Brunner, A.
Rubaldo, L.
Bauza, D.
Reimbold, G.
Billon-Lanfrey, D.; Pokaż więcej
Temat:: BURST noise
DEEP level transient spectroscopy
PHOTODIODES
NOISE
ELECTRO-optical effects
Źródło:: Journal of Electronic Materials; Oct2019, Vol. 48 Issue 10, p6113-6117, 5p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:: Study of γ-ray radiation influence on SiO2/HfO2/Al2O3/HfO2/Al2O3 memory capacitor by C–V and DLTS.
Autorzy:: Ke, Xiao-yu
Ming, Si-ting
Wang, Duo-wei
Li, Tong
Liu, Bing-yan
Cao, Shu-rui
Ma, Yao
Li, Yun
Yang, Zhi-mei
Gong, Min
Huang, Ming-min
Bi, Jin-shun
Xu, Yan-nan
Xi, Kai
Xu, Gao-bo
Majumdar, Sandip; Pokaż więcej
Temat:: DEEP level transient spectroscopy
GAMMA rays
RADIATION
CAPACITORS
ELECTRIC capacity
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jun2019, Vol. 30 Issue 12, p11079-11085, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język